GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																													操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别
GS816132DGT-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	375 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT		Tray	GS816132DGT				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													18 Mbit			270 mA, 350 mA	4.2 ns		512 k x 32					SRAM											SRAM
GS8182R09BGD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8662S36BGD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR					有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8662S36BGD				SigmaSIO DDR-II						Memory & Data Storage													72 Mbit			950 mA			2 M x 36					SRAM			72								SRAM
GS8182R36BD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS81302D20E-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade					450 MHz	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302D20E				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		1.26 A		Pipelined	8 M x 18				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS8182R08BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8662Q07BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR					有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8662Q07BGD				SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage													72 Mbit			930 mA			8 M x 8					SRAM											SRAM
GS8662S18BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1																																													72
GS8662Q07BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel							GS8662Q07BD																							72 Mbit			930 mA			8 M x 8
GS8662Q10BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	表面贴装	1.9 V	Industrial grade				333 MHz	Parallel	1.7 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	DDR	有	15	SigmaQuad-II+	333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662Q10BD				SigmaQuad-II+ B2																			72 Mbit	2		930 mA		Pipelined	8 M x 9				22 Bit		72 Mbit			Industrial
GS8182Q36BD-375M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Military grade				375 MHz	Parallel	1.7 V	- 55 C	+ 125 C	SMD/SMT	DDR	有	18	SigmaQuad-II	375 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	表面贴装	Compliant	1.9 V	-55 to 125 °C	Tray	GS8182Q36BD				SigmaQuad-II		125 °C	-55 °C					1.8 V											18 Mbit	2				Pipelined	512 k x 36				18 Bit		18 Mbit			Military										无
GS8322Z18AGB-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	SDR	Details	NBT SRAM	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	2.3 V	14	0 C	3.6 V	+ 70 C	375 MHz	有	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	4.2 ns	70 °C	有	GS8322Z18AGB-375	375 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.13	BGA	Commercial grade	FBGA	SDR	0 to 85 °C	Tray	GS8322Z18AGB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	250 mA, 350 mA	4.2 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.99 mm	18		SRAM	36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS8161E18DGT-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	,	有	GS8161E18DGT-400I	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.8	Industrial grade			400 MHz	TQFP	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	18 Bit	2.7, 3.6 V	有	400 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	-40 to 70 °C	Tray	GS8161E18DGT				DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage								compliant					18 Mbit			275 mA, 355 mA	4		1 M x 18					SRAM			18	Industrial							SRAM
GS8662TT10BGD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	-40 to 100 °C	Tray	GS8662TT10BGD				SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage													72 Mbit	1		600 mA		Pipelined	8 M x 9				22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302DT10E-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade				350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT10E				SigmaQuad-II+ B4						Memory & Data Storage													144 Mbit	2		940 mA		Pipelined	16 M x 9				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS8640E32GT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				133.3@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	2 MWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	-40 to 85 °C	Tray	GS8640E32GT				DCD						Memory & Data Storage													72 Mbit	4		250 mA, 330 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 32				21 Bit	SRAM	64 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662QT19BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	1.7 V	15	0 C	1.9 V	+ 70 C	300 MHz	有	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	QDR-II	N	SigmaQuad-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	0 to 85 °C	Tray	GS8662QT19BD				SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage													72 Mbit	2		850 mA		Pipelined	4 M x 18				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS88132CGD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	70 °C	有	GS88132CGD-150	262144 words	3.3 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.16	BGA	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR		Tray	GS88132CGD			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY, FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	9 Mbit		SYNCHRONOUS	130 mA, 140 mA	7.5 ns		256 k x 36		1.4 mm	32		SRAM			8388608 bit		SERIAL		缓存SRAM		3.6 V	3 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8662TT11BGD-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				500 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	-40 to 100 °C	Tray	GS8662TT11BGD				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage													72 Mbit	1		770 mA		Pipelined	8 M x 9				22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662Q09BD-357I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Industrial grade				357 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	357 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662Q09BD				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													72 Mbit	2		995 mA		Pipelined	8 M x 9				22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302DT37GE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS81302DT37GE-333	4194304 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.06	BGA	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	36 Bit	1.9 V	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	0 to 85 °C			e1	有	3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	144 Mbit		SYNCHRONOUS	1 A	0.45		4 M x 36		1.5 mm	36					144		PARALLEL		QDR SRAM		1.9 V	1.7 V		17 mm	15 mm
GS81302D11E-450M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	450 MHz	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	9 Bit	1.9 V	有	450 MHz	+ 125 C	1.9 V	- 55 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	QDR-II	Military grade				-55 to 125 °C	Tray					SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage													144 Mbit				0.45		16 M x 9					SRAM			144	Military							SRAM
GS8342Q36BD-357I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Industrial grade				357 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	357 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q36BD				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													36 Mbit	2		1.155 A		Pipelined	1 M x 36				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS82582Q20GE-500	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	GRID ARRAY, LOW PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS82582Q20GE-500	500 MHz	16777216 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73		Details	500 MHz	Parallel	1.7 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	QDR-II	有	10	SigmaQuad-II+	1.9 V	LBGA, BGA165,11X15,40		Tray	GS82582Q20GE			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2							CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.8 V	OTHER	288 Mbit		SYNCHRONOUS	1.41 A			16 M x 18	3-STATE	1.5 mm	18					301989888 bit		PARALLEL	SEPARATE	标准SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V		17 mm	15 mm
GS8182T08BD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	YES	165	165	0.45 ns	70 °C	无	GS8182T08BD-375	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.32	BGA	Commercial grade		375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0 to 70 °C			e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL		1	SYNCHRONOUS			Pipelined	2MX8		1.4 mm	8	20 Bit		18 Mbit		16777216 bit	Commercial	PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V		15 mm	13 mm