GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																													操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	产品类别
GS8182D08BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel				200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C																										18 Mbit			365 mA			2 M x 8
GS8672D18BGE-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II				有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS8672D18BGE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			850 mA			4 M x 18					SRAM			72						SRAM
GS8161Z18DGT-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	表面贴装	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	有	GS8161Z18DGT-250V	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	QFP	Commercial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	0 to 85 °C					3A991.B.2.B			ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41		CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	100	R-PQFP-G100		2 V		COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	205 mA, 225 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.6 mm	18	20 Bit		18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM			20 mm	14 mm
GS8342D20BD-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	0.45 ns	70 °C	无	GS8342D20BD-450	450 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	Commercial grade	450 MHz	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS8342D20BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	785 mA		Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.24 A	75497472 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8182D08BGD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	0 to 70 °C	Tray	GS8182D08BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	2		680 mA		Pipelined	2 M x 8				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial					SRAM
GS8342T18BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR	Commercial grade				250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	0 to 85 °C	Tray	GS8342T18BD				SigmaDDR-II B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		395 mA		Pipelined	2 M x 18				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial					SRAM
GS8672D20BGE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II				有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS8672D20BGE				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.63 A			4 M x 18					SRAM			72						SRAM
GS8321Z36AD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	165	4.78	BGA	Industrial grade		2.7, 3.6 V	36 Bit	2.3, 3 V	2.5, 3.3 V	FBGA	153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	无	GS8321Z36AD-200I	1048576 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	-40 to 100 °C			e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE			CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	2.7 V			2.3 V			SYNCHRONOUS		6.5@Flow-Through/3@P		1MX36		1.4 mm	36					36	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM			15 mm	13 mm
GS8162Z18DB-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	BGA,	网格排列	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	4.2 ns	85 °C	无	GS8162Z18DB-375	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.27	BGA	Commercial grade	238@Flow-Through/375@Pipelined MHz	FBGA	SDR	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z18DB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2.7 V		OTHER	2.3 V	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	250 mA, 320 mA	4.2 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.99 mm	18	20 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	22 mm	14 mm
GS8342S18BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	0 to 85 °C	Tray	GS8342S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		665 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial					SRAM
GS8161E36DGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	Details	SDR	QFP,	FLATPACK	512000	UNSPECIFIED	-40 °C	未说明	4.2 ns	85 °C	有	GS8161E36DGT-200I	524288 words	2.5 V	QFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.64	QFP	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst		Tray	GS8161E36DGT			3A991.B.2.B	DCD Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1		compliant	100	R-XQFP-G100	不合格	2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	230 mA	6.5 ns		512 k x 36			36		SRAM			18874368 bit		PARALLEL		缓存SRAM		SRAM
GS8342DT11BD-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	N	DDR	Commercial grade				450 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	9 Bit	1.9 V	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	0 to 85 °C	Tray	GS8342DT11BD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage								165							36 Mbit			785 mA	0.45		4 M x 9					SRAM			36	Commercial					SRAM
GS8342S09BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR				有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS8342S09BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage															36 Mbit			705 mA			4 M x 9					SRAM			36						SRAM
GS8162Z18DGB-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	BGA,	网格排列	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	4 ns	85 °C	有	GS8162Z18DGB-400	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.27	BGA	Commercial grade	250@Flow-Through/400@Pipelined MHz	FBGA	SDR	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z18DGB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2.7 V		OTHER	2.3 V	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	255 mA, 335 mA	4 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.99 mm	18	20 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	22 mm	14 mm
GS8342Q18BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Industrial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q18BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		895 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial					SRAM
GS8672T20BGE-633	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II				有	633 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS8672T20BGE				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.5 A			4 M x 18					SRAM			72						SRAM
GS8161E32DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165		有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR				Tray	GS8161E32DD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			230 mA	6.5 ns		512 k x 32					SRAM									SRAM
GS8160E32DGT-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				150 MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	-40 to 85 °C	Tray	GS8160E32DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage								100							18 Mbit	4		195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial					SRAM
GS8182D36BD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	DDR				有	167 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II		Tray	GS8182D36BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			390 mA			512 k x 36					SRAM									SRAM
GS816236DGD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS816236DGD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 36					SRAM									SRAM
GS816236DGB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS816236DGB				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 36					SRAM									SRAM
GS816032DGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	2, 2.7 V	表面贴装	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS816032DGT-250IV	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.34	QFP	Industrial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	-40 to 100 °C		GS816032DGT			3A991.B.2.B			ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41		CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	100	R-PQFP-G100		2 V		INDUSTRIAL	1.7 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 mA, 270 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32		1.6 mm	32	20 Bit		18 Mbit		16777216 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM			20 mm	14 mm
GS842Z36CB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	SDR				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM		Tray	GS842Z36CB				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															4 Mbit			150 mA, 160 mA	7.5 ns		128 k x 36					SRAM									SRAM
GS8342QT07BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	DDR				300 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	0 to 85 °C	Tray	GS8342QT07BD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit			775 mA	0.45		4 M x 8					SRAM			36						SRAM
GS8162Z36DB-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	21	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	无	GS8162Z36DB-150IV	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Industrial grade	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	-40 to 100 °C	Tray	GS8162Z36DB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2 V		INDUSTRIAL	1.7 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.99 mm	36	19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	22 mm	14 mm