IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	访问时间	组织结构	输出特性	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
7130LA20J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	200mA	RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	QUAD	J BEND	225	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2	20 ns	1KX8	3-STATE	20b	8 kb	0.0015A	COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V	4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71T75602S166PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP		100	245mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM		2012	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	流水线结构	2.5V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	166MHz	30		INDUSTRIAL	Parallel	2.3MB	1	3.5 ns		3-STATE	19b	18 Mb	0.04A	COMMON	Synchronous	36b	2.38V	2.625V	2.375V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7026L35J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	255mA	RAM, SDR, SRAM			2009		no	活跃			EAR99		70°C	0°C		5V										Parallel	32kB	2	35 ns			14b	256 kb			Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7026L20J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	275mA	RAM, SDR, SRAM			2009		no	活跃			EAR99		70°C	0°C		5V										Parallel	32kB	2	20 ns			28b	256 kb			Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3319S166PRF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		128	500mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm	50MHz			COMMERCIAL	Parallel	512kB	2	12 ns		3-STATE	36b	4.5 Mb	0.03A	COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V	1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7008L25PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	265mA	RAM, SDR, SRAM			2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE	5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20	5V	COMMERCIAL	Parallel	64kB	2	25 ns	64KX8	3-STATE	32b	512 kb	0.005A	COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V35S15PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	215mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20		COMMERCIAL	Parallel	18kB	2	15 ns	8KX18	3-STATE	26b	144 kb	0.005A	COMMON	Asynchronous	18b	3V	3.6V	3V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3589S133BF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	400mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C		3.3V	BOTTOM	BALL		1	0.8mm	133MHz			COMMERCIAL	Parallel	256kB	2	25 ns	64KX36	3-STATE	16b	2.3 Mb	0.03A	COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V		15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V321L35PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	95mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	BATTERY BACKUP;AUTOMATIC POWER DOWN	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm		20		COMMERCIAL	Parallel	2kB	2	35 ns		3-STATE	22b	16 kb	0.0015A	COMMON	Asynchronous	8b	2V	3.6V	3V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T633S12BFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	395mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C		2.5V	BOTTOM	BALL	260	1	0.8mm		30		INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	2	12 ns		3-STATE	38b	9 Mb		COMMON	Asynchronous	18b		2.6V	2.4V	1.7mm	15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7142SA55J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	155mA	RAM, SDR, SRAM			2004			活跃					70°C	0°C		5V										Parallel	2kB	2	55 ns			22b	16 kb			Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025S25PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	265mA	RAM, SDR, SRAM			2009			活跃					70°C	0°C		5V										Parallel	16kB	2	25 ns			26b	128 kb			Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9269L12PRFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP		128		RAM, SDR, SRAM		Bulk	2008			活跃					85°C	-40°C		3.3V										Parallel	32kB	2	12 ns			28b	256 kb						3.6V	3V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7025S55J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	250mA	RAM, SDR, SRAM		Tape & Reel	2008	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE	5V	QUAD	J BEND	225	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2	55 ns	8KX16	3-STATE	26b	128 kb	0.015A	COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V	4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V2546S133PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP	100	300mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	流水线结构	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	133MHz	30		COMMERCIAL	Parallel		1	4.2 ns		3-STATE	17b	4.5 Mb	0.04A	COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7005L55PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	64		RAM, SDR, SRAM			2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP	5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm		20	5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2	55 ns	8KX8	3-STATE	26b	64 kb	0.0015A	COMMON			2V	5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9279S9PRFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP		128		RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)			Tin/Lead (Sn/Pb)	85°C	-40°C		3.3V			225							Parallel	64kB	2	9 ns			15b	512 kb						3.6V	3V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7140LA35P	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP		48	120mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2013	e0	no	Discontinued	1 (Unlimited)	48	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	DUAL		245	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2	35 ns	1KX8	3-STATE	10b	8 kb	0.0015A	COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V	5.08mm	61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130SA25TF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	LQFP	64	220mA	RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20	5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2	25 ns	1KX8	3-STATE	20b	8 kb	0.015A	COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	1.6mm	10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V632S6PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TQFP		100	180mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2015	e3	yes	Discontinued	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	83MHz	30		COMMERCIAL	Parallel		1	6 ns	64KX32	3-STATE	16b	2 Mb		COMMON	Synchronous	32b		3.63V	3.135V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3557S80BGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	260mA	RAM, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1		95MHz	20		INDUSTRIAL	Parallel		1	8 ns		3-STATE	17b	4.5 Mb	0.045A	COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V	2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
7005L20PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	64		RAM, SDR, SRAM			1999	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP	5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm		20	5V	INDUSTRIAL	Parallel	8kB	2	20 ns	8KX8	3-STATE	26b	64 kb	0.004A	COMMON			2V	5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7140LA100PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	110mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm		20	5V	COMMERCIAL	Parallel		2	100 ns	1KX8	3-STATE	20b	8 kb	0.0015A	COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3519S133BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	370mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	133MHz	20		COMMERCIAL	Parallel		2	15 ns		3-STATE	36b	9 Mb	0.015A	COMMON	Synchronous	36b		2.6V	2.4V	1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7140LA100P	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP		48	110mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2013	e0	no	Discontinued	1 (Unlimited)	48	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	DUAL		245	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2	100 ns	1KX8	3-STATE	20b	8 kb	0.0015A	COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V	5.08mm	61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	含铅