IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
7026S15J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	325mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	2				15 ns	16KX16	3-STATE		28b	256 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V261S35PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	100		RAM, SDR, SRAM		Tape & Reel	2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Matte Tin (Sn)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm							COMMERCIAL	Parallel	32kB	2			0.14mA	35 ns	16KX16	3-STATE		14b	256 kb	0.006A			COMMON			3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V631S10BCG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks		YES	256		RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	1mm			30				COMMERCIAL	Parallel		2			0.5mA			3-STATE		36b	4.5 Mb	0.015A		10 ns	COMMON			3.15V	3.45V	3.15V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71256L25YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		28	125mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2011	e3	yes	活跃		28	EAR99	哑光锡	70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	260	1				30				COMMERCIAL	Parallel	32kB	1				25 ns	32KX8			15b	256 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V25S25J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	190mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2008	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		3.3V	QUAD	J BEND	225	1								COMMERCIAL	Parallel		2				25 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V65703S85BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	225mA	RAM, SDR, SRAM			2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			91MHz	20				COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1				8.5 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V37L20PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	220mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	中断标志		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm			30				INDUSTRIAL	Parallel	72kB	2				20 ns		3-STATE		30b	576 kb	0.003A			COMMON	Asynchronous	18b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V65803S100PFGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP		100	270mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	流水线结构		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		100MHz	30				INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1				10 ns		3-STATE		19b	9 Mb	0.06A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V016SA15BFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		48	130mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011			活跃					85°C	-40°C			3.3V													Parallel	128kB	1				15 ns				16b	1 Mb					Asynchronous	16b		3.6V	3V			7mm	7mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7132LA100P	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP		48	110mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2015	e0	no	Discontinued	1 (Unlimited)	48	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP		5V	DUAL		245	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2				100 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		5.08mm	61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V07S35J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	140mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		3.3V	QUAD	J BEND	225	1								COMMERCIAL	Parallel		2				35 ns		3-STATE		15b	256 kb	0.006A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7006L35G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔		68	210mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG	240	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2				35 ns	16KX8	3-STATE		28b	128 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			29.46mm	29.46mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V09L15PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	100		RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e3	yes		3 (168 Hours)	100		Tin (Sn)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm							COMMERCIAL	Parallel	128kB	2				15 ns		3-STATE		34b	1 Mb	0.003A			COMMON			3V	3.6V	3V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V3399S133PRFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	表面贴装	TQFP		128	480mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm		133MHz					INDUSTRIAL	Parallel	256kB	2				4.2 ns		3-STATE		34b	2.3 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V		1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130SA55J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	155mA	RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2				55 ns	1KX8	3-STATE		20b	8 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9099L9PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	230mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100		Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		40MHz	20				COMMERCIAL	Parallel	128kB	2				9 ns		3-STATE		34b	1 Mb				COMMON	Synchronous	8b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7024L20PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	100		RAM, SDR, SRAM			2000	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20			5V	INDUSTRIAL	Parallel	8kB	2				20 ns	4KX16	3-STATE		24b	64 kb	0.0015A			COMMON			2V	5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V67703S75BQ8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		165	265mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		锡铅	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			117MHz	20				COMMERCIAL	Parallel		1				7.5 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.05A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130LA100J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	110mA	RAM, SDR, SRAM			2013			活跃					70°C	0°C			5V													Parallel	1kB	2				100 ns				20b	8 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3557SA75BGG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		BGA	YES	119		RAM, SRAM			2009	e1			3 (168 Hours)	119	3A991.B.2.A	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	1.27mm	unknown		30		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	100MHz	0.275mA		128KX36	3-STATE	36			0.04A	4718592 bit	7.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		2.36mm	22mm	14mm			符合RoHS标准
IDT71016S20PH8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TSOP	YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel (TR)	2010	e0	no		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.B	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	5V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm	not_compliant		20	R-PDSO-G44	不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.17mA		64KX16	3-STATE	16			0.01A	1048576 bit	20 ns	COMMON			4.5V	5.5V	4.5V	YES	1.2mm	18.41mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
7130LA20J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	200mA	RAM, SDR, SRAM			2013			活跃					70°C	0°C			5V													Parallel	1kB	2				20 ns				20b	8 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7016L20PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	80	310mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	80	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C			5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm			20			5V	INDUSTRIAL	Parallel		2				20 ns	16KX9	3-STATE		28b	144 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	9b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V25761SA166BG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		BGA	YES	119		RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2009	e0			3 (168 Hours)	119	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL		1	1.27mm	not_compliant	166MHz			不合格	2.53.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.32mA		128KX36	3-STATE	36			0.03A	4718592 bit	3.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		2.36mm	22mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V65802S150BGG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		BGA	YES	119		RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2007	e0				119	3A991.B.2.A	锡铅	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL		1	1.27mm		150MHz			不合格		COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS				512KX18		18				9437184 bit	3.8 ns					3.465V	3.135V		2.36mm	22mm	14mm			符合RoHS标准