IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量			Current - Supply (Nom)																								包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况		电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	地址总线宽度	密度	记忆密度	访问时间（最大）	同步/异步	字长	内存IC类型	待机电压-最小值	输出启用	座位高度(最大)
70T3339S133BCI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256	450mA	RAM, SDR, SRAM					2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE				2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		40MHz	20			133MHz		INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	2				15 ns		3-STATE			19b	9 Mb				COMMON	Synchronous	18b			2.6V	2.4V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7142SA55P	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP	48	155mA			RAM, SDR, SRAM	Bulk	2010			Discontinued					70°C	0°C					5V														Parallel	2kB	2				55 ns					22b	16 kb					Asynchronous	8b			5.5V	4.5V			61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	含铅
709279L12PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	100		RAM, SDR, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE				5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				5V	INDUSTRIAL	Parallel	64kB	2		50MHz	0.305mA	12 ns		3-STATE			30b	512 kb	0.005A			COMMON					5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7132LA35J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	120mA		RAM, SDR, SRAM		2007	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN				5V	QUAD	J BEND	225	1								5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2				35 ns		3-STATE			22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b		2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT7164L25YI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	28				RAM, SRAM - Asynchronous			2009	e0			3 (168 Hours)	28	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		8542.32.00.41			5V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30		不合格		5V	INDUSTRIAL	Parallel					0.15mA		8KX8	3-STATE		8			0.00006A	65536 bit	25 ns	COMMON				2V	5.5V	4.5V		3.556mm	17.9324mm	7.5184mm			Non-RoHS Compliant
71342LA35PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	200mA		RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C					5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm			20				5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2				35 ns	4KX8	3-STATE			24b	32 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b		2V	5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V3558SA133BQG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	11 Weeks	表面贴装	165	300mA	RAM, SDR, SRAM					2006	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C					3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			133MHz	30			133MHz		COMMERCIAL	Parallel	512kB	1				4.2 ns		3-STATE			18b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	18b			3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V65602S133PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	LQFP	YES	100				RAM, SRAM	Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	133MHz	20	R-PQFP-G100	不合格		3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.3mA		256KX36	3-STATE		36			0.04A	9437184 bit	4.2 ns	COMMON				3V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V25761YSA166BGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA	YES	119				RAM, SRAM	Tape & Reel (TR)	2009	e0			3 (168 Hours)	119	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	流水线结构	8542.32.00.41			3.3V	BOTTOM	BALL		1	1.27mm	not_compliant	166MHz			不合格		2.53.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.33mA		128KX36	3-STATE		36			0.035A	4718592 bit	3.5 ns	COMMON				3.14V	3.465V	3.135V		2.36mm	22mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V016SA15Y8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	44				RAM, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.B	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41			3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30		不合格		3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.13mA		64KX16	3-STATE		16			0.01A	1048576 bit	15 ns	COMMON				3.15V	3.6V	3V	YES	3.683mm	28.575mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
71V65603S150BQ8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	165	325mA			RAM, SRAM	Tape & Reel	2007	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		锡铅	70°C	0°C	流水线结构				3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			150MHz	20					COMMERCIAL	Parallel		1				3.8 ns	256KX36	3-STATE			18b	9 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b			3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025L25PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	220mA		RAM, SDR, SRAM		2009			活跃					70°C	0°C					5V														Parallel	16kB	2				25 ns					26b	128 kb					Asynchronous	16b			5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3556S166BQGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165				RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2007	e1			3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C					3.3V	BOTTOM	BALL			1mm	unknown	166MHz			不合格		3.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.36mA		128KX36	3-STATE		36			0.045A	4718592 bit	3.5 ns	COMMON				3.14V									符合RoHS标准
7008S55PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	310mA		RAM, SDR, SRAM	Tape & Reel	2010			活跃					85°C	-40°C					5V														Parallel	64kB	2				55 ns					32b	512 kb					Asynchronous	8b			5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V65603S150BQ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	165	325mA	RAM, SDR, SRAM					2007	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	爆破计数器				3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			150MHz	20			150MHz		COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1				6.7 ns	256KX36	3-STATE			18b	9 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b			3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
71342LA35J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	200mA		RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C					5V	QUAD	J BEND	225	1								5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2				35 ns	4KX8	3-STATE			24b	32 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b		2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3399S166BC	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	表面贴装	256	500mA			RAM, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE				3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		166MHz						COMMERCIAL	Parallel		2				12 ns		3-STATE			34b	2.3 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	18b			3.45V	3.15V			17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7027S55PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	270mA		RAM, SDR, SRAM		2009			活跃					70°C	0°C					5V														Parallel	64kB	2				55 ns					30b	512 kb					Asynchronous	16b			5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7134SA55P	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP	48	240mA			RAM, SDR, SRAM	Bulk	2013			Discontinued					70°C	0°C					5V														Parallel	4kB	2				55 ns					24b	32 kb					Asynchronous	8b			5.5V	4.5V			61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3556S166BQG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165				RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2007	e1			3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C					3.3V	BOTTOM	BALL			1mm		166MHz			不合格		3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.35mA		128KX36	3-STATE		36			0.04A	4718592 bit	3.5 ns	COMMON				3.14V									符合RoHS标准
71V25761S183BG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	340mA		RAM, SRAM	Tape & Reel	2009	e0	no	Discontinued	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构				3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			183MHz	20					COMMERCIAL	Parallel		1				3.3 ns		3-STATE			17b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b			3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
709159L7BFI	Integrated Device Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	100	100	CABGA	5.9		INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	Obsolete	Integrated Device Technology Inc	SQUARE	LFBGA	5 V	8192 words	83 MHz	709159L7BFI	无	85 °C	7.5 ns	未说明	-40 °C	BF100	BGA100,10X10,32	PLASTIC/EPOXY	8000	3	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	10 X 10 MM, 1.4 MM HEIGHT, 0.8 MM PITCH, FBGA-100	集成设备技术				e0	无				EAR99	Tin/Lead (Sn63Pb37)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	225	1	0.8 mm	not_compliant		S-PBGA-B100	不合格		5 V	INDUSTRIAL			2	SYNCHRONOUS		0.44 mA		8KX9	3-STATE	1.4 mm	9	0.003 A	73728 bit	PARALLEL	COMMON	DUAL-PORT SRAM	4.5 V	5.5 V	4.5 V	10 mm	10 mm
IDT71V67603ZS133PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	LQFP		RAM, SRAM					Tape & Reel (TR)	2009								70°C	0°C												133MHz							Parallel																													Non-RoHS Compliant
IDT71V416L10BEI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TFBGA		RAM, SRAM - Asynchronous						2007								85°C	-40°C																			Parallel																													Non-RoHS Compliant
IDT71V3557SA80BQI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165		RAM, SRAM					Tape & Reel (TR)	2009								85°C	-40°C																			Parallel																													Non-RoHS Compliant