品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

IDT71P73804S200BQ
IDT71P73804S200BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

DDR2, RAM, SRAM

2005

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

1.8V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

200MHz

20

不合格

1.5/1.81.8V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.55mA

1MX18

3-STATE

18

0.3A

18874368 bit

0.45 ns

COMMON

1.7V

1.9V

1.7V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

7024L45J
7024L45J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

PLCC

YES

84

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; ARBITER; SEMAPHORE

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

45 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

0.0015A

COMMON

2V

5.5V

4.5V

29.21mm

29.21mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

71V3559S75BQI8
71V3559S75BQI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

Discontinued

3 (168 Hours)

165

锡铅

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

INDUSTRIAL

Parallel

1

18b

4.5 Mb

7.5 ns

3.465V

15mm

13mm

1.2mm

无

符合RoHS标准

含铅

71321LA35TF8
71321LA35TF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

LQFP

64

120mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

35 ns

3-STATE

11b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

10mm

10mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

7019L20PF
7019L20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

300mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

128kB

2

20 ns

17b

1.1 Mb

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3577SA80BQG
IDT71V3577SA80BQG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2005

e1

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

锡银铜

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

1mm

30

不合格

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

128KX36

36

4718592 bit

8 ns

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

符合RoHS标准

IDT71124S12YI
IDT71124S12YI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

5V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.16mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

12 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

3.683mm

20.955mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V3577SA80BQGI
IDT71V3577SA80BQGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2005

e1

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

锡银铜

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

1mm

30

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

128KX36

36

4718592 bit

8 ns

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

符合RoHS标准

71342SA20J8
71342SA20J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

280mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

20 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3577SA85BGG
IDT71V3577SA85BGG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2005

e1

119

3A991.B.2.A

锡银铜

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

1

1.27mm

unknown

不合格

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

128KX36

36

4718592 bit

8.5 ns

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

7009L20PF8
7009L20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

300mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

20 ns

3-STATE

34b

1 Mb

0.003A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71016S12Y8
IDT71016S12Y8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2010

e0

no

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.21mA

64KX16

3-STATE

16

0.01A

1048576 bit

12 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

YES

3.683mm

28.575mm

10.16mm

符合RoHS标准

IDT71V3577SA80BQI
IDT71V3577SA80BQI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2005

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

20

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

100MHz

0.21mA

128KX36

3-STATE

36

0.035A

4718592 bit

8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

7140LA25PF
7140LA25PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

170mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

25 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

71421SA20J
71421SA20J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

250mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

709079S9PF8
709079S9PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

390mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

40MHz

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

20 ns

3-STATE

15b

256 kb

0.015A

COMMON

Synchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

71V321L25J
71V321L25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

100mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

INDUSTRIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

7006L15PF8
7006L15PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

260mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

15 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

709359L6PF8
709359L6PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

430mA

RAM, SDR, SRAM

2008

活跃

70°C

0°C

5V

52.6MHz

Parallel

18kB

2

6.5 ns

26b

144 kb

Synchronous

18b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

7143SA20PF
7143SA20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

310mA

RAM, SRAM

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

2

20 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70T3599S200BC8
70T3599S200BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

525mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

活跃

70°C

0°C

2.5V

200MHz

Parallel

2

10 ns

34b

4.5 Mb

Synchronous

36b

2.6V

2.4V

17mm

17mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

71V416L12PHG/3247
71V416L12PHG/3247
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

TSOP

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Bulk

2014

70°C

0°C

3.3V

Parallel

1

18b

4 Mb

无

符合RoHS标准

70V639S10PRFG
70V639S10PRFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

500mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

128

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

COMMERCIAL

Parallel

256kB

2

10 ns

3-STATE

17b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

无铅

71V3556S133PFG8
71V3556S133PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

300mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2006

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

4.2 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

无铅

71321SA20J
71321SA20J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

250mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅