品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

IDT71V416S10BEI8
IDT71V416S10BEI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TFBGA

YES

48

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2007

e0

4 (72 Hours)

48

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.75mm

not_compliant

30

S-PBGA-B48

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.2mA

256KX16

3-STATE

16

0.02A

4194304 bit

10 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

9mm

9mm

Non-RoHS Compliant

70V3319S133PRFI8
70V3319S133PRFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

480mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71T75602S133PFG
71T75602S133PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

195mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2010

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

2.5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

2.3MB

1

4.2 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V631S12BF8
70V631S12BF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

465mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71321LA20PF8
71321LA20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

200mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

备用电池

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

11b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7142LA100P
7142LA100P
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

PDIP

48

110mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2010

Discontinued

70°C

0°C

5V

Parallel

2kB

2

100 ns

22b

16 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

61.7mm

15.24mm

3.8mm

符合RoHS标准

含铅

71V3578S133PFG8
71V3578S133PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

250mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

4.2 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7027S15PF
7027S15PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

365mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

15 ns

3-STATE

30b

512 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7130LA25TFI8
7130LA25TFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

220mA

RAM, SDR, SRAM

2013

活跃

85°C

-40°C

5V

Parallel

1kB

2

25 ns

10b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70T3319S133BFI8
70T3319S133BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

450mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

18b

4 Mb

COMMON

Synchronous

18b

2.6V

2.4V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V3556SA133BQG8
71V3556SA133BQG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

YES

165

RAM, SRAM

Tape & Reel

2015

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

1

17b

4.5 Mb

4.2 ns

3.465V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

70V9369L12PF
70V9369L12PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

205mA

83MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

33.3MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

36kB

2

12 ns

16KX18

3-STATE

28b

288 kb

0.005A

COMMON

Synchronous

18b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V34L20PF
70V34L20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

100

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

0.175mA

20 ns

4KX18

3-STATE

24b

72 kb

COMMON

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V67602S150BGI
IDT71V67602S150BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

150MHz

未说明

不合格

2.53.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.325mA

256KX36

3-STATE

36

0.05A

9437184 bit

3.8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71V3577S80BG
71V3577S80BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

200mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

100MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

8 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3558S166BG8
IDT71V3558S166BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

166MHz

未说明

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.35mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

3.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V9089L15PF
70V9089L15PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

185mA

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

28.5MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

30 ns

64KX8

32b

512 kb

Synchronous

8b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T016SA12PH8
IDT71T016SA12PH8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2008

e0

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

2.5V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

R-PDSO-G44

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

0.15mA

64KX16

3-STATE

16

0.015A

1048576 bit

12 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT71T016SA15PH
IDT71T016SA15PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

2.5V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

R-PDSO-G44

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

0.13mA

64KX16

3-STATE

16

0.015A

1048576 bit

15 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

70V25S55PF8
70V25S55PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

180mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

55 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7026S25G
7026S25G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

84

305mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

25 ns

16KX16

3-STATE

14b

256 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

27.94mm

27.94mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

7024S55JI
7024S55JI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

300mA

RAM, SDR, SRAM

Rail/Tube

2000

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

备用电池操作

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

8kB

2

55 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

0.03A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V9179L7PF
70V9179L7PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

310mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

45.45MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

36kB

2

7 ns

3-STATE

15b

288 kb

0.003A

COMMON

Synchronous

9b

3V

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71016S12PHGI8
IDT71016S12PHGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2008

e3

yes

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

unknown

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.21mA

64KX16

3-STATE

16

0.01A

1048576 bit

12 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

符合RoHS标准

IDT71V3557SA85BGG
IDT71V3557SA85BGG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2009

e1

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

1.27mm

unknown

30

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

90MHz

0.225mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

8.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准