品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V65603S150PFG8
71V65603S150PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

TQFP

YES

100

RAM, SDR, SRAM

150MHz

Tape & Reel

2007

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

150MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

0.325mA

6.7 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.04A

COMMON

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V65903S80PFG8
71V65903S80PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

657.000198mg

250mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

95MHz

30

250mA

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

8 ns

19b

9 Mb

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

1.4mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71P79804S267BQ
IDT71P79804S267BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

FBGA

YES

165

DDR, RAM, SRAM

2008

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

8542.32.00.41

1.8V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

267MHz

20

不合格

1.5/1.81.8V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.95mA

1MX18

3-STATE

18

0.42A

18874368 bit

0.45 ns

SEPARATE

1.7V

1.9V

1.7V

1.2mm

15mm

13mm

符合RoHS标准

71V3578S133PFG8
71V3578S133PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

250mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

4.2 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V416VL15BE8
IDT71V416VL15BE8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TFBGA

YES

48

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2005

e0

48

3A991.B.2.A

锡铅

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.75mm

30

S-PBGA-B48

不合格

COMMERCIAL

Parallel

256KX16

16

4194304 bit

15 ns

3.6V

3V

1.2mm

9mm

9mm

Non-RoHS Compliant

71T75602S133PFGI8
71T75602S133PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

215mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2015

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V2546S133BGI
71V2546S133BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

310mA

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

133MHz

20

OTHER

Parallel

1

4.2 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V416VL15BEG
IDT71V416VL15BEG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TFBGA

YES

48

RAM, SRAM - Asynchronous

2005

e1

3 (168 Hours)

48

3A991.B.2.A

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.75mm

unknown

30

S-PBGA-B48

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.16mA

256KX16

3-STATE

16

0.01A

4194304 bit

15 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

9mm

9mm

符合RoHS标准

IDT71V124SA10PH
IDT71V124SA10PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

30

R-PDSO-G32

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.145mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

10 ns

COMMON

3.15V

3.6V

3.15V

1.2mm

20.95mm

10.16mm

符合RoHS标准

70V24L25J8
70V24L25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

165mA

RAM, SDR, SRAM

2004

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

25 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71T75602S150BGGI
71T75602S150BGGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

235mA

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

150MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

2.3MB

1

3.8 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V416YS15PHI
IDT71V416YS15PHI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TSOP

44

170mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2008

e0

no

3 (168 Hours)

44

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

1

15 ns

3-STATE

16

18b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

Non-RoHS Compliant

IDT71V35761S200PFI
IDT71V35761S200PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

200MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

128KX36

36

4718592 bit

3.1 ns

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V9199L9PFI8
70V9199L9PFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

240mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

40MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

20 ns

3-STATE

17b

1.1 Mb

COMMON

Synchronous

9b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71T75602S150PFGI8
71T75602S150PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

235mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2012

活跃

85°C

-40°C

2.5V

150MHz

Parallel

1

3.8 ns

19b

18 Mb

Synchronous

36b

2.625V

2.375V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT70V7319S133DD
IDT70V7319S133DD
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TQFP

YES

144

RAM, SRAM

2008

e0

4 (72 Hours)

144

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

not_compliant

133MHz

20

S-PQFP-G144

不合格

2.5/3.33.3V

COMMERCIAL

Parallel

2

SYNCHRONOUS

0.645mA

256KX18

3-STATE

18

0.03A

4718592 bit

15 ns

COMMON

3.15V

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

20mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V3556S100BGI8
IDT71V3556S100BGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

100MHz

未说明

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.255mA

128KX36

3-STATE

36

0.045A

4718592 bit

5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71T75602S100PFGI8
IDT71T75602S100PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2015

e3

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

2.5V

QUAD

鸥翼

0.635mm

unknown

100MHz

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.195mA

512KX36

3-STATE

36

0.06A

18874368 bit

5 ns

COMMON

2.38V

符合RoHS标准

70V9089L12PFI
70V9089L12PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

LQFP

100

RAM, SRAM

2009

no

活跃

85°C

-40°C

3.3V

Parallel

2

32b

512 kb

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75602S100PFI8
IDT71T75602S100PFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2015

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

100MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.195mA

512KX36

3-STATE

36

0.06A

18874368 bit

5 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V416VL15BEGI8
IDT71V416VL15BEGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TFBGA

YES

48

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2005

e1

4 (72 Hours)

48

3A991.B.2.A

锡银铜

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.75mm

30

S-PBGA-B48

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

256KX16

16

4194304 bit

15 ns

3.6V

3V

1.2mm

9mm

9mm

符合RoHS标准

71T75602S150BGGI8
71T75602S150BGGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

235mA

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

150MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

2.3MB

1

3.8 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

70V3579S4BC
70V3579S4BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

460mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

7.5 ns

3-STATE

30b

1.1 Mb

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V416VL15PH8
IDT71V416VL15PH8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2005

e0

no

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

锡铅

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

20

R-PDSO-G44

不合格

COMMERCIAL

Parallel

256KX16

16

4194304 bit

15 ns

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

71T75602S150PFGI
71T75602S150PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

235mA

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

150MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

2.3MB

1

3.8 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅