品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

7133LA20J
7133LA20J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

280mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

20 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

7130SA35J8
7130SA35J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

165mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

35 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.03A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

6116SA20SOG8
6116SA20SOG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

SOIC

24

105mA

CMOS, RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2013

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

24

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

DUAL

鸥翼

260

1

30

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

1

20 ns

2KX8

3-STATE

11b

16 kb

0.002A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

15.4mm

7.6mm

2.34mm

无

符合RoHS标准

无铅

IDT71V3577YS65PFG
IDT71V3577YS65PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2006

e3

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

unknown

30

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

133MHz

0.3mA

128KX36

3-STATE

36

0.03A

4718592 bit

6.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

符合RoHS标准

70V05L25J8
70V05L25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

165mA

RAM, SDR, SRAM

2006

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

25 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

24mm

24mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

71V424S10PHGI8
71V424S10PHGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TSOP

44

180mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

10 ns

3-STATE

19b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

18.41mm

10.16mm

1mm

无

符合RoHS标准

无铅

7143SA55GB
7143SA55GB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

通孔

68

315mA

RAM, SRAM

Bulk

2013

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

2

55 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

29.46mm

29.46mm

3.68mm

无

符合RoHS标准

含铅

70V27S25PF8
70V27S25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

245mA

RAM, SDR, SRAM

2012

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

64kB

2

25 ns

30b

512 kb

Asynchronous

16b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71P71604S200BQG
IDT71P71604S200BQG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

14 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

165

800mA

DDR, RAM, SRAM

2007

e1

3 (168 Hours)

165

锡银铜

70°C

0°C

1.8V

BOTTOM

BALL

260

1

200MHz

30

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

450 ps

36

19b

18 Mb

Synchronous

36b

1.9V

1.7V

符合RoHS标准

IDT71P71604S167BQG
IDT71P71604S167BQG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

DDR, RAM, SRAM

2007

e1

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

锡银铜

70°C

0°C

8542.32.00.41

1.8V

BOTTOM

BALL

260

1

1mm

167MHz

30

不合格

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

512KX36

36

18874368 bit

0.5 ns

1.9V

1.7V

1.2mm

15mm

13mm

符合RoHS标准

70V27L25PF8
70V27L25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

210mA

RAM, SDR, SRAM

2012

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

中断标志

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

25 ns

3-STATE

30b

512 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

7142LA100PDG
7142LA100PDG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

DIP

NO

48

RAM, SRAM

2010

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

48

Matte Tin (Sn)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

260

1

未说明

COMMERCIAL

Parallel

ASYNCHRONOUS

2KX8

16384 bit

100 ns

5.5V

4.5V

61.7mm

15.24mm

3.8mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71P71604S250BQ
IDT71P71604S250BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

DDR, RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

8542.32.00.41

1.8V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

250MHz

20

不合格

1.5/1.81.8V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.8mA

512KX36

3-STATE

36

0.325A

18874368 bit

0.45 ns

COMMON

1.7V

1.9V

1.7V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

IDT6116LA20SO8
IDT6116LA20SO8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

24

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2008

e0

1 (Unlimited)

24

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

not_compliant

30

R-PDSO-G24

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.12mA

2KX8

3-STATE

8

0.00002A

16384 bit

20 ns

COMMON

2V

5.5V

4.5V

YES

2.65mm

15.4mm

7.5mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V2548S150BG
IDT71V2548S150BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2008

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

150MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.325mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

3.8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

6116LA55TDB
6116LA55TDB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

通孔

CDIP

24

85mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Military grade

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

24

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

DUAL

240

1

2.54mm

5V

MILITARY

Parallel

1

55 ns

2KX8

3-STATE

11b

16 kb

0.0003A

MIL-STD-883 Class B

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

5.08mm

32.51mm

7.62mm

3.56mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V2556S166BG8
IDT71V2556S166BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

166MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.35mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

3.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

70T653MS12BCI8
70T653MS12BCI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

790mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

38b

18 Mb

0.04A

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

70V9359L6PF
70V9359L6PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

330mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

100MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

18kB

2

6 ns

8KX18

3-STATE

26b

144 kb

0.003A

COMMON

Synchronous

18b

3V

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT6116LA45SO8
IDT6116LA45SO8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

24

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2008

e0

1 (Unlimited)

24

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

not_compliant

30

R-PDSO-G24

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.075mA

2KX8

3-STATE

8

0.00002A

16384 bit

45 ns

COMMON

2V

5.5V

4.5V

YES

2.65mm

15.4mm

7.5mm

Non-RoHS Compliant

IDT6116SA25SOI8
IDT6116SA25SOI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

24

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2008

e0

1 (Unlimited)

24

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

not_compliant

30

R-PDSO-G24

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.12mA

2KX8

3-STATE

8

0.002A

16384 bit

25 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

2.65mm

15.4mm

7.5mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V3558S200PF
IDT71V3558S200PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

200MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.4mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

3.2 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT6116LA45SOI
IDT6116LA45SOI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

24

95mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2008

e0

1 (Unlimited)

24

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

85°C

-40°C

5V

DUAL

鸥翼

225

1

not_compliant

20

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

1

45 ns

2KX8

3-STATE

8

11b

16 kb

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

2.65mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V3556S133BQ
IDT71V3556S133BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

133MHz

20

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.3mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

4.2 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

7140SA55J
7140SA55J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

155mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

55 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅