品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V3577S80BG
71V3577S80BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

200mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

100MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

8 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T016SA15PH
IDT71T016SA15PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

2.5V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

R-PDSO-G44

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

0.13mA

64KX16

3-STATE

16

0.015A

1048576 bit

15 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

6116LA55TDB
6116LA55TDB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

通孔

CDIP

24

85mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Military grade

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

24

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

DUAL

240

1

2.54mm

5V

MILITARY

Parallel

1

55 ns

2KX8

3-STATE

11b

16 kb

0.0003A

MIL-STD-883 Class B

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

5.08mm

32.51mm

7.62mm

3.56mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V2556S166BG8
IDT71V2556S166BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

166MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.35mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

3.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

70T653MS12BCI8
70T653MS12BCI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

790mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

38b

18 Mb

0.04A

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V34L20PF8
70V34L20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

175mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

20 ns

4KX18

3-STATE

24b

72 kb

COMMON

Asynchronous

18b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V2548S150BG
IDT71V2548S150BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2008

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

150MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.325mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

3.8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

7134LA55J
7134LA55J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

200mA

RAM, SDR, SRAM

2005

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

4kB

2

55 ns

24b

32 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71V67703S75BG
71V67703S75BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

265mA

RAM, SDR, SRAM

117MHz

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

117MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

7.5 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.05A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3559S80PFI
IDT71V3559S80PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

95MHz

0.26mA

256KX18

3-STATE

18

0.045A

4718592 bit

8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT6116SA35TPGI
IDT6116SA35TPGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

24

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e3

24

EAR99

哑光锡

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

260

1

2.54mm

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.08mA

2KX8

3-STATE

8

0.002A

16384 bit

35 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

4.191mm

31.75mm

7.62mm

符合RoHS标准

IDT71V256SA15PZ8
IDT71V256SA15PZ8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSSOP

YES

28

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

28

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

240

1

0.55mm

not_compliant

20

R-PDSO-G28

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.085mA

32KX8

3-STATE

8

0.002A

262144 bit

15 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

YES

1.2mm

11.8mm

8mm

Non-RoHS Compliant

71V35761S183BG8
71V35761S183BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

BGA

119

340mA

183MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

Discontinued

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

183MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

3.3 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V2559S80BG8
IDT71V2559S80BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

95MHz

0.25mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

70V631S10BC8
70V631S10BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

500mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

COMMERCIAL

Parallel

2

10 ns

3-STATE

36b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V9099L12PF8
70V9099L12PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

200mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

33.3MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

12 ns

3-STATE

34b

1 Mb

COMMON

Synchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V2556S166PFG8
71V2556S166PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

350mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

FLAT

260

1

0.65mm

166MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT6116SA20TPI
IDT6116SA20TPI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

24

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

24

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

225

1

2.54mm

not_compliant

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.13mA

2KX8

3-STATE

8

0.002A

16384 bit

20 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

4.191mm

31.75mm

7.62mm

Non-RoHS Compliant

71342SA55J
71342SA55J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

240mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

55 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V424S10PHI
IDT71V424S10PHI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

e0

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

R-PDSO-G44

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.18mA

512KX8

3-STATE

8

0.02A

4194304 bit

10 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT70825L20PFI
IDT70825L20PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

80

RAM

2009

e0

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

2

20 ns

8KX16

16

26b

128 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT6116SA25TPI
IDT6116SA25TPI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

24

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

24

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

225

1

2.54mm

not_compliant

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.12mA

2KX8

3-STATE

8

0.002A

16384 bit

25 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

4.191mm

31.75mm

7.62mm

Non-RoHS Compliant

70T653MS10BC
70T653MS10BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

810mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2.3MB

2

10 ns

3-STATE

38b

18 Mb

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70T3319S200BC8
70T3319S200BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

525mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

200MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

2

10 ns

3-STATE

18b

4 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V631S12BC
70V631S12BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

465mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

12 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅