品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

IDT71V2558S100BG8
IDT71V2558S100BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

100MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.25mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

IDT71V3579YS85PF8
IDT71V3579YS85PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2006

e0

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

0.635mm

not_compliant

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

87MHz

0.18mA

256KX18

3-STATE

18

0.03A

4718592 bit

8.5 ns

COMMON

3.14V

Non-RoHS Compliant

71342LA20J
71342LA20J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

240mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

20 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT6116LA35TPGI
IDT6116LA35TPGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

24

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e3

24

EAR99

哑光锡

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

260

1

2.54mm

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.095mA

2KX8

3-STATE

8

0.00002A

16384 bit

35 ns

COMMON

2V

5.5V

4.5V

4.191mm

31.75mm

7.62mm

符合RoHS标准

70V5388S133BC8
70V5388S133BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

256

320mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2008

e0

no

Discontinued

3 (168 Hours)

256

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

4

3.4 ns

3-STATE

16b

1.1 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.4mm

17mm

17mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

70V9099L12PF8
70V9099L12PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

200mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

33.3MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

12 ns

3-STATE

34b

1 Mb

COMMON

Synchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

71V2556S166PFG8
71V2556S166PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

350mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

FLAT

260

1

0.65mm

166MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

无铅

IDT6116SA20TPI
IDT6116SA20TPI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

24

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

24

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

225

1

2.54mm

not_compliant

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.13mA

2KX8

3-STATE

8

0.002A

16384 bit

20 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

4.191mm

31.75mm

7.62mm

Non-RoHS Compliant

70V34L20PF8
70V34L20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

175mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

20 ns

4KX18

3-STATE

24b

72 kb

COMMON

Asynchronous

18b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

70V659S15BF8
70V659S15BF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

440mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

440mA

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

15 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

36b

3.45V

3.15V

1.4mm

15mm

15mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

7140SA55PF
7140SA55PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

155mA

RAM, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

55 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V124SA20PHI
IDT71V124SA20PHI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

not_compliant

30

R-PDSO-G32

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.115mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

20 ns

COMMON

3V

3.6V

3.15V

1.2mm

20.95mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT71016S15YI8
IDT71016S15YI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2010

e0

no

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.18mA

64KX16

3-STATE

16

0.01A

1048576 bit

15 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

3.683mm

28.575mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V416VS10Y8
IDT71V416VS10Y8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2005

e3

44

3A991.B.2.A

哑光锡

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

J BEND

1

1.27mm

unknown

不合格

COMMERCIAL

Parallel

256KX16

16

4194304 bit

10 ns

3.6V

3V

3.683mm

28.575mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

7024S15J
7024S15J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

310mA

RAM, SDR, SRAM

2000

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

15 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3556S100BGI
IDT71V3556S100BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

100MHz

未说明

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.255mA

128KX36

3-STATE

36

0.045A

4718592 bit

5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V416VL15BEG
IDT71V416VL15BEG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TFBGA

YES

48

RAM, SRAM - Asynchronous

2005

e1

3 (168 Hours)

48

3A991.B.2.A

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.75mm

unknown

30

S-PBGA-B48

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.16mA

256KX16

3-STATE

16

0.01A

4194304 bit

15 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

9mm

9mm

符合RoHS标准

IDT71V124SA10PH
IDT71V124SA10PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

30

R-PDSO-G32

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.145mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

10 ns

COMMON

3.15V

3.6V

3.15V

1.2mm

20.95mm

10.16mm

符合RoHS标准

70V24L25J8
70V24L25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

165mA

RAM, SDR, SRAM

2004

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

25 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

29.21mm

29.21mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

70T659S12BCI8
70T659S12BCI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

395mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V416VL15Y8
IDT71V416VL15Y8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2005

e3

44

3A991.B.2.A

哑光锡

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

J BEND

1

1.27mm

unknown

不合格

COMMERCIAL

Parallel

256KX16

16

4194304 bit

15 ns

3.6V

3V

3.683mm

28.575mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

70V08L15PF8
70V08L15PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

225mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

15 ns

64KX8

3-STATE

32b

512 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V416VS12PHGI
IDT71V416VS12PHGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2005

e3

yes

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

unknown

30

R-PDSO-G44

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.18mA

256KX16

3-STATE

16

0.02A

4194304 bit

12 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

符合RoHS标准

7007L20PF
7007L20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

80

275mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

20 ns

3-STATE

15b

256 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

71V30L35TF8
71V30L35TF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

LQFP

64

115mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

备用电池操作

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

35 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

10mm

10mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅