品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71T75802S133BG
71T75802S133BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

195mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

-40°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

2.3MB

1

4.2 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

71V016SA20BFGI8
71V016SA20BFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

48

120mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

48

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.75mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

20 ns

3-STATE

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

7mm

7mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V424L15PH8
IDT71V424L15PH8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

R-PDSO-G44

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.145mA

512KX8

3-STATE

8

0.01A

4194304 bit

15 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V416VS10PHG
IDT71V416VS10PHG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2005

e3

yes

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

unknown

30

R-PDSO-G44

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.2mA

256KX16

3-STATE

16

0.02A

4194304 bit

10 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

符合RoHS标准

IDT71T75802S133PF8
IDT71T75802S133PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2015

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

133MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.195mA

1MX18

3-STATE

18

0.04A

18874368 bit

4.2 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70T3519S133BFI8
70T3519S133BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

450mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

36b

9 Mb

COMMON

Synchronous

36b

2.6V

2.4V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V9289L9PFI
70V9289L9PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

240mA

40MHz

RAM, SRAM

2009

85°C

-40°C

3.3V

40MHz

Parallel

2

20 ns

32b

1 Mb

Synchronous

16b

3.6V

3V

符合RoHS标准

709089L9PF
709089L9PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

100

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

5V

QUAD

FLAT

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

66MHz

0.35mA

9 ns

64KX8

3-STATE

32b

512 kb

0.005A

COMMON

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V65603S150PFG8
71V65603S150PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

TQFP

YES

100

RAM, SDR, SRAM

150MHz

Tape & Reel

2007

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

150MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

0.325mA

6.7 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.04A

COMMON

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V416VS10PHG8
IDT71V416VS10PHG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2005

e3

yes

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

哑光锡

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

30

R-PDSO-G44

不合格

COMMERCIAL

Parallel

256KX16

16

4194304 bit

10 ns

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

符合RoHS标准

71V65803S150PFG8
71V65803S150PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

TQFP

YES

100

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2005

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

150MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

0.325mA

6.7 ns

3-STATE

19b

9 Mb

0.04A

COMMON

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V3556S100BQ8
IDT71V3556S100BQ8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

165

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

1mm

not_compliant

100MHz

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.25mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

5 ns

COMMON

3.14V

Non-RoHS Compliant

IDT71V35761S166PF
IDT71V35761S166PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

166MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.32mA

128KX36

3-STATE

36

0.03A

4718592 bit

3.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V9089L9PF8
70V9089L9PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

225mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

40MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

2

20 ns

64KX8

3-STATE

16b

512 kb

0.003A

COMMON

Synchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75602S200PFGI
IDT71T75602S200PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2010

e3

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

unknown

200MHz

30

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

512KX36

3-STATE

36

18874368 bit

3.2 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

符合RoHS标准

IDT71V3556S100BQG8
IDT71V3556S100BQG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e1

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

1mm

unknown

100MHz

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.25mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

5 ns

COMMON

3.14V

符合RoHS标准

IDT71V424L12YI
IDT71V424L12YI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

36

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

e0

3 (168 Hours)

36

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.155mA

512KX8

3-STATE

8

0.01A

4194304 bit

12 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

3.683mm

23.495mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

70V9079L9PF8
70V9079L9PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

225mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2004

活跃

70°C

0°C

3.3V

40MHz

Parallel

2

20 ns

30b

256 kb

Synchronous

8b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75602S200PFI
IDT71T75602S200PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2010

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

200MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

512KX36

3-STATE

36

18874368 bit

3.2 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT6116LA45SOGI
IDT6116LA45SOGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

24

95mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2008

e3

1 (Unlimited)

24

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

鸥翼

260

1

unknown

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

1

45 ns

2KX8

3-STATE

8

11b

16 kb

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

2.65mm

符合RoHS标准

IDT71V416YL10PH8
IDT71V416YL10PH8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2008

e0

no

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

锡铅

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

20

R-PDSO-G44

不合格

COMMERCIAL

Parallel

256KX16

16

4194304 bit

10 ns

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V416YL10Y
IDT71V416YL10Y
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

no

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.18mA

256KX16

3-STATE

16

0.01A

4194304 bit

10 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

3.683mm

28.575mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V3556S133BG8
IDT71V3556S133BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

133MHz

未说明

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.3mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

4.2 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71T75602S200PFGI8
IDT71T75602S200PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2010

e3

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

2.5V

QUAD

鸥翼

0.635mm

unknown

200MHz

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

512KX36

3-STATE

36

18874368 bit

3.2 ns

COMMON

2.38V

符合RoHS标准

7014S12PF
7014S12PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

250mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

4.5kB

2

12 ns

4KX9

3-STATE

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COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

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1.6mm

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符合RoHS标准

含铅