品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

并行/串行

I/O类型

同步/异步

字长

内存IC类型

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

IDT71T016SA20PH8
IDT71T016SA20PH8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2008

e0

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

2.5V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

R-PDSO-G44

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

0.12mA

64KX16

3-STATE

16

0.015A

1048576 bit

20 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

7005L20J8
7005L20J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

PLCC

68

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2012

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

8kB

2

20 ns

26b

64 kb

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V67903S80PF
IDT71V67903S80PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

100MHz

0.21mA

512KX18

3-STATE

18

0.05A

9437184 bit

8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

5962-8687505XA
5962-8687505XA
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

48

Military grade

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

48

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

DUAL

240

1

20

Qualified

5V

MILITARY

2

0.16mA

90 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.004A

38535Q/M;38534H;883B

PARALLEL

COMMON

Asynchronous

8b

MULTI-PORT SRAM

2V

5.5V

4.5V

YES

61.72mm

15.24mm

3.3mm

符合RoHS标准

含铅

IDT6116SA20SO8
IDT6116SA20SO8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

24

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2008

e0

1 (Unlimited)

24

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

not_compliant

30

R-PDSO-G24

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.13mA

2KX8

3-STATE

8

0.002A

16384 bit

20 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

YES

2.65mm

15.4mm

7.5mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V416VL15BE8
IDT71V416VL15BE8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TFBGA

YES

48

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2005

e0

48

3A991.B.2.A

锡铅

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.75mm

30

S-PBGA-B48

不合格

COMMERCIAL

Parallel

256KX16

16

4194304 bit

15 ns

3.6V

3V

1.2mm

9mm

9mm

Non-RoHS Compliant

71T75602S133PFGI8
71T75602S133PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

215mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2015

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V2546S133BGI
71V2546S133BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

310mA

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

133MHz

20

OTHER

Parallel

1

4.2 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

7026S25J8
7026S25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

305mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

25 ns

16KX16

3-STATE

14b

256 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V9199L7PF
70V9199L7PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

250mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

45.45MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

18 ns

3-STATE

34b

1.1 Mb

COMMON

Synchronous

9b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7130SA20PF8
7130SA20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

250mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

20 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71T75802S166BGI
71T75802S166BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

265mA

RAM, SRAM

2012

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

166MHz

INDUSTRIAL

Parallel

1

3.5 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

18b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

71T75602S166BGGI8
71T75602S166BGGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

265mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2012

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

166MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

1

3.5 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V416VL15PHG8
IDT71V416VL15PHG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2005

e3

yes

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

哑光锡

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

30

R-PDSO-G44

不合格

COMMERCIAL

Parallel

256KX16

16

4194304 bit

15 ns

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

符合RoHS标准

71V35761SA200BGI
71V35761SA200BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

BGA

119

200MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

Discontinued

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

PIPELINED

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

200MHz

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

3.1 ns

17b

4.5 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

70121L35J
70121L35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

PLCC

YES

52

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2.3kB

2

35 ns

3-STATE

22b

18 kb

0.005A

COMMON

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71T75602S150PFGI
71T75602S150PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

235mA

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

150MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

2.3MB

1

3.8 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70T631S12BCI
70T631S12BCI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

395mA

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

36b

4 Mb

COMMON

Asynchronous

18b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V65603S150BQG8
71V65603S150BQG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

YES

165

150MHz

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2007

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

150MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

0.325mA

6.7 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.04A

COMMON

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

7006S17PF
7006S17PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

310mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

16kB

2

17 ns

26b

128 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3578S150PFI
IDT71V3578S150PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2005

e0

no

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

150MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.305mA

256KX18

3-STATE

18

0.035A

4718592 bit

3.8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

7015L12JG8
7015L12JG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

275mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

68

EAR99

哑光锡

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

12 ns

8KX9

13b

72 kb

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V67602S150BQ
IDT71V67602S150BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

150MHz

20

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.325mA

256KX36

3-STATE

36

0.05A

9437184 bit

3.8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

IDT71P74804S167BQ
IDT71P74804S167BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

QDR, RAM, SRAM

2008

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

1.8V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

167MHz

20

不合格

1.5/1.81.8V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.65mA

1MX18

3-STATE

18

0.3A

18874368 bit

0.5 ns

SEPARATE

1.7V

1.9V

1.7V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

7140LA100PDG
7140LA100PDG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

DIP

NO

48

RAM, SRAM

2013

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

48

EAR99

哑光锡

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

260

1

2.54mm

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

ASYNCHRONOUS

0.11mA

1KX8

3-STATE

0.0015A

8192 bit

100 ns

COMMON

2V

5.5V

4.5V

5.08mm

61.7mm

15.24mm

3.8mm

符合RoHS标准

无铅