品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

70125S25J
70125S25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

LCC

YES

52

RAM, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

3-STATE

22b

18 kb

0.015A

COMMON

2V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

709269S15PF
709269S15PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

325mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

28.5MHz

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

15 ns

16KX16

3-STATE

28b

256 kb

0.015A

COMMON

Synchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V25L25PF8
70V25L25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

165mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

25 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V5388S166BCI
70V5388S166BCI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

256

400mA

RAM, SRAM

2008

e0

no

Discontinued

3 (168 Hours)

256

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

166MHz

INDUSTRIAL

Parallel

4

3.2 ns

3-STATE

16b

1.1 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.4mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71124S15Y8
IDT71124S15Y8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.155mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

15 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

YES

3.683mm

20.955mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

70V24L20JI8
70V24L20JI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

195mA

RAM, SDR, SRAM

2004

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

INDUSTRIAL

Parallel

8kB

2

20 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3557S80BQ
IDT71V3557S80BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

20

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

95MHz

0.25mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

709159L6PF8
709159L6PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

430mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

5V

52.6MHz

Parallel

9kB

2

6 ns

26b

72 kb

Synchronous

9b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75802S166PFI8
IDT71T75802S166PFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2015

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

166MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.265mA

1MX18

3-STATE

18

0.045A

18874368 bit

3.5 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V65602S133PFG
IDT71V65602S133PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2007

e3

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

哑光锡

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

30

R-PQFP-G100

不合格

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

256KX36

36

9437184 bit

4.2 ns

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

符合RoHS标准

7008S20PF
7008S20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

325mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

20 ns

64KX8

3-STATE

32b

512 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7005L20PFGI8
7005L20PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

320mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.8mm

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

8kB

2

20 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

0.004A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V3557S75PFG8
71V3557S75PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

275mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

100MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

7.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71T75602S100PFG8
IDT71T75602S100PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

100

175mA

RAM, SRAM

卷带

2015

e3

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

2.5V

QUAD

鸥翼

1

0.65mm

unknown

100MHz

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

5 ns

3-STATE

36

19b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

20mm

符合RoHS标准

7054L35PRF
7054L35PRF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

250mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

5V

QUAD

FLAT

225

1

0.5mm

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

4

35 ns

3-STATE

12b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V9269S7PRFI8
70V9269S7PRFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

370mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

83.3MHz

INDUSTRIAL

Parallel

32kB

2

7 ns

16KX16

3-STATE

14b

256 kb

COMMON

Synchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V3559S85BG8
71V3559S85BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

225mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

91MHz

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

8.5 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

70V9079L6PF
70V9079L6PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

350mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

52.6MHz

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

6 ns

30b

256 kb

Synchronous

8b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7009L20PFI
7009L20PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

360mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

2

20 ns

3-STATE

17b

1 Mb

0.006A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75902S80BG
IDT71T75902S80BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2005

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

2.5V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

未说明

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

95MHz

0.25mA

1MX18

3-STATE

18

0.04A

18874368 bit

8 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V9359L6PF8
70V9359L6PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

330mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

52.6MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

18kB

2

6 ns

8KX18

3-STATE

26b

144 kb

0.003A

COMMON

Synchronous

18b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V424YS12PH
IDT71V424YS12PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

e3

yes

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

unknown

30

R-PDSO-G44

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.17mA

512KX8

3-STATE

8

0.02A

4194304 bit

12 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

7054L35PRF8
7054L35PRF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

250mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2001

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

5V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

5V

COMMERCIAL

Parallel

4

35 ns

3-STATE

12b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V3557S80PFG
71V3557S80PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

250mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECHTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

95MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

8 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7054L20PRF8
7054L20PRF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

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7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

250mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

5V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

5V

COMMERCIAL

Parallel

4

20 ns

3-STATE

12b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅