品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V65603S100PFGI
71V65603S100PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

270mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2007

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

爆破计数器

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

100MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

1.1MB

1

10 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

无铅

IDT71V65803S133PFI8
IDT71V65803S133PFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2015

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

133MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.32mA

512KX18

3-STATE

18

0.06A

9437184 bit

4.2 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71V2556S166PFGI
71V2556S166PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

360mA

RAM, SRAM

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

QUAD

FLAT

260

1

0.65mm

166MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

无铅

7164S70DB
7164S70DB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

44 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

CDIP

NO

28

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Military grade

Bulk

2011

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

28

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

240

1

2.54mm

5V

MILITARY

Parallel

8kB

1

70 ns

8KX8

3-STATE

13b

64 kb

0.02A

MIL-STD-883 Class B

COMMON

5.5V

4.5V

37.2mm

15.24mm

1.65mm

无

符合RoHS标准

含铅

7140LA25J8
7140LA25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

2.96261g

170mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

110mA

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

25 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

3.63mm

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V67903S85PFI8
IDT71V67903S85PFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

87MHz

0.21mA

512KX18

3-STATE

18

0.07A

9437184 bit

8.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

7025L30J8
7025L30J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

0.3mA

30 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

7006L17PF8
7006L17PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

260mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

16kB

2

17 ns

28b

128 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

709379L7PFG
709379L7PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

440mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

活跃

70°C

0°C

5V

45.45MHz

Parallel

72kB

2

7.5 ns

30b

576 kb

Synchronous

18b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

无铅

IDT71V65802S133PFG8
IDT71V65802S133PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

100

3A991.B.2.A

锡铅

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

1

0.65mm

unknown

133MHz

R-PQFP-G100

不合格

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

512KX18

18

9437184 bit

4.2 ns

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

符合RoHS标准

70V35S20PF8
70V35S20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

200mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

18kB

2

20 ns

8KX18

3-STATE

26b

144 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

18b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

71256L55DB
71256L55DB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

CDIP

28

115mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Military grade

Bulk

2011

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

28

Tin/Lead (Sn63Pb37)

125°C

-55°C

5V

DUAL

240

1

2.54mm

5V

MILITARY

Parallel

1

55 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

0.0005A

MIL-STD-883 Class B

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

5.08mm

37.2mm

15.24mm

1.65mm

无

符合RoHS标准

含铅

70V659S10BF
70V659S10BF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

500mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

10 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

36b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

7133SA90J
7133SA90J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

280mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

90 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

7134SA25J
7134SA25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

280mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75902S75PF
IDT71T75902S75PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2005

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

100MHz

0.275mA

1MX18

3-STATE

18

0.04A

18874368 bit

7.5 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V3379S4PRF
70V3379S4PRF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

460mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

72kB

2

4.2 ns

3-STATE

30b

576 kb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

20mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

7024L20G
7024L20G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

NO

84

RAM, SDR, SRAM

2000

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

20 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

0.0015A

COMMON

2V

5.5V

4.5V

27.94mm

27.94mm

3.68mm

无

符合RoHS标准

含铅

71321SA25TF8
71321SA25TF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

220mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

11b

16 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

10mm

10mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

70T3599S166BF8
70T3599S166BF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

450mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

36b

2.6V

2.4V

15mm

15mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V25761SA200BG
IDT71V25761SA200BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

200MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.36mA

128KX36

3-STATE

36

0.03A

4718592 bit

3.1 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V3379S5PRF
70V3379S5PRF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

360mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

100MHz

COMMERCIAL

Parallel

72kB

2

5 ns

3-STATE

30b

576 kb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

20mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

7019L15PF
7019L15PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

340mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

128kB

2

15 ns

34b

1.1 Mb

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

7007S55J8
7007S55J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

270mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

55 ns

3-STATE

30b

256 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

71V3558SA166BQGI
71V3558SA166BQGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

YES

165

RAM, SRAM

2006

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

166MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

1

0.36mA

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.045A

3.5 ns

COMMON

3.465V

15mm

13mm

1.2mm

无

符合RoHS标准

无铅