IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
IDT71V016SA20PH8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TSOP	YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.B	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm	not_compliant		20	R-PDSO-G44	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1		0.12mA		64KX16	3-STATE	16			0.01A	1048576 bit	20 ns	COMMON			3.15V	3.6V	3V	YES	1.2mm	18.41mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
7006L20JI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	320mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1								INDUSTRIAL	Parallel	16kB	2			20 ns	16KX8			28b	128 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7006L17PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	260mA	RAM, SDR, SRAM			2009			活跃					70°C	0°C			5V													Parallel	16kB	2			17 ns				28b	128 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
709379L7PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	440mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009			活跃					70°C	0°C			5V							45.45MHz						Parallel	72kB	2			7.5 ns				30b	576 kb					Synchronous	18b		5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V9079S7PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	335mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009		no	活跃			EAR99		70°C	0°C			3.3V							45.45MHz						Parallel	32kB	2			7 ns				15b	256 kb					Synchronous	8b		3.6V	3V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V657S12BF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	465mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm			20				COMMERCIAL	Parallel		2			12 ns		3-STATE		30b	1.1 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3589S133BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	400mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL		1	1mm		133MHz					COMMERCIAL	Parallel		2			15 ns	64KX36	3-STATE		16b	2.3 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V		1.7mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71T75602S150PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2012	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	2.5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	150MHz	20	R-PQFP-G100	不合格	2.5V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	0.215mA		512KX36	3-STATE	36			0.04A	18874368 bit	3.8 ns	COMMON			2.38V	2.625V	2.375V		1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
7014S12PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	64		RAM, SDR, SRAM			2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	哑光锡	70°C	0°C			5V	QUAD	鸥翼	260	1	0.8mm			30				COMMERCIAL	Parallel	4.5kB	2			12 ns	4KX9			24b	36 kb								5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7006L20PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	320mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm			20			5V	INDUSTRIAL	Parallel	16kB	2			20 ns	16KX8	3-STATE		28b	128 kb	0.004A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V65802S133BQI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	165		RAM, SRAM			2007	e0			3 (168 Hours)	165	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	not_compliant	133MHz	20		不合格	2.53.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	0.3mA		512KX18	3-STATE	18			0.06A	9437184 bit	4.2 ns	COMMON				3.465V	3.135V		1.2mm	15mm	13mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V256SA20YI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	28		RAM, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel (TR)	2010	e0	no		3 (168 Hours)	28	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30		不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel				0.085mA		32KX8	3-STATE	8			0.002A	262144 bit	20 ns	COMMON			3V	3.6V	3V		3.556mm	17.9324mm	7.5184mm			Non-RoHS Compliant
7025L55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	210mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2			55 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V2558S166PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	166MHz	20	R-PQFP-G100	不合格	2.53.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	0.35mA		128KX36	3-STATE	36			0.04A	4718592 bit	3.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V2558S133BG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		BGA	YES	119		RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	119	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27mm		133MHz	未说明		不合格	2.53.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	0.3mA		256KX18	3-STATE	18			0.04A	4718592 bit	4.2 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		2.36mm	22mm	14mm			符合RoHS标准
7009L20PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	300mA	RAM, SDR, SRAM			2008			活跃					70°C	0°C			5V													Parallel	128kB	2			20 ns				34b	1 Mb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7026L35J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	255mA	RAM, SDR, SRAM			2009		no	活跃			EAR99		70°C	0°C			5V													Parallel	32kB	2			35 ns				14b	256 kb					Asynchronous	16b		5.5V	4.5V			29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7026L55J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	230mA	RAM, SDR, SRAM			2009		no	活跃			EAR99		70°C	0°C			5V													Parallel	32kB	2			55 ns				14b	256 kb					Asynchronous	16b		5.5V	4.5V			29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V256SA20YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			28	85mA	RAM, SRAM - Asynchronous		卷带	2010	e3			3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1		unknown		30		不合格		INDUSTRIAL	Parallel		1			20 ns	32KX8	3-STATE	8	15b	256 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		3.556mm					符合RoHS标准
70125L25JG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	220mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2008	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	52	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP		5V	QUAD	J BEND	260	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	2.3kB	2			25 ns		3-STATE		22b	18 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	9b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V424S10YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		36	180mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	36		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1								INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1			10 ns		3-STATE		19b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		3.683mm	23.4mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
7024L55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	PLCC	YES	84		RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2			55 ns	4KX16	3-STATE		24b	64 kb	0.0015A			COMMON			2V	5.5V	4.5V		4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V30L35TFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	LQFP	64	145mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				INDUSTRIAL	Parallel	1kB	2			35 ns	1KX8	3-STATE		10b	8 kb				COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		1.6mm	10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V3556SA133BGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	310mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2015	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			133MHz	20				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1			4.2 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.045A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V256SA20YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			28	85mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2010	e3	yes			28	EAR99	哑光锡	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1				30		不合格		INDUSTRIAL	Parallel		1			20 ns	32KX8		8	15b	256 kb					Asynchronous	8b		3.6V	3V		3.556mm					符合RoHS标准