品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

电源电压

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

工作电源电压

电源电压-最大值(Vsup)

电源

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

界面

最大电源电压

最小电源电压

内存大小

端口的数量

电源电流

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

709089L15PF
709089L15PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

QUAD

FLAT

240

1

5V

0.5mm

28.5MHz

20

100

5V

5V

COMMERCIAL

Parallel

5.5V

4.5V

64kB

2

285mA

15 ns

64KX8

3-STATE

32b

512 kb

0.005A

COMMON

Synchronous

8b

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V34S25PF8
70V34S25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

QUAD

鸥翼

240

1

3.3V

0.5mm

20

100

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

3.6V

3V

9kB

2

190mA

25 ns

4KX18

3-STATE

24b

72 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

18b

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V124SA10PH8
IDT71V124SA10PH8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2007

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

DUAL

鸥翼

225

1

3.3V

1.27mm

not_compliant

30

32

R-PDSO-G32

不合格

3.6V

3.3V

COMMERCIAL

3.15V

Parallel

0.145mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

10 ns

COMMON

3.15V

1.2mm

20.95mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

71V65803S150BQG8
71V65803S150BQG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

165

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2005

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

流水线结构

BOTTOM

BALL

260

1

3.3V

150MHz

30

165

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

3.465V

3.135V

1.1MB

1

0.325mA

6.7 ns

3-STATE

19b

9 Mb

0.04A

COMMON

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

7014S15J
7014S15J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

LOW POWER STANDBY MODE; BATTERY BACK-UP

QUAD

J BEND

225

1

5V

52

5V

5V

COMMERCIAL

Parallel

5.5V

4.5V

4.5kB

2

250mA

15 ns

4KX9

3-STATE

24b

36 kb

COMMON

Asynchronous

9b

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V37L20PFI
70V37L20PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

中断标志

QUAD

鸥翼

240

1

3.3V

0.5mm

20

100

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

3.6V

3V

72kB

2

220mA

20 ns

3-STATE

30b

576 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

18b

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75702S85BG
IDT71T75702S85BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

RAM, SRAM

2005

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

BOTTOM

BALL

未说明

1

2.5V

1.27mm

not_compliant

未说明

119

不合格

2.625V

2.5V

COMMERCIAL

2.375V

Parallel

SYNCHRONOUS

90MHz

0.225mA

512KX36

3-STATE

36

0.04A

18874368 bit

8.5 ns

COMMON

2.38V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71V35761SA200BQG8
71V35761SA200BQG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

表面贴装

FBGA

165

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

流水线结构

BOTTOM

BALL

260

1

3.3V

200MHz

30

165

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

3.465V

3.135V

1

360mA

3.1 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

7014S15J8
7014S15J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

LOW POWER STANDBY MODE; BATTERY BACK-UP

QUAD

J BEND

225

1

5V

52

5V

5V

COMMERCIAL

Parallel

5.5V

4.5V

4.5kB

2

250mA

15 ns

4KX9

3-STATE

12b

36 kb

COMMON

Asynchronous

9b

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71V632S5PFG
71V632S5PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

288 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2015

e3

yes

Discontinued

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY

QUAD

鸥翼

260

1

3.3V

0.65mm

100MHz

30

100

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

3.63V

3.135V

256kB

1

200mA

5 ns

64KX32

3-STATE

16b

2 Mb

COMMON

Synchronous

32b

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7014S25J
7014S25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

LOW POWER STANDBY MODE; BATTERY BACK-UP

QUAD

J BEND

225

1

5V

52

5V

5V

COMMERCIAL

Parallel

5.5V

4.5V

4.5kB

2

240mA

25 ns

4KX9

3-STATE

24b

36 kb

COMMON

Asynchronous

9b

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT7164L25YI8
IDT7164L25YI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

28

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

28

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

DUAL

J BEND

225

1

5V

1.27mm

not_compliant

30

28

不合格

5.5V

5V

INDUSTRIAL

4.5V

Parallel

0.15mA

8KX8

3-STATE

8

0.00006A

65536 bit

25 ns

COMMON

2V

3.556mm

17.9324mm

7.5184mm

Non-RoHS Compliant

70V659S12BC8
70V659S12BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

BOTTOM

BALL

225

1

3.3V

1mm

256

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

3.45V

3.15V

2

465mA

12 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

36b

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V24S20PF8
70V24S20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

100

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

QUAD

鸥翼

240

1

3.3V

0.5mm

20

100

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

3.6V

3V

8kB

2

20 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

0.005A

COMMON

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V06L25PF8
70V06L25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

QUAD

鸥翼

240

1

3.3V

0.8mm

20

64

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

3.6V

3V

16kB

2

165mA

25 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

COMMON

Asynchronous

8b

2V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V24S35J8
70V24S35J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

RAM, SDR, SRAM

2004

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

QUAD

J BEND

225

1

3.3V

84

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

3.6V

3V

8kB

2

180mA

35 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7005S15J8
7005S15J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

PLCC

68

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2012

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

5.5V

4.5V

8kB

2

15 ns

26b

64 kb

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7014S20J
7014S20J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

LOW POWER STANDBY MODE; BATTERY BACK-UP

QUAD

J BEND

225

1

5V

52

5V

5V

COMMERCIAL

Parallel

5.5V

4.5V

4.5kB

2

245mA

20 ns

4KX9

3-STATE

12b

36 kb

COMMON

Asynchronous

9b

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75702S85PF8
IDT71T75702S85PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2005

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

QUAD

鸥翼

240

1

2.5V

0.65mm

not_compliant

20

100

R-PQFP-G100

不合格

2.625V

2.5V

COMMERCIAL

2.375V

Parallel

SYNCHRONOUS

90MHz

0.225mA

512KX36

3-STATE

36

0.04A

18874368 bit

8.5 ns

COMMON

2.38V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

7025L45J8
7025L45J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; ARBITER; SEMAPHORE

QUAD

J BEND

225

1

5V

84

5V

5V

COMMERCIAL

Parallel

5.5V

4.5V

16kB

2

45 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75702S85PFG8
IDT71T75702S85PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2005

e3

100

3A991.B.2.A

哑光锡

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

QUAD

鸥翼

1

2.5V

0.65mm

100

R-PQFP-G100

不合格

2.625V

2.5V

COMMERCIAL

2.375V

Parallel

SYNCHRONOUS

90MHz

0.225mA

512KX36

3-STATE

36

0.04A

18874368 bit

8.5 ns

COMMON

2.38V

1.6mm

20mm

14mm

符合RoHS标准

71V256SA12PZGI8
71V256SA12PZGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TSSOP

28

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

DUAL

鸥翼

260

1

3.3V

0.55mm

30

28

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

3.6V

3V

32kB

1

90mA

12 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

0.002A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

8mm

11.8mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

7014S20J8
7014S20J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

LOW POWER STANDBY MODE; BATTERY BACK-UP

QUAD

J BEND

225

1

5V

52

5V

5V

COMMERCIAL

Parallel

5.5V

4.5V

4.5kB

2

245mA

20 ns

4KX9

3-STATE

12b

36 kb

COMMON

Asynchronous

9b

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71V416S15BE
71V416S15BE
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TFBGA

48

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2014

e0

no

活跃

4 (72 Hours)

48

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

BOTTOM

BALL

225

1

3.3V

48

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

3.6V

3V

512kB

1

170mA

15 ns

18b

4 Mb

Asynchronous

16b

9mm

9mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

70V25L20PF
70V25L20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

QUAD

鸥翼

240

1

3.3V

0.5mm

20

100

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

3.6V

3V

16kB

2

175mA

20 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅