品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71256SA12YG8
71256SA12YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

544 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

28

160mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2011

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

32kB

1

12 ns

15b

256 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

17.9mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V3577YS75PF8
IDT71V3577YS75PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2006

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

117MHz

0.255mA

128KX36

3-STATE

36

0.03A

4718592 bit

7.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71V256S12YG
71V256S12YG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

28

RAM, SRAM - Asynchronous

2012

70°C

0°C

3.3V

Parallel

1

15b

256 kb

符合RoHS标准

7130LA20TFG8
7130LA20TFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

200mA

RAM, SDR, SRAM

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

1kB

2

20 ns

10b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7132SA25J8
7132SA25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

220mA

RAM, SDR, SRAM

2004

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

2kB

2

25 ns

22b

16 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V08L20PFGI8
70V08L20PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

280mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

64kB

2

20 ns

64KX8

3-STATE

16b

512 kb

0.006A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V2548S133PF8
IDT71V2548S133PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2008

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

133MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.3mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

4.2 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71P72604S200BQG
IDT71P72604S200BQG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

165

950mA

QDR, RAM, SRAM

2006

e1

3 (168 Hours)

165

锡银铜

70°C

0°C

流水线结构

1.8V

BOTTOM

BALL

260

1

1mm

200MHz

30

不合格

COMMERCIAL

Parallel

2

450 ps

36

18b

18 Mb

Synchronous

36b

1.9V

1.7V

15mm

符合RoHS标准

70V37L20PF
70V37L20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

205mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

72kB

2

20 ns

30b

576 kb

Asynchronous

18b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V30S25TF8
71V30S25TF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

150mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

25 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7025S15PF
7025S15PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

310mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

15 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71342SA45J
71342SA45J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

240mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

45 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7132LA20J8
7132LA20J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

200mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2004

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70125S35J
70125S35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

250mA

RAM, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

35 ns

3-STATE

11b

18 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

9b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71V321L25PF8
71V321L25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

100mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

BATTERY BACKUP;AUTOMATIC POWER DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70T633S10BCI8
70T633S10BCI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

445mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

10 ns

3-STATE

38b

9 Mb

COMMON

Asynchronous

18b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V416L10BE8
71V416L10BE8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TFBGA

YES

48

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2014

e0

no

4 (72 Hours)

48

锡铅

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.75mm

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

10 ns

3-STATE

18b

4 Mb

COMMON

3V

3.6V

3V

9mm

9mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

7027S35PF
7027S35PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

295mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

35 ns

3-STATE

30b

512 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71T75802S133PFGI8
71T75802S133PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

215mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

18b

2.38V

2.625V

2.375V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7028L20PF8
7028L20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

300mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

128kB

2

20 ns

32b

1 Mb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V25L20PFGI8
70V25L20PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

100

RAM, SDR, SRAM

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

16kB

2

0.195mA

20 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

0.005A

COMMON

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V35761YSA183BQI
IDT71V35761YSA183BQI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

183MHz

20

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.35mA

128KX36

3-STATE

36

0.035A

4718592 bit

3.3 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

7133LA35PF8
7133LA35PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

250mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

35 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V261L25PFI
70V261L25PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

185mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

85°C

-40°C

3.3V

Parallel

32kB

2

25 ns

28b

256 kb

Asynchronous

16b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT70T633S10DD
IDT70T633S10DD
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TQFP

YES

144

RAM, SRAM

2008

e0

4 (72 Hours)

144

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

not_compliant

30

S-PQFP-G144

不合格

2.52.5/3.3V

COMMERCIAL

Parallel

2

ASYNCHRONOUS

0.405mA

512KX18

3-STATE

18

0.01A

9437184 bit

10 ns

COMMON

2.4V

2.6V

2.4V

1.6mm

20mm

20mm

Non-RoHS Compliant