IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	电压	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
71342LA45J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	PLCC	YES	52		RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL		Parallel	4kB	2				45 ns	4KX8	3-STATE		24b	32 kb	0.0015A			COMMON			2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3319S166BF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	9 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装			208	500mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm		50MHz					COMMERCIAL		Parallel	512kB	2				12 ns		3-STATE		18b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V		1.7mm	15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
709279L12PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	305mA	RAM, SDR, SRAM			2009			活跃					70°C	0°C			5V							33.3MHz							Parallel	64kB	2				12 ns				30b	512 kb					Synchronous	16b		5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT6116LA35SOGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC		24	95mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2008	e3			1 (Unlimited)	24	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL	鸥翼	260	1		unknown		30		不合格	5V	INDUSTRIAL		Parallel		1				35 ns	2KX8	3-STATE	8	11b	16 kb				COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		2.65mm					符合RoHS标准
7132SA100P	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP		48	155mA	SDR		Bulk	2010			Discontinued					70°C	0°C			5V														Parallel	2kB	2				100 ns				22b	16 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71P72604S167BQGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			165	900mA	QDR, RAM, SRAM			2006								85°C	-40°C			1.8V							167MHz							Parallel		2				500 ps				18b	18 Mb					Synchronous	36b		1.9V	1.7V							符合RoHS标准
70V3379S5BFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	415mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm		100MHz	20				INDUSTRIAL		Parallel		2				5 ns		3-STATE		30b	576 kb	0.03A			COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71321SA55J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	155mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL		Parallel	2kB	2				55 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7006L25G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔		68	220mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2008			活跃					70°C	0°C			5V														Parallel	16kB	2				25 ns				28b	128 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			29.46mm	29.46mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT6116LA25SO8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		SOIC	YES	24		RAM, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel (TR)	2008	e0			1 (Unlimited)	24	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C		8542.32.00.41	5V	DUAL	鸥翼	225	1	1.27mm	not_compliant		30	R-PDSO-G24	不合格	5V	COMMERCIAL		Parallel		1			0.11mA		2KX8	3-STATE	8			0.00002A	16384 bit	25 ns	COMMON			2V	5.5V	4.5V	YES	2.65mm	15.4mm	7.5mm			Non-RoHS Compliant
71V3559S80BQG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	11 Weeks		YES	165		RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1				30				COMMERCIAL		Parallel		1		95MHz	0.25mA			3-STATE		18b	4.5 Mb	0.04A		8 ns	COMMON				3.465V				15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71016S20PHI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	2 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TSOP		44	170mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2010	e0	no		3 (168 Hours)	44			85°C	-40°C			5V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm	not_compliant		20		不合格	5V	INDUSTRIAL	5V	Parallel		1				20 ns		3-STATE	16	16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V							Non-RoHS Compliant
70V25S35PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	180mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				COMMERCIAL		Parallel	16kB	2				35 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V25L25J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	165mA	RAM, SRAM			2008	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		3.3V	QUAD	J BEND	225	1								COMMERCIAL		Parallel		2				25 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71P71604S250BQG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	165		DDR, RAM, SRAM			2007	e1			3 (168 Hours)	165	3A991.B.2.A	锡银铜	70°C	0°C		8542.32.00.41	1.8V	BOTTOM	BALL	260	1	1mm		250MHz	30		不合格		COMMERCIAL		Parallel			SYNCHRONOUS				512KX36		36				18874368 bit	0.45 ns					1.9V	1.7V		1.2mm	15mm	13mm			符合RoHS标准
IDT71P72804S167BQGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			165	700mA	QDR, RAM, SRAM			2006	e1			3 (168 Hours)	165		锡银铜	85°C	-40°C	流水线结构		1.8V	BOTTOM	BALL	260	1	1mm		167MHz	30		不合格		INDUSTRIAL		Parallel		2				500 ps	1MX18		18	19b	18 Mb					Synchronous	18b		1.9V	1.7V			15mm				符合RoHS标准
70V9279S12PRF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	128	240mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm		33.3MHz					COMMERCIAL		Parallel	64kB	2				12 ns		3-STATE		15b	512 kb	0.005A			COMMON	Synchronous	16b	3V	3.6V	3V		1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7143LA55PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	250mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2013			活跃					70°C	0°C			5V														Parallel		2				55 ns				22b	32 kb					Asynchronous	16b		5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9079L12PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100		RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		33.3MHz	20				INDUSTRIAL		Parallel		2				25 ns		3-STATE		15b	256 kb				COMMON	Synchronous	8b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V432S6PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2014	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.B	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant		20	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	COMMERCIAL		Parallel		1	SYNCHRONOUS	83MHz	0.18mA		32KX32	3-STATE	32			0.015A	1048576 bit	6 ns	COMMON			3.14V	3.63V	3.135V	YES	1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V3579S80PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2005	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant		20	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	INDUSTRIAL		Parallel			SYNCHRONOUS	100MHz	0.21mA		256KX18	3-STATE	18			0.035A	4718592 bit	8 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
7054L25PRF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	128	250mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20			5V	COMMERCIAL		Parallel		4				25 ns		3-STATE		12b	32 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V	YES	1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3579YS65PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM			2006	e3			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	unknown		30	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	COMMERCIAL		Parallel			SYNCHRONOUS	133MHz	0.3mA		256KX18	3-STATE	18			0.03A	4718592 bit	6.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			符合RoHS标准
IDT71P72804S200BQ8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			165	750mA	QDR, RAM, SRAM		卷带	2006	e0			3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			1.8V	BOTTOM	BALL			1mm	not_compliant	200MHz			不合格				Parallel		2				450 ps	1MX18	3-STATE	18	19b	18 Mb	0.335A			SEPARATE	Synchronous	18b		1.9V	1.7V							Non-RoHS Compliant
70V25L35J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	155mA	RAM, SRAM			2008	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		3.3V	QUAD	J BEND	225	1								COMMERCIAL		Parallel		2				35 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅