品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71421LA20PF8
71421LA20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

360.605934mg

200mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

备用电池

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

110mA

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.4mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71P73604S200BQ
IDT71P73604S200BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

DDR2, RAM, SRAM

2005

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

1.8V

BOTTOM

BALL

1

1mm

not_compliant

200MHz

不合格

1.5/1.81.8V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.7mA

512KX36

3-STATE

36

0.3A

18874368 bit

0.45 ns

COMMON

1.7V

1.9V

1.7V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V3577SA75BQ
IDT71V3577SA75BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2005

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

20

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

117MHz

0.255mA

128KX36

3-STATE

36

0.03A

4718592 bit

7.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

IDT71P72804S250BQG
IDT71P72804S250BQG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

165

QDR, RAM, SRAM

2006

3A991.B.2.A

70°C

0°C

8542.32.00.41

250MHz

Parallel

符合RoHS标准

IDT6116LA45SOI8
IDT6116LA45SOI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

24

95mA

RAM, SRAM - Asynchronous

卷带

2008

e0

1 (Unlimited)

24

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

85°C

-40°C

5V

DUAL

鸥翼

225

1

not_compliant

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

1

45 ns

2KX8

3-STATE

8

11b

16 kb

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

2.65mm

Non-RoHS Compliant

70V3399S133BC8
70V3399S133BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

256

400mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

17b

2.3 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V639S15PRF8
70V639S15PRF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

440mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

COMMERCIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

17b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71P73804S250BQ
IDT71P73804S250BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

DDR2, RAM, SRAM

2005

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

1.8V

BOTTOM

BALL

1

1mm

not_compliant

250MHz

不合格

1.5/1.81.8V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.65mA

1MX18

3-STATE

18

0.325A

18874368 bit

0.45 ns

COMMON

1.7V

1.9V

1.7V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

IDT6116LA45TPGI
IDT6116LA45TPGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

PDIP

24

95mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2008

e3

1 (Unlimited)

24

EAR99

哑光锡

85°C

-40°C

5V

DUAL

260

1

2.54mm

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

1

45 ns

2KX8

3-STATE

8

11b

16 kb

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

符合RoHS标准

IDT71T75602S200PF8
IDT71T75602S200PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2010

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

200MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.275mA

512KX36

3-STATE

36

0.04A

18874368 bit

3.2 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71421LA20PF
71421LA20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

360.605934mg

200mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

备用电池

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

110mA

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.4mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71P72804S200BQG
IDT71P72804S200BQG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

165

750mA

QDR, RAM, SRAM

2006

e1

3 (168 Hours)

165

锡银铜

70°C

0°C

流水线结构

1.8V

BOTTOM

BALL

260

1

1mm

200MHz

30

不合格

COMMERCIAL

Parallel

2

450 ps

1MX18

18

19b

18 Mb

Synchronous

18b

1.9V

1.7V

15mm

符合RoHS标准

71V65603S133BGGI8
71V65603S133BGGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

320mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2007

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V67602S150PF8
IDT71V67602S150PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

150MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.325mA

256KX36

3-STATE

36

0.05A

9437184 bit

3.8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT6116LA35SOGI8
IDT6116LA35SOGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

24

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2008

e3

1 (Unlimited)

24

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

鸥翼

260

1

1.27mm

30

R-PDSO-G24

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.095mA

2KX8

3-STATE

8

0.00002A

16384 bit

35 ns

COMMON

2V

5.5V

4.5V

2.65mm

15.4mm

7.5mm

符合RoHS标准

7008S55PFI
7008S55PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

310mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2010

活跃

85°C

-40°C

5V

Parallel

64kB

2

55 ns

32b

512 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7132SA20J
7132SA20J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

250mA

RAM, SDR, SRAM

2007

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

2kB

2

20 ns

22b

16 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT6116LA35TPG
IDT6116LA35TPG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

24

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e3

24

EAR99

哑光锡

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

260

1

2.54mm

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.095mA

2KX8

3-STATE

8

0.00002A

16384 bit

35 ns

COMMON

2V

5.5V

4.5V

YES

4.191mm

31.75mm

7.62mm

符合RoHS标准

7133SA25PF8
7133SA25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

300mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V9389L9PRFI8
70V9389L9PRFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

240mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

40MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2

20 ns

64KX18

3-STATE

16b

1.1 Mb

COMMON

Synchronous

18b

3V

3.6V

3V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V657S10BC8
70V657S10BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

500mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

COMMERCIAL

Parallel

2

10 ns

3-STATE

30b

1.1 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

36b

3.45V

3.15V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7140LA25PF8
7140LA25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

170mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

25 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V2548S100BG
IDT71V2548S100BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2008

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

100MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.25mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

70T633S12BC
70T633S12BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

355mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

2

12 ns

3-STATE

38b

9 Mb

0.01A

COMMON

Asynchronous

18b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70T659S12BFI8
70T659S12BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

395mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

INDUSTRIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅