品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

7028L15PFG8
7028L15PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

100

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

哑光锡

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

15 ns

64KX16

32b

1 Mb

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7130LA20PFG
7130LA20PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

200mA

RAM, SDR, SRAM

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

1kB

2

20 ns

20b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V424L15Y8
IDT71V424L15Y8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

36

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

36

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.145mA

512KX8

3-STATE

8

0.01A

4194304 bit

15 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

3.683mm

23.495mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

70V3389S6BF
70V3389S6BF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

310mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

83.3MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

6 ns

64KX18

3-STATE

32b

1.1 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

709089L12PF8
709089L12PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

657.000198mg

305mA

RAM, SDR, SRAM

2010

no

活跃

70°C

0°C

5V

33.3MHz

305mA

Parallel

64kB

2

12 ns

32b

512 kb

Synchronous

8b

5.5V

4.5V

1.4mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V659S10BC8
70V659S10BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

500mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

COMMERCIAL

Parallel

2

10 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

36b

3.45V

3.15V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7027S35PF
7027S35PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

295mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

35 ns

3-STATE

30b

512 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71T75802S133PFGI8
71T75802S133PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

215mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

18b

2.38V

2.625V

2.375V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V38L20PF8
70V38L20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

205mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

20 ns

64KX18

3-STATE

32b

1.1 Mb

0.003A

COMMON

Asynchronous

18b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7015L35J
7015L35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

210mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

35 ns

8KX9

3-STATE

26b

72 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V2559S85PF
IDT71V2559S85PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5/3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

90MHz

0.225mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

8.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

7140LA25J
7140LA25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

2.96261g

170mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

110mA

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

25 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

3.63mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V658S12BFI
70V658S12BFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

515mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

256kB

2

12 ns

64KX36

3-STATE

32b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

36b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71T75802S150PFG8
71T75802S150PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

215mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

2.5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

150MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1

3.8 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

2.38V

2.625V

2.375V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7130SA35C
7130SA35C
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

DIP

48

165mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2005

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

1kB

2

35 ns

20b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

61.72mm

15.24mm

3.3mm

符合RoHS标准

含铅

70V24L25PF8
70V24L25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

100

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

0.165mA

25 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

COMMON

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V35761YSA183BQ
IDT71V35761YSA183BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

183MHz

20

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.34mA

128KX36

3-STATE

36

0.03A

4718592 bit

3.3 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

71342SA25PF8
71342SA25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

64

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.015A

COMMON

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71321SA45J8
71321SA45J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; ARBITER

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

0.19mA

45 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V261S55PF
70V261S55PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

140mA

RAM, SDR, SRAM

2001

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

32kB

2

55 ns

28b

256 kb

Asynchronous

16b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V30S35TF
71V30S35TF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

LQFP

64

145mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

0.5mm

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

35 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT70824L25PFI8
IDT70824L25PFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

80

RAM

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

S-PQFP-G80

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

ASYNCHRONOUS

4KX16

16

65536 bit

25 ns

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V632S5PFI
IDT71V632S5PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

100

200mA

RAM, SRAM

2015

e0

3 (168 Hours)

100

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

100MHz

20

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

1

5 ns

64KX32

3-STATE

32

16b

2 Mb

COMMON

Synchronous

32b

3.63V

3.135V

20mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V2558S200PF8
IDT71V2558S200PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

200MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.4mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

3.2 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V25L20PFGI8
70V25L20PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

100

RAM, SDR, SRAM

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

16kB

2

0.195mA

20 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

0.005A

COMMON

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅