品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

IDT71016S15PHI8
IDT71016S15PHI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2010

e0

no

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

R-PDSO-G44

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.18mA

64KX16

3-STATE

16

0.01A

1048576 bit

15 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

7143SA35PF8
7143SA35PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

295mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

2

35 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3319S133PRF
70V3319S133PRF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

400mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

4.2 ns

3-STATE

36b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V38L20PFI
70V38L20PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

220mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

2

20 ns

64KX18

3-STATE

32b

1.1 Mb

0.003A

COMMON

Asynchronous

18b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT6116SA20SOI
IDT6116SA20SOI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

24

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

1 (Unlimited)

24

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

not_compliant

30

R-PDSO-G24

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.13mA

2KX8

3-STATE

8

0.002A

16384 bit

20 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

2.65mm

15.4mm

7.5mm

Non-RoHS Compliant

71V632S5PFGI8
71V632S5PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

200mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2015

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

100MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

1

5 ns

64KX32

3-STATE

16b

2 Mb

COMMON

Synchronous

32b

3.63V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V416VS12BE
IDT71V416VS12BE
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TFBGA

YES

48

RAM, SRAM - Asynchronous

2005

e1

yes

3 (168 Hours)

48

3A991.B.2.A

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.75mm

30

S-PBGA-B48

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.18mA

256KX16

3-STATE

16

0.02A

4194304 bit

12 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

9mm

9mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V67602S150BQI
IDT71V67602S150BQI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

150MHz

20

不合格

2.53.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.325mA

256KX36

3-STATE

36

0.05A

9437184 bit

3.8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V2559S80BG
IDT71V2559S80BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

未说明

不合格

2.5/3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

95MHz

0.25mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

IDT71V256SA12PZI
IDT71V256SA12PZI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSSOP

YES

28

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

e0

3 (168 Hours)

28

EAR99

锡铅

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

240

1

0.55mm

20

R-PDSO-G28

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

32KX8

8

262144 bit

12 ns

3.6V

3V

1.2mm

11.8mm

8mm

Non-RoHS Compliant

71V35761S200BG8
71V35761S200BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

BGA

119

360mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

no

Discontinued

70°C

0°C

3.3V

200MHz

Parallel

1

3.1 ns

17b

4.5 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

7143SA20PF8
7143SA20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

310mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

2

20 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V9389L9PRFI
70V9389L9PRFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

240mA

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

40MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2

20 ns

64KX18

3-STATE

32b

1.1 Mb

COMMON

Synchronous

18b

3V

3.6V

3V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V416VS10Y
IDT71V416VS10Y
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2005

e3

yes

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

1.27mm

30

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.2mA

256KX16

3-STATE

16

0.02A

4194304 bit

10 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

3.683mm

28.575mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V2556S133BG8
IDT71V2556S133BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

133MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.3mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

4.2 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

70V9079S9PF
70V9079S9PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

260mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

活跃

70°C

0°C

3.3V

40MHz

Parallel

32kB

2

9 ns

30b

256 kb

Synchronous

8b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7133LA35PF
7133LA35PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

250mA

RAM, SDR, SRAM

2008

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

4kB

2

35 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71342LA55J8
71342LA55J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

200mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

55 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71V416L12BEG8
71V416L12BEG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TFBGA

48

170mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2012

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

48

锡银铜

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.75mm

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

12 ns

3-STATE

18b

4 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

9mm

9mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

70V261S25PF
70V261S25PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

170mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

25 ns

16KX16

3-STATE

28b

256 kb

0.006A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V2548S150PF
IDT71V2548S150PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2008

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

150MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.325mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

3.8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70T659S12BC
70T659S12BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

355mA

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.01A

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V2556S166BG
IDT71V2556S166BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

166MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.35mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

3.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

70V27L55PF
70V27L55PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

180mA

RAM, SDR, SRAM

2012

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

64kB

2

55 ns

30b

512 kb

Asynchronous

16b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V06L15JG8
70V06L15JG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

185mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2000

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

68

EAR99

哑光锡

70°C

0°C

3.3V

QUAD

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

2

15 ns

16KX8

28b

128 kb

Asynchronous

8b

3.6V

3V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

无铅