IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
70V9179L9PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	260mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2004	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水或流水线结构		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		40MHz	20				COMMERCIAL	Parallel		2				20 ns		3-STATE		30b	288 kb	0.003A			COMMON	Synchronous	9b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3577S80PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2005	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant		20	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	100MHz	0.21mA		128KX36	3-STATE	36			0.035A	4718592 bit	8 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
70261L55PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	230mA	RAM, SDR, SRAM			2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20			5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	2				55 ns	16KX16	3-STATE		28b	256 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7132LA55J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	110mA	RAM, SDR, SRAM			2004	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2				55 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V256SA20YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			28	85mA	RAM, SRAM - Asynchronous		卷带	2010	e3			3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1		unknown		30		不合格		COMMERCIAL	Parallel		1				20 ns	32KX8	3-STATE	8	15b	256 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V	YES	3.556mm					符合RoHS标准
IDT71V424S10PH	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TSOP	YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous			2009	e0	no		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm			20	R-PDSO-G44	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel					0.18mA		512KX8	3-STATE	8			0.02A	4194304 bit	10 ns	COMMON			3V	3.6V	3V		1.2mm	18.41mm	10.16mm			符合RoHS标准
7006L55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	210mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2				55 ns	16KX8	3-STATE		26b	128 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V25S15PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	215mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				COMMERCIAL	Parallel	16kB	2				15 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130LA25PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	220mA	RAM, SDR, SRAM			2005			活跃					85°C	-40°C			5V													Parallel	1kB	2				25 ns				20b	8 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7142LA35P	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP		48	120mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2010			Discontinued					70°C	0°C			5V													Parallel	2kB	2				35 ns				22b	16 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V657S10BFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	500mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.8mm			30				COMMERCIAL	Parallel		2				10 ns		3-STATE		15b	1.1 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70T3519S166BFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks				208		166MHz	RAM, SDR, SRAM	Bulk	2009			活跃					70°C	0°C			2.5V							166MHz						Parallel	1.1MB	2				3.6 ns				36b	9 Mb								2.6V	2.4V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V658S10BFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks		YES	208		RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.8mm			30				COMMERCIAL	Parallel		2			0.5mA		64KX36	3-STATE		32b	2.3 Mb	0.015A		10 ns	COMMON			3.15V	3.45V	3.15V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V424S15Y8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	36		RAM, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel (TR)	2009	e0			3 (168 Hours)	36	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND		1	1.27mm	not_compliant				不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.16mA		512KX8	3-STATE	8			0.02A	4194304 bit	15 ns	COMMON			3V	3.6V	3V	YES	3.683mm	23.495mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
71V30S25TF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	150mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				COMMERCIAL	Parallel	1kB	2				25 ns	1KX8	3-STATE		20b	8 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		1.6mm	10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025S15PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	310mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20			5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2				15 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71342SA45J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	240mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2				45 ns	4KX8	3-STATE		24b	32 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7132LA20J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	200mA	RAM, SDR, SRAM		Tape & Reel	2004	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2				20 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70125S35J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	250mA	RAM, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel		2				35 ns		3-STATE		11b	18 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	9b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V321L25PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	100mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	BATTERY BACKUP;AUTOMATIC POWER DOWN		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm			20				COMMERCIAL	Parallel	2kB	2				25 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T633S10BCI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	445mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm			20				INDUSTRIAL	Parallel		2				10 ns		3-STATE		38b	9 Mb				COMMON	Asynchronous	18b		2.6V	2.4V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V416L10BE8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TFBGA	YES	48		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2014	e0	no		4 (72 Hours)	48		锡铅	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.75mm							COMMERCIAL	Parallel	512kB	1				10 ns		3-STATE		18b	4 Mb				COMMON			3V	3.6V	3V			9mm	9mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V27L15PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	225mA	RAM, SDR, SRAM			2012			活跃					70°C	0°C			3.3V													Parallel	64kB	2				15 ns				30b	512 kb					Asynchronous	16b		3.6V	3V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V659S12BFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	515mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm			20				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	2				12 ns		3-STATE		34b	4.5 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70261L15PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	100		RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	SEMAPHORE		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20			5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	2				15 ns	16KX16	3-STATE		28b	256 kb	0.005A			COMMON				5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅