品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

电压

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

7140SA35JI8
7140SA35JI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

230mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

1kB

2

35 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.08A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75602S200PF
IDT71T75602S200PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2010

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

200MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.275mA

512KX36

3-STATE

36

0.04A

18874368 bit

3.2 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71V3556SA166BGGI
71V3556SA166BGGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

474 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

360mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2006

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

166MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

71V3556SA166BGGI8
71V3556SA166BGGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

360mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2006

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

166MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

70121S25J
70121S25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

PLCC

YES

52

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

5V

Parallel

2.3kB

2

25 ns

3-STATE

22b

18 kb

0.015A

COMMON

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V2558S166PF
IDT71V2558S166PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

166MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.53.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.35mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

3.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V639S12BF8
70V639S12BF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

465mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

17b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V24S35J
70V24S35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

180mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

35 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V2556S100BG8
IDT71V2556S100BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

100MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.25mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

IDT71256SA12YI
IDT71256SA12YI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

3534 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

28

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

e0

no

3 (168 Hours)

28

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.16mA

32KX8

3-STATE

8

0.015A

262144 bit

12 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

3.556mm

17.9324mm

7.5184mm

Non-RoHS Compliant

70V9089L9PF
70V9089L9PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

225mA

RAM, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

3.3V

40MHz

Parallel

2

20 ns

16b

512 kb

Synchronous

8b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V424YS12PH8
IDT71V424YS12PH8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

240

1

0.8mm

not_compliant

30

R-PDSO-G44

不合格

COMMERCIAL

Parallel

512KX8

8

4194304 bit

12 ns

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT71T75602S166PFI
IDT71T75602S166PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2015

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

166MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.265mA

512KX36

3-STATE

36

0.06A

18874368 bit

3.5 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71016S20Y8
IDT71016S20Y8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2010

e0

no

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.17mA

64KX16

3-STATE

16

0.01A

1048576 bit

20 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

YES

3.683mm

28.575mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

7009L20PFGI8
7009L20PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

360mA

RAM, SDR, SRAM

2008

活跃

85°C

-40°C

5V

Parallel

128kB

2

20 ns

17b

1 Mb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V124SA15PHGI8
71V124SA15PHGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TSOP

32

120mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

30

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

15 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

20.95mm

10.16mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

70V06L20JGI
70V06L20JGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

195mA

RAM, SRAM

Bulk

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

68

EAR99

哑光锡

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

J BEND

260

1

INDUSTRIAL

Parallel

2

20 ns

16KX8

28b

128 kb

Asynchronous

8b

3.6V

3V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

无铅

IDT70824S35PF
IDT70824S35PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

80

RAM

2009

e0

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

S-PQFP-G80

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

ASYNCHRONOUS

0.34mA

4KX16

16

0.015A

65536 bit

35 ns

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71T75902S80BG8
IDT71T75902S80BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2005

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

2.5V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

未说明

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

95MHz

0.25mA

1MX18

3-STATE

18

0.04A

18874368 bit

8 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70121L25JG8
70121L25JG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

PLCC

YES

52

RAM, SDR, SRAM

2008

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

52

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

J BEND

260

1

未说明

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

2.3kB

2

ASYNCHRONOUS

25 ns

3-STATE

22b

18 kb

0.005A

COMMON

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

无铅

7132SA55J8
7132SA55J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

155mA

RAM, SDR, SRAM

2004

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

2kB

2

55 ns

22b

16 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7014S20PF
7014S20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

245mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

4.5kB

2

20 ns

4KX9

3-STATE

24b

36 kb

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75902S80BGG8
IDT71T75902S80BGG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2005

e1

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

锡银铜

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

1.27mm

30

不合格

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

1MX18

18

18874368 bit

8 ns

2.625V

2.375V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

IDT71V2559S85BG
IDT71V2559S85BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

未说明

不合格

2.5/3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

90MHz

0.225mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

8.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

IDT71V416L10BEGI
IDT71V416L10BEGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TFBGA

48

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

85°C

-40°C

3.3V

Parallel

1

10 ns

18b

4 Mb

Asynchronous

16b

3.6V

3V

符合RoHS标准