品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

螺纹距离

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

70V7599S166BC
70V7599S166BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

790mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

20 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

70V9079S12PF
70V9079S12PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

240mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

33.3MHz

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

12 ns

30b

256 kb

Synchronous

8b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

7005S55PF8
7005S55PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

250mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

55 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

70T633S10BFI
70T633S10BFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

445mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

INDUSTRIAL

Parallel

1.1MB

2

10 ns

3-STATE

38b

9 Mb

COMMON

Asynchronous

18b

2.6V

2.4V

1.5mm

15mm

15mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

71V67803S150BQ8
71V67803S150BQ8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

165

305mA

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

165

锡铅

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

150MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

3.8 ns

3-STATE

19b

9 Mb

0.05A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V124SA10TYGI8
IDT71V124SA10TYGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2007

e3

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

1.27mm

unknown

30

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.15mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

10 ns

COMMON

3.15V

3.6V

3.15V

3.7592mm

20.955mm

7.62mm

符合RoHS标准

71421LA20J
71421LA20J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

200mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

7014S25J8
7014S25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

240mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

LOW POWER STANDBY MODE; BATTERY BACK-UP

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4.5kB

2

25 ns

4KX9

3-STATE

12b

36 kb

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

7014S25PF8
7014S25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

240mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

4.5kB

2

25 ns

4KX9

3-STATE

24b

36 kb

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

7143LA20PF8
7143LA20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

280mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

2

20 ns

11b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

70V9169L7PF8
70V9169L7PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

280mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

45.45MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

2

18 ns

16KX9

3-STATE

28b

144 kb

0.003A

COMMON

Synchronous

9b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V65602S150BG8
IDT71V65602S150BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

150MHz

未说明

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.325mA

256KX36

3-STATE

36

0.04A

9437184 bit

3.8 ns

COMMON

3V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

7142SA100J8
7142SA100J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

155mA

RAM, SDR, SRAM

2004

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

2kB

2

100 ns

22b

16 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71P71604S250BQ8
IDT71P71604S250BQ8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

DDR, RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

8542.32.00.41

1.8V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

250MHz

20

不合格

1.5/1.81.8V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.8mA

512KX36

3-STATE

36

0.325A

18874368 bit

0.45 ns

COMMON

1.7V

1.9V

1.7V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

7008S25J
7008S25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

305mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

25 ns

64KX8

3-STATE

32b

512 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V124SA10TY
IDT71V124SA10TY
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

500 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.145mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

10 ns

COMMON

3.15V

3.6V

3.15V

3.7592mm

20.955mm

7.62mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V124SA12YI8
IDT71V124SA12YI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

32

140mA

RAM, SRAM - Asynchronous

卷带

2007

e0

3 (168 Hours)

32

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

not_compliant

30

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

1

12 ns

3-STATE

8

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

3.683mm

20.955mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V25761S166PF
IDT71V25761S166PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

100

320mA

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

100

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

166MHz

20

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

3.5 ns

3-STATE

36

17b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V632S5PF8
IDT71V632S5PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2015

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

1

SYNCHRONOUS

100MHz

0.2mA

64KX32

3-STATE

32

0.015A

2097152 bit

5 ns

COMMON

3.14V

3.63V

3.135V

YES

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71V65903S85PFGI8
71V65903S85PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

60mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2005

活跃

85°C

-40°C

3.3V

91MHz

Parallel

1

8.5 ns

19b

9 Mb

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

无铅

71V416S12BE
71V416S12BE
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TFBGA

48

180mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2012

e0

no

活跃

4 (72 Hours)

48

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

12 ns

18b

4 Mb

Asynchronous

16b

3.6V

3V

9mm

9mm

1.2mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V65602S150PF8
IDT71V65602S150PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

150MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.325mA

256KX36

3-STATE

36

0.04A

9437184 bit

3.8 ns

COMMON

3V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V124SA15TYI8
IDT71V124SA15TYI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2007

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.12mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

15 ns

COMMON

3V

3.6V

3.15V

3.7592mm

20.955mm

7.62mm

Non-RoHS Compliant

70V7519S200BCG
70V7519S200BCG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

BGA

YES

256

200MHz

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2013

e1

yes

3 (168 Hours)

256

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

流水线或流过式结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

200MHz

1mm

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

2

15 ns

36b

9 Mb

3.45V

3.15V

17mm

17mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

IDT71V65602S150BQ
IDT71V65602S150BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

150MHz

20

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.325mA

256KX36

3-STATE

36

0.04A

9437184 bit

3.8 ns

COMMON

3V

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant