品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

IDT71V424L12YI8
IDT71V424L12YI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

36

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

36

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.155mA

512KX8

3-STATE

8

0.01A

4194304 bit

12 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

3.683mm

23.495mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

71T75802S150BG8
71T75802S150BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

215mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2012

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

150MHz

COMMERCIAL

Parallel

1

3.8 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

71V3556SA100BQ
71V3556SA100BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

表面贴装

165

250mA

RAM, SDR, SRAM

100MHz

2006

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

100MHz

20

250mA

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75802S150PFI8
IDT71T75802S150PFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2015

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

150MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.235mA

1MX18

3-STATE

18

0.045A

18874368 bit

3.8 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

7132LA35FB
7132LA35FB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

48

170mA

RAM, SRAM

Military grade

2010

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

48

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

FLAT

240

1

5V

MILITARY

Parallel

2

35 ns

3-STATE

11b

16 kb

0.004A

MIL-PRF-38535

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

19mm

19mm

2.2mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V424S12PHI8
IDT71V424S12PHI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TSOP

44

170mA

RAM, SRAM - Asynchronous

卷带

2009

e0

3 (168 Hours)

44

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

1

12 ns

3-STATE

8

19b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

Non-RoHS Compliant

70V18L15PF8
70V18L15PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

657.000198mg

235mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

235mA

COMMERCIAL

Parallel

72kB

2

15 ns

64KX9

3-STATE

16b

576 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

9b

3V

3.6V

3V

1.4mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V65903S80BQ8
71V65903S80BQ8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

165

RAM, SRAM

Tape & Reel

2005

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

1

19b

9 Mb

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

71T75602S133BGG8
71T75602S133BGG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

195mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

2.3MB

1

4.2 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

70T3519S166BF
70T3519S166BF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

208

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

2

0.45mA

3.6 ns

3-STATE

36b

9 Mb

0.015A

COMMON

2.6V

2.4V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V2546S100PFG8
71V2546S100PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

TQFP

YES

100

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

100MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

0.25mA

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7024L30J
7024L30J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

PLCC

YES

84

RAM, SDR, SRAM

2001

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

0.3mA

30 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

0.0015A

COMMON

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75702S75PFGI
IDT71T75702S75PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2005

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

锡铅

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

30

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

100MHz

0.295mA

512KX36

3-STATE

36

0.06A

18874368 bit

7.5 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

符合RoHS标准

7006L20PFGI8
7006L20PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

64

RAM, SDR, SRAM

2006

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.8mm

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

16kB

2

20 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.004A

COMMON

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71256S45DB
71256S45DB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

CDIP

28

135mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Military grade

2011

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

28

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

DUAL

240

1

2.54mm

未说明

不合格

5V

MILITARY

Parallel

32kB

1

45 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

0.02A

MIL-STD-883 Class B

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

5.08mm

37.2mm

15.24mm

1.65mm

符合RoHS标准

含铅

71V2556S100PFGI8
71V2556S100PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

260mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

100MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71T75702S80PF
IDT71T75702S80PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2005

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

95MHz

0.25mA

512KX36

3-STATE

36

0.04A

18874368 bit

8 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

7005S45J8
7005S45J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

RAM, SDR, SRAM

2012

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

8kB

2

45 ns

26b

64 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7015L25PF
7015L25PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

80

220mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

25 ns

8KX9

3-STATE

26b

72 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT6116SA25SOI
IDT6116SA25SOI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

24

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

1 (Unlimited)

24

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

not_compliant

30

R-PDSO-G24

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.12mA

2KX8

3-STATE

8

0.002A

16384 bit

25 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

2.65mm

15.4mm

7.5mm

Non-RoHS Compliant

7143SA35PF
7143SA35PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

295mA

RAM, SRAM

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

2

35 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V261L35PF8
70V261L35PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

120mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

32kB

2

35 ns

28b

256 kb

Asynchronous

16b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

709349L6PF
709349L6PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

430mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

52.6MHz

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

6.5 ns

4KX18

3-STATE

24b

72 kb

0.003A

COMMON

Synchronous

18b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3559SA85BG
IDT71V3559SA85BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

未说明

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

90MHz

0.225mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

8.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71T75802S100PFGI
IDT71T75802S100PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2015

e3

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

100MHz

30

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.195mA

1MX18

3-STATE

18

0.06A

18874368 bit

5 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

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