IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)				包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	记忆密度	筛选水平	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态
70V9079L7PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	290mA		RAM, SDR, SRAM	Bulk	2009		no	活跃			EAR99		70°C	0°C			3.3V							45.45MHz						Parallel	32kB	2				7 ns				30b	256 kb					Synchronous	8b		3.6V	3V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V25761S183PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	LQFP	YES	100		RAM, SRAM			Tape & Reel (TR)	2009	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	183MHz	20	R-PQFP-G100	不合格	2.53.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.35mA		128KX36	3-STATE	36			0.035A	4718592 bit	3.3 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V65802S150BG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA	YES	119		RAM, SRAM			Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	119	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27mm	not_compliant	150MHz	未说明		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.325mA		512KX18	3-STATE	18			0.04A	9437184 bit	3.8 ns	COMMON				3.465V	3.135V		2.36mm	22mm	14mm			Non-RoHS Compliant
7164L25TDB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	CDIP	NO	28		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous	Military grade		Bulk	2011	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	28		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C			5V	DUAL	THROUGH-HOLE	240	1	2.54mm						5V	MILITARY	Parallel	8kB	1				25 ns	8KX8	3-STATE		13b	64 kb	0.0002A	MIL-STD-883 Class B		COMMON			2V	5.5V	4.5V			37.72mm	7.62mm	3.56mm	无	符合RoHS标准	含铅
7007L55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	230mA		RAM, SDR, SRAM	Bulk	2008	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	2				55 ns		3-STATE		30b	256 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V424L15PHI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TSOP	YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous				2009	e0	no		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm	not_compliant		20	R-PDSO-G44	不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel					0.145mA		512KX8	3-STATE	8			0.01A	4194304 bit	15 ns	COMMON			3V	3.6V	3V		1.2mm	18.41mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V2559S85BG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA	YES	119		RAM, SRAM			Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	119	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27mm			未说明		不合格	2.53.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	90MHz	0.225mA		256KX18	3-STATE	18			0.04A	4718592 bit	8.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		2.36mm	22mm	14mm			符合RoHS标准
IDT71V65802S150BGG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA	YES	119		RAM, SRAM				2007	e0				119	3A991.B.2.A	锡铅	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL		1	1.27mm	unknown	150MHz			不合格		COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS				512KX18		18				9437184 bit	3.8 ns					3.465V	3.135V		2.36mm	22mm	14mm			符合RoHS标准
IDT71V424S15YI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	36		RAM, SRAM - Asynchronous				2009	e0			3 (168 Hours)	36	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm			30		不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel					0.16mA		512KX8	3-STATE	8			0.02A	4194304 bit	15 ns	COMMON			3V	3.6V	3V		3.683mm	23.495mm	10.16mm			符合RoHS标准
IDT71V25761S166PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TQFP	100	330mA	RAM, SRAM			卷带	2009	e0			3 (168 Hours)	100			85°C	-40°C	流水线结构		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	166MHz	20		不合格		INDUSTRIAL	Parallel		1				3.5 ns		3-STATE	36	17b	4.5 Mb	0.035A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			20mm				Non-RoHS Compliant
70V35L20PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	LQFP	YES	100	RAM, SRAM			Bulk	2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm			30				INDUSTRIAL	Parallel		2			0.195mA		8KX18	3-STATE		26b	144 kb	0.005A			COMMON			3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V9289L9PRFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	128	240mA	83MHz	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm		40MHz					INDUSTRIAL	Parallel	128kB	2				9 ns	64KX16	3-STATE		32b	1 Mb				COMMON	Synchronous	16b	3V	3.6V	3V		1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V424S15Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	36		RAM, SRAM - Asynchronous				2009	e0			3 (168 Hours)	36	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.16mA		512KX8	3-STATE	8			0.02A	4194304 bit	15 ns	COMMON			3V	3.6V	3V	YES	3.683mm	23.495mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
70V34L15PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	185mA		RAM, SDR, SRAM		2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				COMMERCIAL	Parallel	9kB	2				15 ns	4KX18	3-STATE		24b	72 kb				COMMON	Asynchronous	18b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V38L20PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	220mA		RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				INDUSTRIAL	Parallel	128kB	2				20 ns	64KX18	3-STATE		32b	1.1 Mb	0.003A			COMMON	Asynchronous	18b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V65802S133BQ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	165		RAM, SRAM				2007	e0			3 (168 Hours)	165	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	not_compliant	133MHz	20		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.3mA		512KX18	3-STATE	18			0.04A	9437184 bit	4.2 ns	COMMON				3.465V	3.135V		1.2mm	15mm	13mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V416L12YI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous			Tape & Reel (TR)	2007	e0	no		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30		不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel					0.17mA		256KX16	3-STATE	16			0.01A	4194304 bit	12 ns	COMMON			3V	3.6V	3V		3.683mm	28.575mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
70V658S12BFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	208	515mA	RAM, SRAM				2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.8mm			30				INDUSTRIAL	Parallel		2				12 ns	64KX36	3-STATE		16b	2.3 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7024L20J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	240mA		RAM, SDR, SRAM		2000	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2				20 ns	4KX16	3-STATE		24b	64 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V321L25TFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	130mA		RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				INDUSTRIAL	Parallel	2kB	2				25 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	3.6V	3V		1.6mm	10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V30L25TF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	LQFP	64	120mA		RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	备用电池操作		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				COMMERCIAL	Parallel	1kB	2				25 ns	1KX8	3-STATE		20b	8 kb	0.003A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		1.6mm	10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V7519S166DRI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PQFP	208	830mA		RAM, SDR, SRAM	Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn/Pb)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm		166MHz	20				INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	2				20 ns		3-STATE		18b	9 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V		4.1mm	28mm	28mm	3.5mm	无	符合RoHS标准	含铅
709269L9PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	350mA		RAM, SRAM	Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		66.6MHz	20			5V	COMMERCIAL	Parallel		2				20 ns	16KX16	3-STATE		28b	256 kb	0.005A			COMMON	Synchronous	16b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70914S25PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TQFP	80	290mA	RAM, SDR, SRAM				2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	80	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm		40MHz	20			5V	COMMERCIAL	Parallel	4.5kB	2				25 ns	4KX9	3-STATE		24b	36 kb	0.015A			COMMON	Synchronous	9b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V321L35J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	95mA		RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	BATTERY BACKUP;AUTOMATIC POWER DOWN		3.3V	QUAD	J BEND	225	1								COMMERCIAL	Parallel	2kB	2				35 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	3.6V	3V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅