IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	筛选水平	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
70V9079L7PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	290mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009		no	活跃			EAR99		70°C	0°C			3.3V							45.45MHz						Parallel	32kB	2				7 ns				30b	256 kb					Synchronous	8b		3.6V	3V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V25761S183PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2009	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	183MHz	20	R-PQFP-G100	不合格	2.53.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.35mA		128KX36	3-STATE	36			0.035A	4718592 bit	3.3 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V65802S150BG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		BGA	YES	119		RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	119	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27mm	not_compliant	150MHz	未说明		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.325mA		512KX18	3-STATE	18			0.04A	9437184 bit	3.8 ns	COMMON				3.465V	3.135V		2.36mm	22mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V67903S85PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM			2009	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant		20	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	87MHz	0.19mA		512KX18	3-STATE	18			0.05A	9437184 bit	8.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V416VS15Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous			2005	e3	yes		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.A	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	260	1	1.27mm	unknown		30		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel					0.17mA		256KX16	3-STATE	16			0.02A	4194304 bit	15 ns	COMMON			3V	3.6V	3V		3.683mm	28.575mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
709379L12PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	355mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009			活跃					70°C	0°C			5V							33.3MHz						Parallel	72kB	2				12 ns				30b	576 kb					Synchronous	18b		5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V65802S150BQ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	165		RAM, SRAM			2007	e0			3 (168 Hours)	165	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	not_compliant	150MHz	20		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.325mA		512KX18	3-STATE	18			0.04A	9437184 bit	3.8 ns	COMMON				3.465V	3.135V		1.2mm	15mm	13mm			Non-RoHS Compliant
71256SA15YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装		28	150mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2011			活跃					70°C	0°C			5V													Parallel	32kB	1				15 ns				15b	256 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V3558S200PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	200MHz	20	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.4mA		256KX18	3-STATE	18			0.04A	4718592 bit	3.2 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
7005S35JI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	300mA	RAM, SDR, SRAM			2005			活跃					85°C	-40°C			5V													Parallel	8kB	2				35 ns				26b	64 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7005L45J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68		RAM, SDR, SRAM			2012			活跃					70°C	0°C			5V													Parallel	8kB	2				45 ns				26b	64 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
6116LA25TDB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	CDIP		24	85mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous	Military grade	Bulk	2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	24		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C			5V	DUAL		240	1	2.54mm						5V	MILITARY	Parallel	2kB	1				25 ns	2KX8	3-STATE		11b	16 kb	0.0003A	MIL-STD-883 Class B		COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		5.08mm	32.51mm	7.62mm	3.56mm	无	符合RoHS标准	含铅
7024L25GB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	通孔			84	280mA	RAM, SRAM	Military grade	Bulk	2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG	240	1				20			5V	MILITARY	Parallel		2				25 ns	4KX16	3-STATE		24b	64 kb	0.004A	38535Q/M;38534H;883B		COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V			27.94mm	27.94mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
7005S17J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	310mA	RAM, SDR, SRAM			2012	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2				17 ns	8KX8	3-STATE		26b	64 kb	0.17A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130SA55L48B	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	LCC		48	190mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2013			活跃					125°C	-55°C			5V													Parallel	1kB	2				55 ns				20b	8 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			14.2mm	14.22mm	1.78mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025L20G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks		NO	84		RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP		5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG		1								COMMERCIAL	Parallel	16kB	2				20 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.0015A			COMMON				5.5V	4.5V	YES		27.94mm	27.94mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
6116SA70TDB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	CDIP		24	90mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous	Military grade	Bulk	2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	24		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C			5V	DUAL		240	1	2.54mm						5V	MILITARY	Parallel	2kB	1				70 ns	2KX8	3-STATE		11b	16 kb		MIL-STD-883 Class B		COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		5.08mm	32.51mm	7.62mm	3.56mm	无	符合RoHS标准	含铅
7015S20J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	290mA	RAM, SDR, SRAM			2010	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	9kB	2				20 ns	8KX9	3-STATE		26b	72 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	9b		5.5V	4.5V		4.57mm	24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7142LA35L48B	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	LCC	48	170mA	RAM, SRAM		Bulk	2007			活跃					125°C	-55°C			5V													Parallel		2				35 ns				22b	16 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			14.2mm	14.22mm	1.78mm	无	符合RoHS标准	含铅
7005S17G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks			68		RAM, SDR, SRAM			2012			活跃					70°C	0°C			5V													Parallel	8kB	2				17 ns				26b	64 kb								5.5V	4.5V			29.46mm	29.46mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025L20FB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks			YES	84		RAM, SRAM	Military grade		2012	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP		5V	QUAD	FLAT		1								MILITARY	Parallel		2					8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.004A	MIL-PRF-38535		COMMON						YES		29.2mm	29.21mm	2.54mm	无	符合RoHS标准	含铅
7024S55FB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks			YES	84		RAM, SDR, SRAM	Military grade	Bulk	2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	FLAT	240	1							5V	MILITARY	Parallel	8kB	2			0.3mA	55 ns	4KX16	3-STATE		24b	64 kb	0.03A	38535Q/M;38534H;883B		COMMON				5.5V	4.5V		3.556mm	29.2mm	29.21mm	2.54mm	无	符合RoHS标准	含铅
7024L70GB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				NO	84		RAM, SRAM	Military grade	Bulk	2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG	240	1				20			5V	MILITARY	Parallel		2					4KX16	3-STATE		24b	64 kb	0.004A	38535Q/M;38534H;883B	70 ns	COMMON			2V					27.94mm	27.94mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
7132LA100J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	110mA	RAM, SDR, SRAM			2004	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2				100 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7133LA35GB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	通孔			68	295mA	RAM, SDR, SRAM	Military grade	Bulk	2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C			5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG	240	1				20			5V	MILITARY	Parallel	4kB	2				35 ns		3-STATE		22b	32 kb	0.004A	MIL-PRF-38535		COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V			29.46mm	29.46mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅