品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

时间@峰值回流温度-最大值(s)

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

筛选水平

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

7133SA55GB
7133SA55GB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

NO

68

RAM, SDR, SRAM

Military grade

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

20

5V

MILITARY

Parallel

4kB

2

0.315mA

55 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.015A

MIL-PRF-38535

COMMON

2V

5.5V

4.5V

29.46mm

29.46mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

7130SA35L48B
7130SA35L48B
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

表面贴装

LCC

48

230mA

RAM, SRAM

Bulk

2013

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

2

35 ns

20b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

14.2mm

14.22mm

1.78mm

符合RoHS标准

含铅

7140SA35CB
7140SA35CB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

通孔

DIP

48

230mA

RAM, SRAM

Bulk

2013

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

2

35 ns

10b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

61.72mm

15.24mm

3.3mm

符合RoHS标准

含铅

7028L20PFGI8
7028L20PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

100

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

哑光锡

85°C

-40°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

2

20 ns

64KX16

32b

1 Mb

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7132SA55L48B
7132SA55L48B
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

表面贴装

LCC

48

190mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2007

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

2kB

2

55 ns

22b

16 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

14.2mm

14.22mm

1.78mm

符合RoHS标准

含铅

70V05S25J8
70V05S25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

190mA

RAM, SDR, SRAM

2006

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

25 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7133SA70G
7133SA70G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

68

280mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

70 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

29.46mm

29.46mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

70V07S55J8
70V07S55J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

140mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

2

55 ns

3-STATE

15b

256 kb

0.006A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7143LA20J8
7143LA20J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

280mA

RAM, SDR, SRAM

2013

no

活跃

EAR99

70°C

0°C

5V

Parallel

4kB

2

20 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7006L35J
7006L35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

210mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

35 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7143SA35J
7143SA35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

295mA

RAM, SDR, SRAM

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

4kB

2

35 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V07S25J
70V07S25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

170mA

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

2

25 ns

3-STATE

30b

256 kb

0.006A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7143SA20J8
7143SA20J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

310mA

RAM, SDR, SRAM

2013

no

活跃

EAR99

70°C

0°C

5V

Parallel

4kB

2

20 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7005S25J8
7005S25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

265mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

25 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7015S15J8
7015S15J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

310mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

15 ns

8KX9

3-STATE

26b

72 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7132LA35C
7132LA35C
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

DIP

48

120mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2007

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

2kB

2

35 ns

22b

16 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

61.72mm

15.24mm

3.3mm

符合RoHS标准

含铅

7015L15J
7015L15J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

260mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

15 ns

8KX9

3-STATE

26b

72 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7025L70FB
7025L70FB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

84

250mA

RAM, SRAM

Military grade

2012

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

FLAT

1

MILITARY

Parallel

2

70 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

0.004A

MIL-PRF-38535

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

YES

29.2mm

29.21mm

2.54mm

符合RoHS标准

含铅

7134LA35CB
7134LA35CB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

通孔

DIP

48

250mA

RAM, SRAM

Military grade

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

48

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

DUAL

240

1

5V

MILITARY

Parallel

2

35 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.004A

38535Q/M;38534H;883B

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

61.72mm

15.24mm

3.3mm

符合RoHS标准

含铅

7006L17J8
7006L17J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

260mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

17 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7005L15J
7005L15J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

260mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

15 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7016L35J
7016L35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

210mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE; INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

18kB

2

35 ns

16KX9

3-STATE

28b

144 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V05S15J
70V05S15J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

PLCC

YES

68

RAM, SDR, SRAM

2006

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

15 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

0.005A

COMMON

3V

3.6V

3V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7025S35FB
7025S35FB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

84

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2012

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

16kB

2

35 ns

26b

128 kb

5.5V

4.5V

29.2mm

29.21mm

2.54mm

符合RoHS标准

含铅

7133SA45J8
7133SA45J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

290mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

45 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅