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品牌是'IDT' (6623)
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | Current - Supply (Nom) | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源 | 温度等级 | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 操作模式 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 待机电压-最小值 | 电压 - 供电 （最大值） | 电压 - 供电 （最小值） | 组织的记忆 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 器件厚度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||
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 | 70V06L55J | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | PLCC | 68 | 155mA | RAM, SDR, SRAM | 2008 | e0 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 68 | EAR99 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 70°C | 0°C | INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN | 3.3V | QUAD | J BEND | 225 | 1 | COMMERCIAL | Parallel | 16kB | 2 | 55 ns | 16KX8 | 3-STATE | 28b | 128 kb | COMMON | Asynchronous | 8b | 2V | 3.6V | 3V | 4.57mm | 24mm | 24mm | 3.63mm | 无 | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130SA100JI | Integrated Device Technology Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 52 | 52 | 85°C | -40°C | e0 | icon-pbfree no | 3 (168 Hours) | EAR99 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 8542.32.00.41 | 5V | QUAD | J BEND | 225 | 1 | 1.27mm | not_compliant | 未说明 | S-PQCC-J52 | 不合格 | 5V | INDUSTRIAL | 2 | ASYNCHRONOUS | 0.19mA | 1KX8 | 3-STATE | 8 | 0.03A | 8192 bit | 100 ns | PARALLEL | COMMON | DUAL-PORT SRAM | 4.5V | 5.5V | 4.5V | 4.57mm | 19.1262mm | 19.1262mm | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7026L35GB | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | 通孔 | 84 | 295mA | RAM, SDR, SRAM | Military grade | Bulk | 2009 | e0 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 84 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 125°C | -55°C | 5V | PERPENDICULAR | PIN/PEG | 240 | 1 | 20 | 5V | MILITARY | Parallel | 32kB | 2 | 35 ns | 16KX16 | 3-STATE | 14b | 256 kb | 0.01A | MIL-PRF-38535 | COMMON | Asynchronous | 16b | 5.5V | 4.5V | 27.94mm | 27.94mm | 3.68mm | 无 | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71V416S10BEI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 48 | 48 | 256000 | PLASTIC/EPOXY | BGA48,6X8,30 | -40 °C | 10 ns | 85 °C | 无 | 71V416S10BEI | 262144 words | 3.3 V | TFBGA | SQUARE | Integrated Device Technology Inc | Obsolete | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC | 5.41 | BGA | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 9 X 9 MM, BGA-48 | 4 | e0 | 3A991.B.2.A | Tin/Lead (Sn63Pb37) | 8542.32.00.41 | SRAMs | CMOS | BOTTOM | BALL | 1 | 0.75 mm | not_compliant | S-PBGA-B48 | 不合格 | 3.3 V | INDUSTRIAL | ASYNCHRONOUS | 0.2 mA | 256KX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | 0.02 A | 4194304 bit | PARALLEL | COMMON | 标准SRAM | 3 V | 3.6 V | 3 V | 9 mm | 9 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71321LA20PFG | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 64 | 64 | 2000 | PLASTIC/EPOXY | QFP64,.66SQ,32 | 30 | 20 ns | 70 °C | 有 | IDT71321LA20PFG | 2048 words | 5 V | LQFP | SQUARE | Integrated Device Technology Inc | 活跃 | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC | 5.18 | QFP | LQFP, QFP64,.66SQ,32 | FLATPACK, LOW PROFILE | 3 | e3 | 有 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 自动断电 | 8542.32.00.41 | SRAMs | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 260 | 1 | 0.8 mm | compliant | S-PQFP-G64 | 不合格 | 5 V | COMMERCIAL | 2 | ASYNCHRONOUS | 0.2 mA | 2KX8 | 3-STATE | 1.6 mm | 8 | 0.0015 A | 16384 bit | PARALLEL | COMMON | DUAL-PORT SRAM | 2 V | 5.5 V | 4.5 V | 14 mm | 14 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70V5388S100BGI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 272 | 3 | 64000 | PLASTIC/EPOXY | BGA272,20X20,50 | -40 °C | 30 | 3.6 ns | 85 °C | 无 | 70V5388S100BGI | 100 MHz | 65536 words | 3.3 V | BGA | SQUARE | Integrated Device Technology Inc | Obsolete | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC | 5.88 | 27 X 27 MM, 2.33 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, BGA-272 | 网格排列 | e0 | 无 | 3A991.B.2.A | Tin/Lead (Sn63Pb37) | 流水线结构 | 8542.32.00.41 | SRAMs | CMOS | BOTTOM | BALL | 225 | 1 | 1.27 mm | not_compliant | S-PBGA-B272 | 不合格 | 3.3 V | INDUSTRIAL | 4 | SYNCHRONOUS | 0.245 mA | 64KX18 | 3-STATE | 18 | 0.015 A | 1179648 bit | PARALLEL | COMMON | 特殊应用Sram | 3.15 V | 3.45 V | 3.15 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71342SA35JI8 | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 52-LCC (J-Lead) | 52-PLCC (19.13x19.13) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tape & Reel (TR) | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 32Kb (4K x 8) | 35ns | SRAM | Parallel | 35ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71321LA55JI8 | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 52-LCC (J-Lead) | 52-PLCC (19.13x19.13) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tape & Reel (TR) | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 16Kb (2K x 8) | 55ns | SRAM | Parallel | 55ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT70P3519S166BFGI | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 208 | RAM, SRAM | 2009 | 85°C | -40°C | 166MHz | Parallel | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7140LA35PDG | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | 20 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | DIP | 48 | RAM, SRAM | 2013 | 活跃 | 70°C | 0°C | Parallel | 61.7mm | 15.24mm | 3.8mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT70P3517S233RMI | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | FCBGA | QDR, RAM, SRAM | 2006 | 85°C | -40°C | 233MHz | Parallel | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT70P3537S250RM | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | FCBGA | QDR, RAM, SRAM | 2006 | 70°C | 0°C | 250MHz | Parallel | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71024S15TYG8 | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7025S15PFI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100-TQFP (14x14) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tray | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 128Kb (8K x 16) | 15ns | SRAM | Parallel | 15ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7133LA90JI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 68-LCC (J-Lead) | 68-PLCC (24.21x24.21) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tube | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 32Kb (2K x 16) | 90ns | SRAM | Parallel | 90ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70V07L25JG | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 68-LCC (J-Lead) | 68-PLCC (24.21x24.21) | Volatile | 0°C ~ 70°C (TA) | Tube | -- | 活跃 | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 3 V ~ 3.6 V | 256Kb (32K x 8) | 25ns | SRAM | Parallel | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7016S35JI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 68-LCC (J-Lead) | 68-PLCC (24.21x24.21) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tube | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 144Kb (16K x 9) | 35ns | SRAM | Parallel | 35ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7133LA35PFI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100-TQFP (14x14) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tray | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 32Kb (2K x 16) | 35ns | SRAM | Parallel | 35ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70V9079L15PF | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100-TQFP (14x14) | Volatile | 0°C ~ 70°C (TA) | Tray | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Synchronous | 3 V ~ 3.6 V | 256Kb (32K x 8) | 15ns | SRAM | Parallel | -- | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT70V3579S6BC | Integrated Device Technology | 数据表 | 61 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT7027L20PFG | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130SA35JI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 52-LCC (J-Lead) | 52-PLCC (19.13x19.13) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tube | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 8Kb (1K x 8) | 35ns | SRAM | Parallel | 35ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70261L25PFI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100-TQFP (14x14) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tray | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 256Kb (16K x 16) | 25ns | SRAM | Parallel | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71V016SA12PH | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44-TSOP II | IDT, Integrated Device Technology Inc | Bulk | 71V016 | 活跃 | Volatile | 0°C ~ 70°C (TA) | - | SRAM - Asynchronous | 3V ~ 3.6V | 1Mbit | 12 ns | SRAM | Parallel | 12ns | 64K x 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT7164L25YGI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 |
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70V06L55J
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Memory
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7130SA100JI
Integrated Device Technology Inc
分类:Memory
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7026L35GB
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Memory
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71V416S10BEI
Integrated Device Technology
分类:Memory
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IDT71321LA20PFG
Integrated Device Technology
分类:Memory
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70V5388S100BGI
Integrated Device Technology
分类:Memory
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71342SA35JI8
Integrated Device Technology
分类:Memory
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71321LA55JI8
Integrated Device Technology
分类:Memory
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IDT70P3519S166BFGI
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Memory
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7140LA35PDG
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Memory
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IDT70P3517S233RMI
Integrated Device Technology (IDT)
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IDT70P3537S250RM
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Memory
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Integrated Device Technology
分类:Memory
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7025S15PFI
Integrated Device Technology
分类:Memory
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7133LA90JI
Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
分类:Memory
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7016S35JI
Integrated Device Technology
分类:Memory
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7133LA35PFI
Integrated Device Technology
分类:Memory
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70V9079L15PF
Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
分类:Memory
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IDT7027L20PFG
Integrated Device Technology
分类:Memory
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7130SA35JI
Integrated Device Technology
分类:Memory
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70261L25PFI
Integrated Device Technology
分类:Memory
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71V016SA12PH
Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
分类:Memory