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品牌是'IDT' (6623)
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源 | 温度等级 | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 内存IC类型 | 待机电压-最小值 | 电压 - 供电 （最大值） | 电压 - 供电 （最小值） | 组织的记忆 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | RoHS状态 | ||||||||||||||||||||||||||
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 | IDT70824S35G | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 84 | RAM | 2009 | e0 | 84 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 70°C | 0°C | 8542.32.00.41 | 5V | PERPENDICULAR | PIN/PEG | 未说明 | 1 | 2.54mm | not_compliant | 未说明 | 不合格 | 5V | COMMERCIAL | Parallel | ASYNCHRONOUS | 0.34mA | 4KX16 | 16 | 15A | 65536 bit | 35 ns | 5.5V | 4.5V | 5.207mm | 27.94mm | 27.94mm | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT70P3307S233RM | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | FCBGA | YES | 576 | QDR, RAM, SRAM | 2006 | e1 | 576 | 3A991.B.2.A | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 70°C | 0°C | 8542.32.00.41 | 1.8V | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 1mm | 233MHz | 40 | S-PBGA-B576 | 不合格 | COMMERCIAL | Parallel | SYNCHRONOUS | 1MX18 | 18 | 18874368 bit | 0.45 ns | 1.9V | 1.7V | 2.55mm | 25mm | 25mm | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT70P3337S233RM | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | FCBGA | YES | 576 | QDR, RAM, SRAM | 2006 | e1 | 576 | 3A991.B.2.A | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 70°C | 0°C | 8542.32.00.41 | 1.8V | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 1mm | 233MHz | 40 | S-PBGA-B576 | 不合格 | COMMERCIAL | Parallel | SYNCHRONOUS | 512KX18 | 18 | 9437184 bit | 0.45 ns | 1.9V | 1.7V | 2.55mm | 25mm | 25mm | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT70P3307S250RM | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | FCBGA | YES | 576 | QDR, RAM, SRAM | 2006 | e1 | 576 | 3A991.B.2.A | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 70°C | 0°C | 8542.32.00.41 | 1.8V | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 1mm | 250MHz | 40 | S-PBGA-B576 | 不合格 | COMMERCIAL | Parallel | SYNCHRONOUS | 1MX18 | 18 | 18874368 bit | 0.45 ns | 1.9V | 1.7V | 2.55mm | 25mm | 25mm | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71V416S10BEI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 48 | 48 | 256000 | PLASTIC/EPOXY | BGA48,6X8,30 | -40 °C | 10 ns | 85 °C | 无 | 71V416S10BEI | 262144 words | 3.3 V | TFBGA | SQUARE | Integrated Device Technology Inc | Obsolete | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC | 5.41 | BGA | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 9 X 9 MM, BGA-48 | 4 | e0 | 3A991.B.2.A | Tin/Lead (Sn63Pb37) | 8542.32.00.41 | SRAMs | CMOS | BOTTOM | BALL | 1 | 0.75 mm | not_compliant | S-PBGA-B48 | 不合格 | 3.3 V | INDUSTRIAL | ASYNCHRONOUS | 0.2 mA | 256KX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | 0.02 A | 4194304 bit | PARALLEL | COMMON | 标准SRAM | 3 V | 3.6 V | 3 V | 9 mm | 9 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70V5388S100BGI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 272 | 网格排列 | 3 | 64000 | PLASTIC/EPOXY | BGA272,20X20,50 | -40 °C | 30 | 3.6 ns | 85 °C | 无 | 70V5388S100BGI | 100 MHz | 65536 words | 3.3 V | BGA | SQUARE | Integrated Device Technology Inc | Obsolete | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC | 5.88 | 27 X 27 MM, 2.33 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, BGA-272 | e0 | 无 | 3A991.B.2.A | Tin/Lead (Sn63Pb37) | 流水线结构 | 8542.32.00.41 | SRAMs | CMOS | BOTTOM | BALL | 225 | 1 | 1.27 mm | not_compliant | S-PBGA-B272 | 不合格 | 3.3 V | INDUSTRIAL | 4 | SYNCHRONOUS | 0.245 mA | 64KX18 | 3-STATE | 18 | 0.015 A | 1179648 bit | PARALLEL | COMMON | 特殊应用Sram | 3.15 V | 3.45 V | 3.15 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT7027L20PFG | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71V3558SA100BQGI8 | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71321LA55PFG8 | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 64 | QFP64,.66SQ,32 | 30 | 55 ns | 70 °C | 有 | IDT71321LA55PFG8 | 2048 words | 5 V | QFP | SQUARE | Integrated Device Technology Inc | Obsolete | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC | 5.55 | FLATPACK | 3 | 2000 | PLASTIC/EPOXY | e3 | 有 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 8542.32.00.41 | SRAMs | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 260 | 0.8 mm | unknown | S-PQFP-G64 | 不合格 | 5 V | COMMERCIAL | 2 | ASYNCHRONOUS | 0.11 mA | 2KX8 | 3-STATE | 8 | 0.0015 A | 16384 bit | PARALLEL | COMMON | MULTI-PORT SRAM | 2 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT7005S55PF8 | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71T75602S200BGG | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 119-BGA | 119-PBGA (14x22) | IDT, Integrated Device Technology Inc | Bulk | 71T75602 | 活跃 | Volatile | 0°C ~ 70°C (TA) | - | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 2.375V ~ 2.625V | 18Mbit | 200 MHz | 3.2 ns | SRAM | Parallel | - | 512K x 36 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT70V3579S6BC | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4DB0226KA3AVG8 | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | * | 活跃 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7132SA100JI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 52-LCC (J-Lead) | 52-PLCC (19.13x19.13) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tube | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 16Kb (2K x 8) | 100ns | SRAM | Parallel | 100ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71024S15TYG8 | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71256SA15YG8 | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71321SA55PFI8 | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 64-LQFP | 64-TQFP (14x14) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tape & Reel (TR) | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 16Kb (2K x 8) | 55ns | SRAM | Parallel | 55ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71V30L25TFI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 64-LQFP | 64-TQFP (10x10) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tray | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 3 V ~ 3.6 V | 8Kb (1K x 8) | 25ns | SRAM | Parallel | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130LA35JI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 52-LCC (J-Lead) | 52-PLCC (19.13x19.13) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tube | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 8Kb (1K x 8) | 35ns | SRAM | Parallel | 35ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7025S15PFI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100-TQFP (14x14) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tray | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 128Kb (8K x 16) | 15ns | SRAM | Parallel | 15ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7133LA55JI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 68-LCC (J-Lead) | 68-PLCC (24.21x24.21) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tube | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 32Kb (2K x 16) | 55ns | SRAM | Parallel | 55ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70V07L25JG | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 68-LCC (J-Lead) | 68-PLCC (24.21x24.21) | Volatile | 0°C ~ 70°C (TA) | Tube | -- | 活跃 | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 3 V ~ 3.6 V | 256Kb (32K x 8) | 25ns | SRAM | Parallel | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT7164L25YGI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70261L25PFI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100-TQFP (14x14) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tray | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 256Kb (16K x 16) | 25ns | SRAM | Parallel | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7142SA25JI | Integrated Device Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 52-LCC (J-Lead) | 52-PLCC (19.13x19.13) | Volatile | -40°C ~ 85°C (TA) | Tube | -- | Obsolete | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 4.5 V ~ 5.5 V | 16Kb (2K x 8) | 25ns | SRAM | Parallel | 25ns |
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IDT70824S35G
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Memory
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IDT70P3307S233RM
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Memory
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IDT70P3337S233RM
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Memory
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IDT70P3307S250RM
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Memory
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71V416S10BEI
Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
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Integrated Device Technology
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Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
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Integrated Device Technology
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Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
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7025S15PFI
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7133LA55JI
Integrated Device Technology
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分类:Memory
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Integrated Device Technology
分类:Memory
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Integrated Device Technology
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Integrated Device Technology
分类:Memory