品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

7140LA35CB
7140LA35CB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

DIP

48

170mA

RAM, SRAM

Military grade

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

48

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

DUAL

240

1

5V

MILITARY

Parallel

2

35 ns

1KX8

3-STATE

10b

8 kb

0.004A

MIL-PRF-38535

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

61.72mm

15.24mm

3.3mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V2546XS150PF
IDT71V2546XS150PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

锡铅

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

150MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

128KX36

36

4718592 bit

3.8 ns

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71T016SA12BF
IDT71T016SA12BF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

48

150mA

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

3 (168 Hours)

48

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.75mm

not_compliant

20

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

12 ns

3-STATE

16

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

2.38V

2.7V

2.375V

7mm

Non-RoHS Compliant

70P254L55BYGI8
70P254L55BYGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

TFBGA

YES

81

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e1

yes

3 (168 Hours)

81

EAR99

锡银铜

85°C

-40°C

1.8V

BOTTOM

BALL

260

1

30

INDUSTRIAL

Parallel

16kB

2

55 ns

8KX16

16

26b

128 kb

1.9V

1.7V

符合RoHS标准

IDT71V432S8PF8
IDT71V432S8PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

e0

no

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

SYNCHRONOUS

32KX32

3-STATE

32

1048576 bit

8 ns

3.63V

3.135V

YES

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

7015S17J
7015S17J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

310mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

17 ns

8KX9

3-STATE

26b

72 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7052L20PQFG
7052L20PQFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

PQFP

132

250mA

RAM, SDR, SRAM

2009

Discontinued

70°C

0°C

5V

Parallel

2kB

4

20 ns

11b

16 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

24.13mm

24.13mm

3.55mm

符合RoHS标准

无铅

7006L15J8
7006L15J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

260mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

15 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

6116LA45TDB
6116LA45TDB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

CDIP

24

85mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Military grade

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

24

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

DUAL

240

1

2.54mm

5V

MILITARY

Parallel

1

45 ns

2KX8

3-STATE

11b

16 kb

0.0003A

MIL-STD-883 Class B

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

5.08mm

32.51mm

7.62mm

3.56mm

符合RoHS标准

含铅

70T3519S166BFG8
70T3519S166BFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

208

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

活跃

70°C

0°C

2.5V

166MHz

Parallel

2

36b

9 Mb

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V256S12YG8
71V256S12YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

28

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

70°C

0°C

3.3V

Parallel

1

15b

256 kb

符合RoHS标准

IDT71T016SA15BF
IDT71T016SA15BF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

48

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

3 (168 Hours)

48

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

8542.32.00.41

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.75mm

not_compliant

20

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

0.13mA

64KX16

3-STATE

16

0.015A

15 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.34mm

7mm

7mm

Non-RoHS Compliant

7006S35G
7006S35G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

68

250mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2008

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

35 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

29.46mm

29.46mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

7164S25DB
7164S25DB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

CDIP

NO

28

RAM, SRAM - Asynchronous

Military grade

Bulk

2011

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

28

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

240

1

2.54mm

5V

MILITARY

Parallel

1

8KX8

3-STATE

13b

64 kb

0.02A

MIL-STD-883 Class B

25 ns

COMMON

37.2mm

15.24mm

1.65mm

符合RoHS标准

含铅

7130LA35C
7130LA35C
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

DIP

48

120mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2005

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

1kB

2

35 ns

20b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

61.72mm

15.24mm

3.3mm

符合RoHS标准

含铅

7140LA35FB
7140LA35FB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

通孔

48

170mA

RAM, SRAM

2005

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

2

35 ns

10b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

19mm

19mm

2.2mm

符合RoHS标准

含铅

70V06L20J
70V06L20J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

PLCC

YES

68

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

0.175mA

20 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

COMMON

2V

3.6V

3V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7164S20TDB
7164S20TDB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

CDIP

28

RAM, SRAM - Asynchronous

Bulk

2011

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

1

13b

64 kb

37.72mm

7.62mm

3.56mm

符合RoHS标准

含铅

7133LA55J8
7133LA55J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

250mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

55 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7006S55J8
7006S55J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

250mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

55 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V06L20JI8
70V06L20JI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

195mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2008

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

INDUSTRIAL

Parallel

2

20 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7008L35G
7008L35G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

84

255mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2010

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

锡铅

70°C

0°C

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

35 ns

64KX8

3-STATE

32b

512 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

27.94mm

27.94mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

7015S35J
7015S35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

250mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

35 ns

8KX9

3-STATE

26b

72 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7006L55J8
7006L55J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

210mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

55 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7143LA25J
7143LA25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

270mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅