品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

70V3319S133BF
70V3319S133BF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

400mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

4.2 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7130SA35PF
7130SA35PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

165mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

35 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.03A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7133SA35J
7133SA35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

295mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

35 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V124SA20PH
IDT71V124SA20PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

30

R-PDSO-G32

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.095mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

20 ns

COMMON

3V

3.6V

3.15V

1.2mm

20.95mm

10.16mm

符合RoHS标准

70V3319S166PRF8
70V3319S166PRF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

500mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

36b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V25761SA183BG
IDT71V25761SA183BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

183MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.34mA

128KX36

3-STATE

36

0.03A

4718592 bit

3.3 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V261L25PF8
70V261L25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

140mA

RAM, SDR, SRAM

2001

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

25 ns

16KX16

3-STATE

14b

256 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V07S35PF8
70V07S35PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

LQFP

YES

80

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

20

不合格

COMMERCIAL

Parallel

2

ASYNCHRONOUS

0.14mA

3-STATE

30b

256 kb

0.006A

35 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7015L17PF8
7015L17PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

80

260mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

17 ns

8KX9

3-STATE

26b

72 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V261S35PF8
70V261S35PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

100

RAM, SDR, SRAM

2001

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

0.14mA

35 ns

16KX16

3-STATE

28b

256 kb

0.006A

COMMON

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71T75902S75BGG
71T75902S75BGG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

275mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2005

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

100MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

2.3MB

1

7.5 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

7027L25PF8
7027L25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

265mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

64kB

2

25 ns

30b

512 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7130SA55J
7130SA55J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

PLCC

YES

52

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

0.155mA

55 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.015A

COMMON

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7130LA55FB
7130LA55FB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

通孔

48

140mA

RAM, SRAM

Military grade

Bulk

2005

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

48

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

QUAD

FLAT

240

1

5V

MILITARY

Parallel

2

55 ns

1KX8

3-STATE

10b

8 kb

0.004A

MIL-PRF-38535

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

19mm

19mm

2.2mm

符合RoHS标准

含铅

7007S20PF8
7007S20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

80

315mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

20 ns

3-STATE

15b

256 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7132LA25J
7132LA25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

170mA

RAM, SDR, SRAM

2007

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V25761SA183BGI
IDT71V25761SA183BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

183MHz

未说明

不合格

2.53.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.35mA

128KX36

3-STATE

36

0.035A

4718592 bit

3.3 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70121S55J
70121S55J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

240mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2.3kB

2

55 ns

3-STATE

22b

18 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

9b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

6116SA25SOGI8
6116SA25SOGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

SOIC

24

100mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2013

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

24

EAR99

哑光锡

85°C

-40°C

5V

DUAL

鸥翼

260

1

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

2kB

1

25 ns

2KX8

3-STATE

11b

16 kb

0.002A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

15.4mm

7.6mm

2.34mm

符合RoHS标准

无铅

70V3379S4BF
70V3379S4BF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

460mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

133MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

72kB

2

4.2 ns

3-STATE

30b

576 kb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V27S35PF
70V27S35PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

235mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2012

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

64kB

2

35 ns

30b

512 kb

Asynchronous

16b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7007L55PF8
7007L55PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

80

230mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

55 ns

3-STATE

30b

256 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3319S166BC
70V3319S166BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

500mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

3.6 ns

3-STATE

36b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅