IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
70V24S55PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	180mA	SDR		Bulk	2004	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm		30			COMMERCIAL	Parallel	8kB	2		55 ns	4KX16	3-STATE	24b	64 kb	0.005A	COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V016SA12YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		44	160mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		12 ns		3-STATE	16b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V	3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V124SA15YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	120mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		15 ns		3-STATE	17b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V	3.683mm	20.9mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V256SA20PZG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TSSOP	28	85mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2001	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn)	70°C	0°C		3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.55mm		30			COMMERCIAL	Parallel	32kB	1		20 ns	32KX8		15b	256 kb			Asynchronous	8b		3.6V	3V		8mm	11.8mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V416L10PHG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	180mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm		30			COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		10 ns		3-STATE	18b	4 Mb		COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
71016S15PHGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	180mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2007	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		5V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm		30		5V	INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		15 ns		3-STATE	16b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
71256SA12YG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks		YES	28		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		5V	DUAL	J BEND	260	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	1		12 ns	32KX8	3-STATE	15b	256 kb		COMMON				5.5V	4.5V	3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V016SA15YG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		44	130mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						COMMERCIAL	Parallel	128kB	1		15 ns		3-STATE	16b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V	3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V416L12YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		44	170mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2012	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		哑光锡	70°C	0°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		12 ns		3-STATE	18b	4 Mb		COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75802S200BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA		119	275mA	200MHz	RAM, SDR, SRAM		2012	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	2.5V	BOTTOM	BALL	225	1		200MHz				COMMERCIAL	Parallel	2.3MB	1		3.2 ns		3-STATE	20b	18 Mb	0.04A	COMMON	Synchronous	18b	2.38V	2.625V	2.375V	2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
71024S20YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	140mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		5V	DUAL	J BEND	260	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	128kB	1		20 ns		3-STATE	17b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	3.683mm	20.9mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V424S15PHG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	160mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm		30			COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		15 ns		3-STATE	19b	4 Mb	0.02A	COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V65803S100PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP		100	250mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	爆破计数器	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	100MHz	30			COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1		10 ns		3-STATE	19b	9 Mb	0.04A	COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75602S133BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA		119	195mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2012	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	2.5V	BOTTOM	BALL	225	1		133MHz				COMMERCIAL	Parallel	2.3MB	1		4.2 ns		3-STATE	19b	18 Mb	0.04A	COMMON	Synchronous	36b	2.38V	2.625V	2.375V	2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3509MS133BPI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	表面贴装	BGA		256	1.37A	133MHz	RAM, SDR, SRAM	Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	133MHz	20			INDUSTRIAL	Parallel	4.5MB	2		4.2 ns	1MX36	3-STATE	40b	36 Mb	0.08A	COMMON	Synchronous	36b		2.6V	2.4V		17mm	17mm	1.76mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V67602S150PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks		TQFP	YES	100		150MHz	RAM, SDR, SRAM		2004	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	流水线结构	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	150MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1	0.325mA	3.8 ns	256KX36	3-STATE	18b	9 Mb	0.07A	COMMON				3.465V	3.135V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V124SA15YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			32	120mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		15 ns		3-STATE	17b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V	3.683mm	20.9mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V67603S133BQGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks			YES	165		133MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	流水线结构	3.3V	BOTTOM	BALL	260	1		133MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1	0.28mA	4.2 ns	256KX36	3-STATE	18b	9 Mb	0.07A	COMMON				3.465V	3.135V		15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V65703S80PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP	100	60mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1		95MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1		8 ns	256KX36		18b	9 Mb			Synchronous	36b		3.465V	3.135V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V016SA20YG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		44	120mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						COMMERCIAL	Parallel	128kB	1		20 ns		3-STATE	16b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V	3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
7164L20YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		28	100mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		5V	DUAL	J BEND	260	1					5V	INDUSTRIAL	Parallel	8kB	1		20 ns	8KX8	3-STATE	13b	64 kb	0.00006A	COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V	3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V016SA12YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		44	150mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						COMMERCIAL	Parallel	128kB	1		12 ns		3-STATE	16b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V	3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
71124S15YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	155mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		5V	DUAL	J BEND	260	1					5V	INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		15 ns		3-STATE	17b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	3.683mm	20.9mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V416L15BEG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	TFBGA	YES	48		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	48		锡银铜	70°C	0°C		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.75mm		未说明	不合格		COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		15 ns		3-STATE	18b	4 Mb		COMMON			3V	3.6V	3V		9mm	9mm	1.2mm		符合RoHS标准	无铅
71T75902S85BGG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA		119	225mA	RAM, SDR, SRAM	100MHz		2005	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	2.5V	BOTTOM	BALL	260	1		91MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel	2.3MB	1		8.5 ns		3-STATE	20b	18 Mb	0.04A	COMMON	Synchronous	18b	2.38V	2.625V	2.375V	2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅