IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	最大电流源	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
6116LA20SOGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	SOIC	24	95mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	24	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL	鸥翼	260	1			30			5V	INDUSTRIAL	Parallel	2kB	1		20 ns	2KX8	3-STATE		11b	16 kb	0.00003A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			15.4mm	7.6mm	2.34mm	无	符合RoHS标准	无铅
71256SA12TPG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔	PDIP	28	160mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Bulk	2011	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL		260	1	2.54mm					5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	1		12 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		4.572mm	34.3mm	7.62mm	3.3mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3577S80BGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	210mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1		100MHz	20				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1		8 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.035A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V416S12PHG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	180mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm		30	180mA			COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		12 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V3589S166BCG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装			256	500mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM	Bulk	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL		1	1mm	166MHz					COMMERCIAL	Parallel	256kB	2		20 ns	64KX36	3-STATE		32b	2.3 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V		1.7mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7008L15JG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	325mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2006	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	84		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	QUAD		260	1						5V	COMMERCIAL	Parallel	64kB	2		15 ns	64KX8	3-STATE		16b	512 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3556SA133BGGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	310mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2006	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1		133MHz	30				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1		4.2 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.045A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75602S133BGGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA		119	215mA	RAM, SDR, SRAM	133MHz		2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	流水线结构		2.5V	BOTTOM	BALL	260	1		133MHz	30				INDUSTRIAL	Parallel	2.3MB	1		4.2 ns		3-STATE		19b	18 Mb	0.06A			COMMON	Synchronous	36b	2.38V	2.625V	2.375V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V416S12YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		44	180mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1							INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1		12 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
709279L9PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	350mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2004	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		5V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm	40MHz	30			5V	COMMERCIAL	Parallel	64kB	2		9 ns		3-STATE		30b	512 kb	0.005A			COMMON	Synchronous	16b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3557S75PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	275mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECHTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	100MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		7.5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71256SA15Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	3174 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			28	150mA	RAM, SRAM - Asynchronous			1997	e0	no		3 (168 Hours)	28	EAR99		70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	225	1			20		不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1		15 ns	32KX8	3-STATE	8	15b	256 kb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	YES	3.556mm					符合RoHS标准
71V65903S80PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP	100	60mA	RAM, SDR, SRAM			2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1		95MHz	30				INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1		8 ns				19b	9 Mb					Synchronous	18b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75802S200BGG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA	119	275mA	RAM, SRAM			2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	流水线结构		2.5V	BOTTOM	BALL	260	1		200MHz	30				COMMERCIAL	Parallel		1		3.2 ns		3-STATE		20b	18 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	18b	2.38V	2.625V	2.375V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
7132LA100PDG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	DIP	NO	48		RAM, SRAM			2010	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	48		Matte Tin (Sn)	70°C	0°C		8542.32.00.41	5V	DUAL	THROUGH-HOLE	260	1			未说明				COMMERCIAL	Parallel			ASYNCHRONOUS		2KX8						16384 bit	100 ns					5.5V	4.5V			61.7mm	15.24mm	3.8mm		符合RoHS标准	无铅
71256SA15PZG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TSOP	28	150mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL	鸥翼	260	1	0.55mm		30			5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	1		15 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			8mm	11.8mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V639S12BCI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	515mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm						INDUSTRIAL	Parallel	256kB	2		12 ns		3-STATE		17b	2.3 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	18b		3.45V	3.15V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V124SA15PHG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	SOIC	32	100mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1			30				COMMERCIAL	Parallel	128kB	1		15 ns		3-STATE		17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			20.95mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3577S75PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	255mA	117MHz	RAM, SDR, SRAM		2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	流线型结构		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	117MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		7.5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
6116SA20TPG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔	PDIP	24	105mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Bulk	2013	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	24	EAR99	哑光锡	70°C	0°C			5V	DUAL		260	1	2.54mm					5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	1		20 ns	2KX8	3-STATE		11b	16 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			31.75mm	7.62mm	3.3mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V08L20PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	280mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm		30				INDUSTRIAL	Parallel	64kB	2		20 ns	64KX8	3-STATE		32b	512 kb	0.006A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V016SA10PHGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2007	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm		30				INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		10 ns		3-STATE		16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b		3.6V	3.15V			18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
70T653MS12BCI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	790mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		20				INDUSTRIAL	Parallel	2.3MB	2		12 ns		3-STATE		38b	18 Mb	0.04A			COMMON	Asynchronous	36b		2.6V	2.4V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V016SA12YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		44	160mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1							INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		12 ns		3-STATE		16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
71024S20YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks		YES	32		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL	J BEND	260	1						5V	INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		20 ns		3-STATE		17b	1 Mb				COMMON				5.5V	4.5V		3.683mm	20.9mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅