IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)				包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	访问时间	组织结构	输出特性	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	筛选水平	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态
7140SA55P	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP	48	155mA	RAM, SDR, SRAM			Bulk	2013	e0	no	Discontinued	1 (Unlimited)	48	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	DUAL		245	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2	55 ns	1KX8	3-STATE	20b	8 kb	0.015A		COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	5.08mm	61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	含铅
71016S20PHGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	170mA		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		2007	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		5V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm		30		5V	INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1	20 ns		3-STATE	16b	1 Mb			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
7130LA25JGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	220mA		RAM, SDR, SRAM		2013			活跃					85°C	-40°C		5V											Parallel	1kB	2	25 ns			20b	8 kb				Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V67903S80PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP	100	210mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM			2004	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	100MHz	30			COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1	8 ns		3-STATE	19b	9 Mb	0.05A		COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V424S10YG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	36	180mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous				2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	36		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						COMMERCIAL	Parallel	512kB	1	10 ns		3-STATE	19b	4 Mb	0.02A		COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V	3.76mm	23.4mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V124SA12PHG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	SOIC	32	130mA		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		3.3V	DUAL	鸥翼	260	1			30			COMMERCIAL	Parallel	128kB	1	12 ns		3-STATE	17b	1 Mb			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		20.95mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V256SA12YG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	28	90mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous				2006	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	哑光锡	70°C	0°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						COMMERCIAL	Parallel	32kB	1	12 ns	32KX8	3-STATE	15b	256 kb	0.002A		COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
71024S15YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	YES	32		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous				2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		5V	DUAL	J BEND	260	1					5V	INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1	15 ns		3-STATE	17b	1 Mb			COMMON				5.5V	4.5V	3.683mm	20.9mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V124SA10PHG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TSOP	32	145mA		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		3.3V	DUAL	鸥翼	260	1			30			COMMERCIAL	Parallel	128kB	1	10 ns		3-STATE	17b	1 Mb			COMMON	Asynchronous	8b		3.6V	3.15V		20.95mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
7132LA55P	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	DIP	48	110mA	RAM, SDR, SRAM			Bulk	2007	e0	no	Discontinued	1 (Unlimited)	48	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP	5V	DUAL		245	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2	55 ns		3-STATE	22b	16 kb	0.0015A		COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V	5.08mm	61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	含铅
71T75802S100BGGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA	119	195mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM			2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	流水线结构	2.5V	BOTTOM	BALL	260	1		100MHz	30	不合格		INDUSTRIAL	Parallel	2.3MB	1	5 ns		3-STATE	20b	18 Mb	0.06A		COMMON	Synchronous	18b	2.38V	2.625V	2.375V	2.36mm	14mm	22mm	2.15mm		符合RoHS标准	无铅
6116LA55DB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	通孔	CDIP	24	85mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous	Military grade		Bulk	2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	24		Tin/Lead (Sn63Pb37)	125°C	-55°C		5V	DUAL		240	1	2.54mm				5V	MILITARY	Parallel	2kB	1	55 ns	2KX8	3-STATE	11b	16 kb	0.0003A	MIL-STD-883 Class B	COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V	4.826mm	32mm	15.24mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T659S10BFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	208	445mA	RAM, SDR, SRAM			Bulk	2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C		2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm					INDUSTRIAL	Parallel	512kB	2	10 ns		3-STATE	17b	4.5 Mb			COMMON	Asynchronous	36b		2.6V	2.4V	1.5mm	15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
6116SA15SOG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	SOIC	24	105mA		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		2013	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	24	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		5V	DUAL	鸥翼	260	1			30		5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	1	15 ns	2KX8	3-STATE	11b	16 kb	0.002A		COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		15.4mm	7.6mm	2.34mm	无	符合RoHS标准	无铅
71016S15PHG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	180mA		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous	Tape & Reel	2007	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		5V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm		30		5V	COMMERCIAL	Parallel	128kB	1	15 ns		3-STATE	16b	1 Mb			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
7024S55PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	250mA		RAM, SDR, SRAM		2000	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20		5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2	55 ns	4KX16	3-STATE	24b	64 kb	0.015A		COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7024L20PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	100	RAM, SDR, SRAM				2000	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20		5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2	20 ns	4KX16	3-STATE	24b	64 kb	0.0015A		COMMON			2V	5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V124SA10TYG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	32	145mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			Tape & Reel	2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						COMMERCIAL	Parallel	128kB	1	10 ns		3-STATE	17b	1 Mb			COMMON	Asynchronous	8b		3.6V	3.15V	3.7592mm	21.95mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
71256L35YG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	28	115mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous				2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		5V	DUAL	J BEND	260	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	1	35 ns	32KX8	3-STATE	15b	256 kb			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V	3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V25S25PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	190mA		RAM, SDR, SRAM		2001	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20			COMMERCIAL	Parallel	16kB	2	25 ns	8KX16	3-STATE	26b	128 kb	0.005A		COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
6116SA45TDB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		CDIP	NO	24		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous	Military grade		Bulk	2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	24		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C		5V	DUAL	THROUGH-HOLE	240	1	2.54mm				5V	MILITARY	Parallel	2kB	1	45 ns	2KX8	3-STATE	11b	16 kb		MIL-STD-883 Class B	COMMON				5.5V	4.5V	5.08mm	32.51mm	7.62mm	3.56mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V3557S85PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP	100	235mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECHTURE	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	91MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1	8.5 ns		3-STATE	17b	4.5 Mb	0.045A		COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V35761S166BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	BGA		119	320mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	Discontinued	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1		166MHz	20	不合格		COMMERCIAL	Parallel	512kB	1	3.5 ns		3-STATE	17b	4.5 Mb	0.03A		COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V	2.36mm	14mm	22mm	2.15mm		符合RoHS标准	含铅
71V256SA15YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	28	85mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous				2006	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn)	85°C	-40°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						INDUSTRIAL	Parallel	32kB	1	15 ns	32KX8	3-STATE	15b	256 kb	0.002A		COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
6116SA90DB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	通孔	CDIP	24	90mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous	Military grade		Bulk	2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	24		Tin/Lead (Sn63Pb37)	125°C	-55°C		5V	DUAL		240	1	2.54mm				5V	MILITARY	Parallel	2kB	1	90 ns	2KX8	3-STATE	11b	16 kb		MIL-STD-883 Class B	COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	4.826mm	32mm	15.24mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	含铅