IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	最大电流源	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	高度	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
7134SA55JG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	240mA	RAM, SDR, SRAM			2013	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	52	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	260	1						5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2		55 ns	4KX8	3-STATE		24b	32 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V25761S200BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	360mA	200MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no		3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1		200MHz	20		不合格		COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		3.1 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm		符合RoHS标准	含铅
7164L25YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		28	100mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL	J BEND	260	1						5V	INDUSTRIAL	Parallel	8kB	1		25 ns	8KX8	3-STATE		13b	64 kb	0.00006A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V016SA15BF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		48	130mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2007	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	48		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.75mm		20				INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		15 ns		3-STATE		16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b		3.6V	3V			7mm	7mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V35761SA200BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	360mA	RAM, SDR, SRAM	200MHz		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1		200MHz	20		不合格		COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		3.1 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm		符合RoHS标准	含铅
6116LA20SOG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	SOIC	YES	24		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	24	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL	鸥翼	260	1			30			5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	1		20 ns	2KX8	3-STATE		11b	16 kb	0.00003A			COMMON			2V	5.5V	4.5V			15.4mm	7.6mm	2.34mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V67603S133BGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	280mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2007	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	流水线结构		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1		133MHz	20	280mA			INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1		4.2 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.07A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V	2.15mm		14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
71124S20YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	140mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2009			活跃					85°C	-40°C			5V												Parallel	128kB	1		20 ns				17b	1 Mb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			20.9mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75802S200BGGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA	119	295mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2012	e1			3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	流水线结构		2.5V	BOTTOM	BALL		1		200MHz					INDUSTRIAL	Parallel		1		3.2 ns		3-STATE	18	20b	18 Mb	0.06A			COMMON	Synchronous	18b	2.38V	2.625V	2.375V		2.36mm	22mm			无	符合RoHS标准
70V3579S6BF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	310mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm	83MHz	20				COMMERCIAL	Parallel	128kB	2		12 ns		3-STATE		30b	1.1 Mb				COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V67603S133BGGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks		BGA	YES	119		133MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	流水线结构		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1		133MHz	30	280mA			INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1		4.2 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.07A			COMMON				3.465V	3.135V	2.15mm		14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V631S12BFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	515mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.8mm		30				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	2		12 ns		3-STATE		18b	4.5 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	18b		3.45V	3.15V		1.7mm	15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7026L55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	230mA	RAM, SDR, SRAM			2009		no	活跃			EAR99		70°C	0°C			5V												Parallel	32kB	2		55 ns				14b	256 kb					Asynchronous	16b		5.5V	4.5V			29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7007L20PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	80	315mA	RAM, SDR, SRAM			2010	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	80	EAR99	Matte Tin (Sn)	85°C	-40°C			5V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		30			5V	INDUSTRIAL	Parallel	32kB	2		20 ns		3-STATE		30b	256 kb	0.01A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V124SA15TYG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	100mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1							COMMERCIAL	Parallel	128kB	1		15 ns		3-STATE		17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		3.7592mm	21.95mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V424L10YG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks		YES	36		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	36		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1							COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		10 ns		3-STATE		19b	4 Mb				COMMON			3V	3.6V	3V		3.76mm	23.4mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V424L10YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks		YES	36		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	36		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1							COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		10 ns		3-STATE		19b	4 Mb				COMMON			3V	3.6V	3V		3.683mm	23.4mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V9289L7PRF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		128	250mA	83MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm	45.45MHz					COMMERCIAL	Parallel	128kB	2		7 ns	64KX16	3-STATE		32b	1 Mb				COMMON	Synchronous	16b	3V	3.6V	3V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71T75802S166PFGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	LQFP	YES	100		RAM, SRAM		Tape & Reel	2012	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	流水线结构		2.5V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	166MHz					INDUSTRIAL	Parallel		1	0.265mA			3-STATE		20b	18 Mb	0.06A		3.5 ns	COMMON			2.38V	2.625V	2.375V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7134LA25PDGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	PDIP	NO	48		RAM, SDR, SRAM		Bulk	2013	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	48	EAR99	哑光锡	85°C	-40°C		8542.32.00.41	5V	DUAL	THROUGH-HOLE	260	1	2.54mm					5V	INDUSTRIAL	Parallel	4kB	2	0.26mA	25 ns	4KX8	3-STATE				0.004A	32768 bit		COMMON			2V	5.5V	4.5V			61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	无铅
71421LA55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	110mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP		5V	QUAD	J BEND	225	1						5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2		55 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V3556S166PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	350mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM		2006	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	166MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		3.5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7134LA20JG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	240mA	RAM, SDR, SRAM			2013	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	52	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	QUAD	J BEND	260	1						5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2		20 ns	4KX8	3-STATE		24b	32 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V016SA12BFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		48	150mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2011	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	48		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.75mm		30				COMMERCIAL	Parallel	128kB	1		12 ns		3-STATE		16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			7mm	7mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70T3519S133BF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装			208	370mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm	133MHz		370mA			COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	2		4.2 ns		3-STATE		36b	9 Mb	0.015A			COMMON	Synchronous	36b		2.6V	2.4V	1.4mm		15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅