品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

70V28L20PFG
70V28L20PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

205mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2008

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

128kB

2

20 ns

32b

1 Mb

Asynchronous

16b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V016SA10YG
71V016SA10YG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

44

160mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

30

COMMERCIAL

Parallel

128kB

1

10 ns

3-STATE

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3.6V

3.15V

3.683mm

28.6mm

10.2mm

2.9mm

符合RoHS标准

无铅

70V9199L12PF
70V9199L12PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

200mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

33.3MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

12 ns

3-STATE

34b

1.1 Mb

COMMON

Synchronous

9b

3V

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3319S166BC8
70V3319S166BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

500mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70T651S12BC
70T651S12BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

355mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

2

12 ns

3-STATE

18b

9 Mb

0.01A

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7164L20TPG
7164L20TPG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

PDIP

28

90mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Bulk

2009

e3

yes

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

DUAL

1

2.54mm

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

20 ns

8KX8

3-STATE

8

13b

64 kb

0.00006A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

4.572mm

符合RoHS标准

IDT71256SA20PZ
IDT71256SA20PZ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSSOP

YES

28

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

e0

3 (168 Hours)

28

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

鸥翼

240

1

0.55mm

not_compliant

20

R-PDSO-G28

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.145mA

32KX8

3-STATE

8

0.015A

262144 bit

20 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

YES

1.2mm

11.8mm

8mm

Non-RoHS Compliant

71V3557S85BGI
71V3557S85BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

235mA

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

91MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

1

8.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

70V9369L9PFG8
70V9369L9PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

225mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

FLAT

260

1

0.5mm

40MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

20 ns

16KX18

14b

288 kb

Synchronous

18b

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V08L15PFG8
70V08L15PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

225mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

15 ns

64KX8

32b

512 kb

Asynchronous

8b

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V24L35PFG8
70V24L35PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

100

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

35 ns

4KX16

24b

64 kb

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V632S6PFG
71V632S6PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

100

180mA

83MHz

RAM, SDR, SRAM

2015

e3

yes

Discontinued

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

83MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

256kB

1

6 ns

64KX32

3-STATE

16b

2 Mb

COMMON

Synchronous

32b

3.63V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71256L45DB
71256L45DB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

CDIP

NO

28

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Military grade

2011

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

28

Tin/Lead (Sn63Pb37)

125°C

-55°C

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

240

1

2.54mm

5V

MILITARY

Parallel

32kB

1

45 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

0.0005A

MIL-STD-883 Class B

COMMON

2V

5.5V

4.5V

5.08mm

37.2mm

15.24mm

1.65mm

符合RoHS标准

含铅

71V3558S100PFGI
71V3558S100PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

255mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2006

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

100MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

5 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V06L20PFGI
70V06L20PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

195mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

哑光锡

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.8mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

16kB

2

20 ns

16KX8

28b

128 kb

Asynchronous

8b

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71T75802S150PFG
71T75802S150PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

215mA

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

2.5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

150MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

2.3MB

1

3.8 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

2.38V

2.625V

2.375V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70T3589S133BCI8
70T3589S133BCI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

450mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

活跃

85°C

-40°C

2.5V

133MHz

Parallel

2

15 ns

32b

2.3 Mb

Synchronous

36b

2.6V

2.4V

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V3558S133PFGI
71V3558S133PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

310mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2006

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

4.2 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V3556S166PFGI8
71V3556S166PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

360mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2006

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

166MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70T3519S133BF8
70T3519S133BF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

370mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

133MHz

370mA

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

2

4.2 ns

3-STATE

36b

9 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

36b

2.6V

2.4V

1.4mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71321LA25PF
71321LA25PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

170mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V639S12BFGI
70V639S12BFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

表面贴装

208

515mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.8mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

256kB

2

12 ns

3-STATE

34b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V67803S133BGG
71V67803S133BGG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

260mA

RAM, SDR, SRAM

133MHz

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

4.2 ns

3-STATE

19b

9 Mb

0.05A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

70T659S12BCI
70T659S12BCI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

395mA

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71T75602S133BGI
71T75602S133BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

215mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2.3MB

1

4.2 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅