品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V3557S80BGI8
71V3557S80BGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

260mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

95MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

1

8 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

71V3559S75PFGI
71V3559S75PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

100

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

Discontinued

3 (168 Hours)

哑光锡

85°C

-40°C

3.3V

260

100MHz

Parallel

512kB

1

7.5 ns

18b

4.5 Mb

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71256L25YG
71256L25YG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

28

125mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

1

25 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

3.556mm

17.9mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

71V65803S150BG
71V65803S150BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

325mA

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

150MHz

20

325mA

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

6.7 ns

3-STATE

19b

9 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

2.15mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

70V37L20PFGI8
70V37L20PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

220mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

2

20 ns

3-STATE

15b

576 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

18b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V3559S75PFG
71V3559S75PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

275mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECHTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

100MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

7.5 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V3559S80BG8
71V3559S80BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

250mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

95MHz

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

8 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

70T653MS12BCGI
70T653MS12BCGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

790mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

1mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

2.3MB

2

12 ns

3-STATE

38b

18 Mb

0.04A

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V3577S85BQI8
71V3577S85BQI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

表面贴装

FBGA

165

190mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

87MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

1

8.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.035A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

71V65903S85BQG
71V65903S85BQG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

165

RAM, SRAM

2005

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

30

COMMERCIAL

Parallel

1

19b

9 Mb

8.5 ns

3.465V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

71V124SA15TYG
71V124SA15TYG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

100mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

128kB

1

15 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

3.7592mm

21.95mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V432S7PF
IDT71V432S7PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2014

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

1

SYNCHRONOUS

66MHz

0.16mA

32KX32

3-STATE

32

0.015A

1048576 bit

7 ns

COMMON

3.14V

3.63V

3.135V

YES

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71V67603S133BQG8
71V67603S133BQG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

YES

165

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

0.26mA

4.2 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.05A

COMMON

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

6116SA25TPGI
6116SA25TPGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

PDIP

24

80mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Bulk

2013

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

24

EAR99

哑光锡

85°C

-40°C

5V

DUAL

260

1

2.54mm

5V

INDUSTRIAL

Parallel

2kB

1

25 ns

2KX8

3-STATE

11b

16 kb

0.002A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

31.75mm

7.62mm

3.3mm

符合RoHS标准

无铅

7025L15PFG8
7025L15PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

260mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

鸥翼

1

0.5mm

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

15 ns

8KX16

3-STATE

13b

128 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

YES

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V416YS15PHG
71V416YS15PHG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TSOP

44

170mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Bulk

2008

e3

yes

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

30

COMMERCIAL

Parallel

1

15 ns

3-STATE

16

18b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

符合RoHS标准

IDT71V424S15PH
IDT71V424S15PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TSOP

44

160mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2009

e0

no

3 (168 Hours)

44

70°C

0°C

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

15 ns

3-STATE

8

19b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

Non-RoHS Compliant

7009L15PFG8
7009L15PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

340mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

17b

1 Mb

0.003A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V016SA15PHI
IDT71V016SA15PHI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

R-PDSO-G44

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.13mA

64KX16

3-STATE

16

0.01A

1048576 bit

15 ns

COMMON

3.15V

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

70V06L15JG
70V06L15JG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

185mA

RAM, SRAM

Bulk

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

68

EAR99

哑光锡

70°C

0°C

3.3V

QUAD

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

2

15 ns

16KX8

28b

128 kb

Asynchronous

8b

3.6V

3V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

无铅

71V67703S85BQI8
71V67703S85BQI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

165

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

165

锡铅

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

20

INDUSTRIAL

Parallel

1

87MHz

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.07A

8.5 ns

COMMON

3.465V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

71V424S10YG8
71V424S10YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

36

180mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

36

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

10 ns

3-STATE

19b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

3.683mm

23.4mm

10.2mm

2.2mm

符合RoHS标准

无铅

71V416YS10PHG
71V416YS10PHG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TSOP

44

200mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Bulk

2005

e3

yes

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

30

COMMERCIAL

Parallel

1

10 ns

3-STATE

16

18b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

符合RoHS标准

7132SA55J
7132SA55J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

155mA

RAM, SDR, SRAM

2007

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

55 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V7519S133BC
70V7519S133BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

645mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

1.1MB

2

25 ns

3-STATE

18b

9 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅