IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	最大电流源	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	高度	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
71V67903S75PFGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP	100	285mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2004	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		117MHz	30					INDUSTRIAL	Parallel		1				7.5 ns		3-STATE		19b	9 Mb	0.07A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V				20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3579S80PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	210mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	流线型结构		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		100MHz	30					INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				8 ns		3-STATE		18b	4.5 Mb	0.035A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V				20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71016S20YI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous			2010	e0	no		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.B	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	5V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30			不合格	5V	INDUSTRIAL	Parallel					0.17mA		64KX16	3-STATE	16			0.01A	1048576 bit	20 ns	COMMON			4.5V	5.5V	4.5V			3.683mm	28.575mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
70V657S12DRI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PQFP	208	515mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn/Pb)	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm			20					INDUSTRIAL	Parallel	128kB	2				12 ns		3-STATE		30b	1.1 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V			4.1mm	28mm	28mm	3.5mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V424L15YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		36	145mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	36		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1									INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				15 ns		3-STATE		19b	4 Mb				COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			3.683mm	23.4mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V3599S166BF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	500mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL		1	0.8mm		166MHz						COMMERCIAL	Parallel	512kB	2				20 ns		3-STATE		34b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V				15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71024S15TY	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	32		RAM, SRAM - Asynchronous			1997	e0	no		3 (168 Hours)	32	3A991.B.2.B	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		20			不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.155mA		128KX8	3-STATE	8			0.01A	1048576 bit	15 ns	COMMON			4.5V	5.5V	4.5V	YES		3.759mm	20.96mm	7.62mm			Non-RoHS Compliant
71V416S15BEG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	TFBGA	YES	48		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	48		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.75mm								INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				15 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.02A			COMMON			3V	3.6V	3V				9mm	9mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT6116LA20TP	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		DIP	NO	24		RAM, SRAM - Asynchronous			2008	e0				24	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	5V	DUAL	THROUGH-HOLE	225	1	2.54mm	not_compliant		30			不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.12mA		2KX8	3-STATE	8			0.00002A	16384 bit	19 ns	COMMON			2V	5.5V	4.5V	YES		4.191mm	31.75mm	7.62mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V67602S133BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		BGA	YES	119		RAM, SRAM			2009	e0			3 (168 Hours)	119	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27mm	not_compliant	133MHz	未说明			不合格	2.53.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.28mA		256KX36	3-STATE	36			0.07A	9437184 bit	4.2 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			2.36mm	22mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V3579S80PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM			2005	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant		20	R-PQFP-G100		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	100MHz	0.2mA		256KX18	3-STATE	18			0.03A	4718592 bit	8 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT6116SA35SO	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		SOIC	YES	24		RAM, SRAM - Asynchronous			2008	e0			1 (Unlimited)	24	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C		8542.32.00.41	5V	DUAL	鸥翼	225	1	1.27mm	not_compliant		30	R-PDSO-G24		不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.1mA		2KX8	3-STATE	8			0.002A	16384 bit	35 ns	COMMON			4.5V	5.5V	4.5V	YES		2.65mm	15.4mm	7.5mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V416S10PHI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TSOP	YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous			2007	e0	no		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm			20	R-PDSO-G44		不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel					0.2mA		256KX16	3-STATE	16			0.02A	4194304 bit	10 ns	COMMON			3V	3.6V	3V			1.2mm	18.41mm	10.16mm			符合RoHS标准
IDT71V424S12PH	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TSOP	YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous			2009	e0	no		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm			20	R-PDSO-G44		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel					0.17mA		512KX8	3-STATE	8			0.02A	4194304 bit	12 ns	COMMON			3V	3.6V	3V			1.2mm	18.41mm	10.16mm			符合RoHS标准
IDT71V3576S133PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TQFP		100	260mA	RAM, SRAM			2012	e0			3 (168 Hours)	100			85°C	-40°C	流水线结构		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	133MHz	20			不合格		INDUSTRIAL	Parallel		1				4.2 ns		3-STATE	36	17b	4.5 Mb	0.035A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V				20mm				Non-RoHS Compliant
71V30L35TFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	LQFP	64	145mA	RAM, SDR, SRAM			2001	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20					INDUSTRIAL	Parallel	1kB	2				35 ns	1KX8	3-STATE		10b	8 kb				COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			1.6mm	10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V416S10PH	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	14 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TSOP		44	200mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2007	e0	no		3 (168 Hours)	44			70°C	0°C			3.3V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm			20			不合格		COMMERCIAL	Parallel		1				10 ns		3-STATE	16	18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V	YES							符合RoHS标准
70V657S12BC	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	465mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm								COMMERCIAL	Parallel	128kB	2				12 ns		3-STATE		30b	1.1 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V			1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V416YS15PHG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TSOP		44	170mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Bulk	2008	e3	yes		3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm			30					COMMERCIAL	Parallel		1				15 ns		3-STATE	16	18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V							无	符合RoHS标准
IDT71V424S15PH	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TSOP		44	160mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2009	e0	no		3 (168 Hours)	44			70°C	0°C			3.3V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm	not_compliant		20			不合格		COMMERCIAL	Parallel		1				15 ns		3-STATE	8	19b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V								Non-RoHS Compliant
71V65703S80BQ8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks		YES	165		RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		锡铅	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225					20					COMMERCIAL	Parallel		1		95MHz	0.25mA		256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.04A		8 ns	COMMON									15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V256SA15PZGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TSSOP	28	85mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2006	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	哑光锡	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.55mm			30		85mA			INDUSTRIAL	Parallel	32kB	1				15 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		1mm		8mm	11.8mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V35761S183PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	340mA	183MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	流水线结构		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		183MHz	30					COMMERCIAL	Parallel	512kB	1				3.3 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V				20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70T3319S133BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	370mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		133MHz	20					COMMERCIAL	Parallel		2				15 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.015A			COMMON	Synchronous	18b		2.6V	2.4V			1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V416S15PHGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	170mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm			30		170mA			INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				15 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V				18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅