IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)				包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	最大电流源	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	记忆密度	筛选水平	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	高度	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态
7134SA55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	240mA		RAM, SDR, SRAM		2006	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1								5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2			55 ns	4KX8	3-STATE		24b	32 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3578S150PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	7 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	LQFP	YES	100		RAM, SRAM				2005	e0	no		3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	150MHz	20	R-PQFP-G100		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	0.295mA		256KX18	3-STATE	18			0.03A	4718592 bit	3.8 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
71V35761S200BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	BGA		119	360mA	200MHz	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	Discontinued	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			200MHz	20					COMMERCIAL	Parallel	512kB	1			3.1 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T633S12BCI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256	395mA	RAM, SRAM			Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm			20					INDUSTRIAL	Parallel		2			12 ns		3-STATE		38b	9 Mb				COMMON	Asynchronous	18b		2.6V	2.4V			1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3569S4BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256	460mA	RAM, SRAM			Tape & Reel	2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		133MHz						COMMERCIAL	Parallel		2			4.2 ns	16KX36	3-STATE		28b	576 kb	0.015A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V			1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT6116SA15SO	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC	24	105mA	RAM, SRAM - Asynchronous			Rail/Tube	2008	e0			1 (Unlimited)	24	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C			5V	DUAL	鸥翼	225	1		not_compliant		30			不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1			15 ns	2KX8	3-STATE	8	11b	16 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	YES		2.65mm					Non-RoHS Compliant
70V3599S133BCI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256	480mA	RAM, SRAM			Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL		1	1mm		133MHz						INDUSTRIAL	Parallel		2			15 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V			1.7mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V124SA15YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	32	100mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous				2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1									COMMERCIAL	Parallel	128kB	1			15 ns		3-STATE		17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			3.683mm	20.9mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75602S100BGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA	119	195mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM			2012	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	流水线结构		2.5V	BOTTOM	BALL	225	1			100MHz			195mA			INDUSTRIAL	Parallel	2.3MB	1			5 ns		3-STATE		19b	18 Mb	0.06A			COMMON	Synchronous	36b	2.38V	2.625V	2.375V		2.15mm		14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3599S133BFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	208	480mA	RAM, SRAM			Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL		1	0.8mm		133MHz						INDUSTRIAL	Parallel		2			15 ns		3-STATE		34b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V			1.7mm	15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V7319S133BF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	208	645mA	RAM, SDR, SRAM				2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm		133MHz			645mA			COMMERCIAL	Parallel	512kB	2			25 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V		1.4mm		15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V321L55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	85mA		RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	J BEND	225	1									COMMERCIAL	Parallel	2kB	2			55 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	3.6V	3V				19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7024S35J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	250mA		RAM, SDR, SRAM		2000	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1								5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2			35 ns	4KX16	3-STATE		24b	64 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V			4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V016SA20YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	44	120mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			Tape & Reel	2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1									COMMERCIAL	Parallel	128kB	1			20 ns		3-STATE		16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3556SA100BGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	255mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			100MHz	20					INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1			5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.045A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
6116LA70DB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	CDIP	NO	24		RAM, SRAM - Asynchronous	Military grade		Bulk	2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	24		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C			5V	DUAL	THROUGH-HOLE	240	1	2.54mm							5V	MILITARY	Parallel		1		0.09mA		2KX8	3-STATE		11b	16 kb	0.0003A	MIL-STD-883 Class B	70 ns	COMMON			2V					4.826mm	32mm	15.24mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V639S10BF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	208	500mA	RAM, SRAM			Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm			20					COMMERCIAL	Parallel		2			10 ns		3-STATE		17b	2.3 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	18b		3.45V	3.15V				15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V256SA12PZGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TSOP	28	90mA		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		2006	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	哑光锡	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.55mm			30					INDUSTRIAL	Parallel	32kB	1			12 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V				8mm	11.8mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V424L12YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	36	155mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous				2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	36		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1									INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1			12 ns		3-STATE		19b	4 Mb				COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			3.76mm	23.4mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71321LA45J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	RAM, SDR, SRAM				2001	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; ARBITER		5V	QUAD	J BEND	225	1								5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2		0.145mA	45 ns		3-STATE		11b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V				19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7140LA55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	110mA		RAM, SDR, SRAM		2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	J BEND	225	1								5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2			55 ns	1KX8	3-STATE		20b	8 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7005S25J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	265mA		RAM, SDR, SRAM		2005	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE		5V	QUAD	J BEND	225	1								5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2			25 ns	8KX8	3-STATE		26b	64 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V				24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V67803S150BQI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		165	325mA	150MHz	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	流水线结构		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			150MHz	20					INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1			3.8 ns		3-STATE		19b	9 Mb	0.07A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V				15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V65903S85BQ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	165	225mA	RAM, SDR, SRAM				2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			91MHz	20					COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1			8.5 ns		3-STATE		19b	9 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V				15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V416L15YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	44	160mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous				2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1									INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1			15 ns		3-STATE		18b	4 Mb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅