品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V65803S150BQG
71V65803S150BQG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

165

325mA

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2005

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

爆破计数器

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

150MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

6.7 ns

3-STATE

19b

9 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

70V28L20PFI
70V28L20PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

220mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

2

20 ns

64KX16

3-STATE

32b

1 Mb

0.003A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3379S4BCG
70V3379S4BCG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

256

460mA

RAM, SRAM

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

1mm

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

2

4.2 ns

3-STATE

15b

576 kb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V424S12YG
71V424S12YG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

36

170mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

36

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

12 ns

3-STATE

19b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

3.76mm

23.4mm

10.2mm

2.2mm

符合RoHS标准

无铅

70V7599S133BF8
70V7599S133BF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

645mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V05L15PFG
70V05L15PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

185mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.8mm

30

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

15 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70T3339S133BCI8
70T3339S133BCI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

450mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

133MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

19b

9 Mb

COMMON

Synchronous

18b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V25L25PFGI
70V25L25PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

180mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

16kB

2

25 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7164S25YGI
7164S25YGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

28

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

8kB

1

25 ns

8KX8

3-STATE

13b

64 kb

COMMON

5.5V

4.5V

3.556mm

17.9mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

71V3559S75PFG8
71V3559S75PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

275mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

100MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

7.5 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70T633S10BCI
70T633S10BCI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

445mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

1.1MB

2

10 ns

3-STATE

38b

9 Mb

COMMON

Asynchronous

18b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V416S12PHGI
71V416S12PHGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TSOP

44

180mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2005

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

30

180mA

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

12 ns

3-STATE

18b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

18.41mm

10.16mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

7133SA35PFG8
7133SA35PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

295mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

4kB

2

35 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V67903S75BG
71V67903S75BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

265mA

117MHz

RAM, SDR, SRAM

2004

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

117MHz

20

265mA

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

7.5 ns

3-STATE

19b

9 Mb

0.05A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

2.15mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

70V659S12BFGI8
70V659S12BFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

208

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.8mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

2

0.515mA

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

3.15V

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V432S6PFGI
71V432S6PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

100

180mA

83MHz

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2013

e3

yes

Discontinued

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

83MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

6 ns

32KX32

3-STATE

15b

1 Mb

COMMON

Synchronous

32b

3.63V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V65603S133BGGI
71V65603S133BGGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

320mA

RAM, SRAM

2005

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

爆破计数器

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

7133SA55JI
7133SA55JI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

315mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

4kB

2

55 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71V124SA15YG
71V124SA15YG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

100mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

128kB

1

15 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

3.683mm

20.9mm

10.2mm

2.2mm

符合RoHS标准

无铅

70V631S12PRFGI
70V631S12PRFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

515mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

128

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

2

12 ns

3-STATE

36b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70T651S10BCI8
70T651S10BCI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

445mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

10 ns

3-STATE

18b

9 Mb

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71024S12TY
IDT71024S12TY
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.16mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

12 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

YES

3.759mm

20.96mm

7.62mm

Non-RoHS Compliant

70T3539MS166BCG
70T3539MS166BCG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

900mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

1mm

166MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

2.3MB

2

3.6 ns

3-STATE

38b

18 Mb

COMMON

Synchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7164S20TPG
7164S20TPG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

PDIP

28

100mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2009

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

DUAL

260

1

2.54mm

未说明

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

1

20 ns

8KX8

3-STATE

13b

64 kb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.572mm

34.3mm

7.62mm

3.3mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71016S20PH
IDT71016S20PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TSOP

44

170mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2010

e0

no

3 (168 Hours)

44

70°C

0°C

5V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

20 ns

3-STATE

16

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

YES

Non-RoHS Compliant