品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V016SA12BFG
71V016SA12BFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

48

150mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

48

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.75mm

30

COMMERCIAL

Parallel

128kB

1

12 ns

3-STATE

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

7mm

7mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V35761S183PFG8
71V35761S183PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

340mA

183MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

183MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

3.3 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V67703S80PFG
71V67703S80PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

210mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

100MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

8 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.05A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7026S20J
7026S20J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

315mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

20 ns

16KX16

3-STATE

28b

256 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7026S55J
7026S55J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

270mA

RAM, SDR, SRAM

2009

no

活跃

EAR99

70°C

0°C

5V

Parallel

32kB

2

55 ns

14b

256 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

6116SA20TPGI
6116SA20TPGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

PDIP

24

105mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Bulk

2013

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

24

EAR99

哑光锡

85°C

-40°C

5V

DUAL

260

1

2.54mm

5V

INDUSTRIAL

Parallel

2kB

1

20 ns

2KX8

3-STATE

11b

16 kb

0.002A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

31.75mm

7.62mm

3.3mm

符合RoHS标准

无铅

709089S12PF
709089S12PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

345mA

RAM, SDR, SRAM

2009

no

活跃

70°C

0°C

5V

33.3MHz

Parallel

64kB

2

25 ns

32b

512 kb

Synchronous

8b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7028L20PF
7028L20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

300mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

20 ns

64KX16

3-STATE

32b

1 Mb

0.003A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V2556S166PFG
71V2556S166PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

350mA

RAM, SRAM

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

FLAT

260

1

0.65mm

166MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V124SA10TYG
71V124SA10TYG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

145mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

128kB

1

10 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3.6V

3.15V

3.7592mm

21.95mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

71V67803S133PFG
71V67803S133PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

260mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

4.2 ns

3-STATE

19b

9 Mb

0.05A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71256SA20YGI
71256SA20YGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

28

145mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

32kB

1

20 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

3.556mm

17.9mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

71256SA15YGI8
71256SA15YGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

28

150mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

32kB

1

15 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

3.556mm

17.9mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

71V67803S133PFGI
71V67803S133PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

280mA

RAM, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

3-STATE

19b

9 Mb

0.07A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V016SA12BF
71V016SA12BF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

48

150mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

48

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.75mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

12 ns

3-STATE

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3.6V

3V

7mm

7mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V321L25PFGI
71V321L25PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

130mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.8mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.004A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V639S12BFI8
70V639S12BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

515mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

34b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V35761S166BGI
71V35761S166BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

BGA

119

330mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

Discontinued

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

166MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.035A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

7164S25YG8
7164S25YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

28

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

8kB

1

25 ns

8KX8

13b

64 kb

5.5V

4.5V

3.556mm

17.9mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

71V3577S85BGI8
71V3577S85BGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

190mA

87MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

87MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

8.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.035A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

71321LA20JG
71321LA20JG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

200mA

SDR

2008

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

52

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

自动断电

5V

QUAD

J BEND

260

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V416YS10PHI
IDT71V416YS10PHI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TSOP

44

200mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2008

e0

3 (168 Hours)

44

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

0.8mm

not_compliant

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

1

10 ns

3-STATE

16

18b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

Non-RoHS Compliant

IDT71V256SA20Y
IDT71V256SA20Y
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

28

85mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

1997

e0

no

3 (168 Hours)

28

EAR99

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

30

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

20 ns

32KX8

3-STATE

8

15b

256 kb

0.002A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

YES

3.556mm

符合RoHS标准

7130SA100J
7130SA100J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

155mA

RAM, SDR, SRAM

1997

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

100 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V25L15PFG8
70V25L15PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

185mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

15 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅