品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

Current - Supply (Nom)

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

技术

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

内存格式

内存接口

组织结构

输出特性

内存宽度

写入周期时间 - 字符、页面

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

组织的记忆

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

IDT7164L20Y
IDT7164L20Y
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

28

RAM, SRAM - Asynchronous

90mA

Rail/Tube

2009

e0

3 (168 Hours)

28

EAR99

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

225

1

not_compliant

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

20 ns

8KX8

3-STATE

8

13b

64 kb

0.00006A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

YES

3.556mm

Non-RoHS Compliant

IDT71124S20Y
IDT71124S20Y
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

e0

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.14mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

20 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

YES

3.683mm

20.955mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT709199L7PF
IDT709199L7PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

not_compliant

20

S-PQFP-G100

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

SYNCHRONOUS

83MHz

0.465mA

128KX9

3-STATE

9

0.003A

1179648 bit

18 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V424S12PH
IDT71V424S12PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

e0

no

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

20

R-PDSO-G44

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.17mA

512KX8

3-STATE

8

0.02A

4194304 bit

12 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

符合RoHS标准

71V25761S166PFGI
71V25761S166PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

166MHz

330mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

166MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

3.5 ns

3-STATE

36

17b

4.5 Mb

0.035A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

符合RoHS标准

IDT71V3576S133PFI
IDT71V3576S133PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

100

RAM, SRAM

260mA

2012

e0

3 (168 Hours)

100

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

133MHz

20

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

3-STATE

36

17b

4.5 Mb

0.035A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V632S5PF
IDT71V632S5PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2015

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

1

SYNCHRONOUS

100MHz

0.2mA

64KX32

3-STATE

32

0.015A

2097152 bit

5 ns

COMMON

3.14V

3.63V

3.135V

YES

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V432S5PF
IDT71V432S5PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2014

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

100MHz

0.2mA

32KX32

3-STATE

32

0.015A

1048576 bit

5 ns

COMMON

3.14V

3.63V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71016S12PH
71016S12PH
Integrated Device Technology 数据表

486 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

44-TSOP II

Bulk

71016S

活跃

IDT, Integrated Device Technology Inc

Volatile

0°C ~ 70°C (TA)

-

SRAM - Asynchronous

4.5V ~ 5.5V

1Mbit

12 ns

SRAM

Parallel

12ns

64K x 16

71T75802S200BGGI
71T75802S200BGGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

BGA

YES

119

200MHz

RAM, SDR, SRAM

2013

e1

yes

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

200MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

2.3MB

1

0.295mA

3.2 ns

3-STATE

18

20b

18 Mb

0.06A

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

22mm

符合RoHS标准

IDT71V416L12PHI
IDT71V416L12PHI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TSOP

44

RAM, SRAM - Asynchronous

170mA

Rail/Tube

2007

e0

no

3 (168 Hours)

44

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

1

12 ns

3-STATE

16

18b

4 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

Non-RoHS Compliant

IDT6116LA20SO
IDT6116LA20SO
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

24

RAM, SRAM - Asynchronous

95mA

Rail/Tube

2008

e0

1 (Unlimited)

24

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

5V

DUAL

鸥翼

225

1

not_compliant

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

20 ns

2KX8

3-STATE

8

11b

16 kb

0.00002A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

YES

2.65mm

Non-RoHS Compliant

71256SA20TPGI
71256SA20TPGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

PDIP

28

145mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

260

1

2.54mm

INDUSTRIAL

Parallel

32kB

1

20 ns

32KX8

15b

256 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.572mm

34.3mm

7.62mm

3.3mm

符合RoHS标准

无铅

7026L15JG
7026L15JG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

LCC

YES

84

RAM, SRAM

2009

84

EAR99

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

1

COMMERCIAL

Parallel

2

16KX16

16

28b

256 kb

15 ns

符合RoHS标准

71V3556SA100BGI8
71V3556SA100BGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

100MHz

255mA

RAM, SDR, SRAM

2015

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

100MHz

20

255mA

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.15mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

71V3556SA150BGGI
71V3556SA150BGGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

BGA

119

RAM, SRAM

2015

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

锡银铜

85°C

-40°C

3.3V

260

150MHz

Parallel

1

17b

4 Mb

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

70T3589S200BC
70T3589S200BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

RAM, SRAM

525mA

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

200MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

10 ns

64KX36

3-STATE

32b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V65803S133BQI8
71V65803S133BQI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

165

RAM, SRAM

320mA

Tape & Reel

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

165

锡铅

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

133MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

3-STATE

19b

9 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

71V3556S133PFGI
71V3556S133PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

133MHz

310mA

RAM, SDR, SRAM

2006

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

4.2 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT7164L20TP
IDT7164L20TP
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

28

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

e0

28

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

225

1

2.54mm

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.15mA

8KX8

3-STATE

8

0.00006A

65536 bit

19 ns

COMMON

2V

5.5V

4.5V

YES

4.572mm

34.671mm

7.62mm

符合RoHS标准

71V3556SA166BQG
71V3556SA166BQG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

表面贴装

165

166MHz

350mA

RAM, SDR, SRAM

2006

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

166MHz

30

不合格

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

71V424L12YG
71V424L12YG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

36

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

155mA

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

36

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

未说明

不合格

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

12 ns

3-STATE

19b

4 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

3.76mm

23.4mm

10.2mm

2.2mm

符合RoHS标准

无铅

71V416S12BEI8
71V416S12BEI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TFBGA

48

180mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2012

e0

no

活跃

4 (72 Hours)

48

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.75mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

12 ns

3-STATE

18b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

9mm

9mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71256SA15Y8
IDT71256SA15Y8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

28

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2010

e0

no

28

EAR99

锡铅

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

30

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

32KX8

3-STATE

8

262144 bit

15 ns

5.5V

4.5V

YES

3.556mm

17.9324mm

7.5184mm

符合RoHS标准

71V321S25TF
71V321S25TF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

130mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

备用电池操作

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅