IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	最大电流源	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	高度	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
70V657S12BFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	208	515mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm			20				INDUSTRIAL	Parallel	128kB	2	12 ns		3-STATE		30b	1.1 Mb	0.015A	COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V				15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71256SA25TP	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP	28	145mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	1997	e0				28	EAR99		70°C	0°C		5V	DUAL		225	1	2.54mm			30		不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1	25 ns	32KX8	3-STATE	8	15b	256 kb		COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	YES		4.572mm					符合RoHS标准
IDT71256SA25Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装		28	145mA	RAM, SRAM - Asynchronous			1997	e0	no		3 (168 Hours)	28	EAR99		70°C	0°C		5V	DUAL	J BEND	225	1		not_compliant		30		不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1	25 ns	32KX8	3-STATE	8	15b	256 kb		COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	YES		3.556mm					Non-RoHS Compliant
71V65803S133BG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	300mA	RAM, SRAM	Tape & Reel	2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			133MHz	20				COMMERCIAL	Parallel		1	4.2 ns		3-STATE		19b	9 Mb	0.04A	COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V			2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3569S5BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256	360mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		100MHz					COMMERCIAL	Parallel		2	5 ns	16KX36	3-STATE		28b	576 kb	0.015A	COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V			1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71016S20PHG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	170mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous	Tape & Reel	2007	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		5V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm			30			5V	COMMERCIAL	Parallel	128kB	1	20 ns		3-STATE		16b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V				18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
6116LA25SOG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	SOIC	24	95mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		2013	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	24	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		5V	DUAL	鸥翼	260	1				30			5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	1	25 ns	2KX8	3-STATE		11b	16 kb	0.00003A	COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V				15.4mm	7.6mm	2.34mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V2546S100BG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	250mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2011	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			100MHz	20				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1	5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.04A	COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V65703S85BQI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	165	60mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			91MHz	20				INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1	8.5 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.06A	COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V				15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V67703S75BGG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	265mA	RAM, SRAM	Tape & Reel	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			117MHz	30				COMMERCIAL	Parallel		1	7.5 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.05A	COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V06L15PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	185mA	RAM, SDR, SRAM		2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.8mm			30				COMMERCIAL	Parallel	16kB	2	15 ns	16KX8	3-STATE		28b	128 kb		COMMON	Asynchronous	8b	2V	3.6V	3V			1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V416S10YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	44	200mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2014	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		哑光锡	70°C	0°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1								COMMERCIAL	Parallel	512kB	1	10 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.02A	COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
7164S20YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	28	110mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		5V	DUAL	J BEND	260	1							5V	INDUSTRIAL	Parallel	8kB	1	20 ns	8KX8	3-STATE		13b	64 kb		COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71016S12PH	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TSOP	44	210mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2010	e0	no		3 (168 Hours)	44			70°C	0°C		5V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm	not_compliant		20		不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1	12 ns		3-STATE	16	16b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V	YES							Non-RoHS Compliant
IDT71016S15Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装		44	180mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2010	e0	no		3 (168 Hours)	44			70°C	0°C		5V	DUAL	J BEND	225	1		not_compliant		30		不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1	15 ns		3-STATE	16	16b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V	YES		3.683mm	28.575mm				Non-RoHS Compliant
70V3569S6BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256	310mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		83.3MHz					COMMERCIAL	Parallel		2	6 ns	16KX36	3-STATE		28b	576 kb	0.015A	COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V			1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V7519S133BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	256	645mA	RAM, SRAM	Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		133MHz					COMMERCIAL	Parallel		2	15 ns		3-STATE		18b	9 Mb	0.03A	COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V			1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7132LA55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	110mA	RAM, SDR, SRAM		2007	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN	5V	QUAD	J BEND	225	1				20			5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2	55 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A	COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V7599S200BC	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256	950mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		200MHz					COMMERCIAL	Parallel	512kB	2	15 ns		3-STATE		34b	4.5 Mb	0.03A	COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V			1.7mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V67703S85BQI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		165	210mA	87MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			87MHz	20				INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1	8.5 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.07A	COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V				15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V016SA10PH	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TSOP	44	160mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2007	e0	no		3 (168 Hours)	44			70°C	0°C		3.3V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm			20		不合格		COMMERCIAL	Parallel		1	10 ns		3-STATE	16	16b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	16b		3.6V	3.15V	YES							符合RoHS标准
71V016SA12BFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	48	160mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	48		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.75mm			30				INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1	12 ns		3-STATE		16b	1 Mb		COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V				7mm	7mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V3389S6BF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	208	310mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm		83.3MHz	20	310mA			COMMERCIAL	Parallel	128kB	2	6 ns	64KX18	3-STATE		32b	1.1 Mb	0.015A	COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V		1.4mm		15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V631S10BF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	208	500mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm			20				COMMERCIAL	Parallel		2	10 ns		3-STATE		18b	4.5 Mb	0.015A	COMMON	Asynchronous	18b		3.45V	3.15V			1.7mm	15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V65703S75BQ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	165	275mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			100MHz	20				COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1	7.5 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.04A	COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V				15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅