IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	时钟频率	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
71T75802S133PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP		100	195mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2012	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	流水线结构	2.5V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	133MHz	30			COMMERCIAL	Parallel	2.3MB	1		4.2 ns		3-STATE		20b	18 Mb	0.04A		COMMON	Synchronous	18b	2.38V	2.625V	2.375V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V016SA12BFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		48	160mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	48		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.75mm		20			INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		12 ns		3-STATE		16b	1 Mb			COMMON	Asynchronous	16b		3.6V	3.15V			7mm	7mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V67803S133PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP	100	260mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	流水线结构	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	133MHz	30			COMMERCIAL	Parallel		1		4.2 ns		3-STATE		19b	9 Mb	0.05A		COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75802S200BGG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA	119	275mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	流水线结构	2.5V	BOTTOM	BALL	260	1		200MHz	30			COMMERCIAL	Parallel		1		3.2 ns		3-STATE		20b	18 Mb	0.04A		COMMON	Synchronous	18b	2.38V	2.625V	2.375V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
7140LA20JG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	200mA	RAM, SDR, SRAM		Tape & Reel	2009	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	52	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		5V	QUAD	J BEND	260	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2		20 ns	1KX8	3-STATE		20b	8 kb	0.0015A		COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75602S100BGGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA		119	195mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	流水线结构	2.5V	BOTTOM	BALL	260	1		100MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel	2.3MB	1		5 ns		3-STATE		19b	18 Mb	0.06A		COMMON	Synchronous	36b	2.38V	2.625V	2.375V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75602S133PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP		100	215mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2012	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	流水线结构	2.5V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	133MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel	2.3MB	1		4.2 ns		3-STATE		19b	18 Mb	0.06A		COMMON	Synchronous	36b	2.38V	2.625V	2.375V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7134SA35J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	260mA	RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN	5V	QUAD	J BEND	225	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2		35 ns	4KX8	3-STATE		24b	32 kb	0.015A		COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V256SA12YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		28	90mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2012	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						INDUSTRIAL	Parallel	32kB	1		12 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb	0.002A		COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
71342LA55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	200mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	QUAD	J BEND	225	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2		55 ns	4KX8	3-STATE		24b	32 kb	0.0015A		COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71016S20YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		44	170mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2004	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		5V	DUAL	J BEND	260	1					5V	INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		20 ns		3-STATE		16b	1 Mb			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75602S166BGGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA		119	265mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM		2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	流水线结构	2.5V	BOTTOM	BALL	260	1		166MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel	2.3MB	1		3.5 ns		3-STATE		19b	18 Mb	0.06A		COMMON	Synchronous	36b	2.38V	2.625V	2.375V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V658S12BCI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	515mA	RAM, SDR, SRAM			2004	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm					INDUSTRIAL	Parallel	256kB	2		12 ns	64KX36	3-STATE		16b	2.3 Mb	0.015A		COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V3559S80BQI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	11 Weeks	表面贴装			165	260mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C		3.3V	BOTTOM	BALL	225			95MHz	20			INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1		8 ns		3-STATE		18b	4.5 Mb	0.045A		COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
71024S15TYG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	155mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		5V	DUAL	J BEND	260	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	128kB	1		15 ns		3-STATE		17b	1 Mb			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		3.759mm	21.95mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V9099L9PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	100		RAM, SDR, SRAM			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm		30			COMMERCIAL	Parallel	128kB	2	66MHz	9 ns		3-STATE		34b	1 Mb			COMMON			3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3558SA133BQGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	11 Weeks		YES	165		RAM, SRAM		Tape & Reel	2015	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1		133MHz				INDUSTRIAL	Parallel		1						18b	4.5 Mb		4.2 ns					3.465V				15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V256SA12YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		28	90mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2006	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	哑光锡	85°C	-40°C		3.3V	DUAL	J BEND	260	1						INDUSTRIAL	Parallel	32kB	1		12 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb	0.002A		COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3577S75BQG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	11 Weeks	表面贴装	FBGA		165	255mA	117MHz	RAM, SDR, SRAM	Bulk	2005	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	流线型结构	3.3V	BOTTOM	BALL	260	1		117MHz	30			COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		7.5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.03A		COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V657S12BCI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	515mA	RAM, SDR, SRAM			2004	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm					INDUSTRIAL	Parallel	128kB	2		12 ns		3-STATE		30b	1.1 Mb	0.015A		COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V35761S166PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	330mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM		2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	流水线结构	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm	166MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel	576kB	1		3.5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.035A		COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71024S20TY	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SO		32	140mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	1997	e0	no		3 (168 Hours)	32			70°C	0°C		5V	DUAL	J BEND	225	1			20	不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1		20 ns		3-STATE	8	17b	1 Mb			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	YES	3.759mm	20.96mm				符合RoHS标准
71V3556SA133BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	300mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1		133MHz	20			COMMERCIAL	Parallel	512kB	1		4.2 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.04A		COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V124SA15PHGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	SOIC	32	120mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		3.3V	DUAL	鸥翼	260	1			30			INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		15 ns		3-STATE		17b	1 Mb			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			20.95mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
7130SA20J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	250mA	RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	QUAD	J BEND	225	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2		20 ns	1KX8	3-STATE		20b	8 kb	0.015A		COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅