IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
IDT7164S20Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	135 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			28	100mA	RAM, SRAM - Asynchronous			2009	e0			3 (168 Hours)	28	EAR99		70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	225	1		not_compliant		20		不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1			20 ns	8KX8	3-STATE	8	13b	64 kb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	YES	3.556mm					Non-RoHS Compliant
7024L15JG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	260mA	RAM, SDR, SRAM			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	84	EAR99	哑光锡	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	260	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2			15 ns	4KX16	3-STATE		12b	64 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3577S80BGG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	200mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2005	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	流线型结构		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			100MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1			8 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
71024S20TYG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	140mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	260	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	128kB	1			20 ns		3-STATE		17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		3.759mm	21.95mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3577S75BGGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119		RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			117MHz					INDUSTRIAL	Parallel		1			7.5 ns				17b	4.5 Mb					Synchronous	36b		3.465V	3.135V			14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V124SA15Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	32		RAM, SRAM - Asynchronous			2007	e0			3 (168 Hours)	32	3A991.B.2.B	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel				0.1mA		128KX8	3-STATE	8			0.01A	1048576 bit	15 ns	COMMON			3V	3.6V	3V		3.683mm	20.955mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
7025L25PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	220mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20			5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2			25 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3576S133PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	70 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM			2012	e0	no		3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	133MHz	20	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	0.25mA		128KX36	3-STATE	36			0.03A	4718592 bit	4.2 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
70V24L20PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	195mA	RAM, SDR, SRAM			2004	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				INDUSTRIAL	Parallel	8kB	2			20 ns	4KX16	3-STATE		24b	64 kb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3399S166BC	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	450mA	RAM, SRAM			2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		166MHz					COMMERCIAL	Parallel		2			12 ns		3-STATE		17b	2 Mb	0.015A			COMMON	Synchronous	18b		2.6V	2.4V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71024S20YI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			32	140mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2007	e0	no		3 (168 Hours)	32			85°C	-40°C			5V	DUAL	J BEND	225	1		not_compliant		20		不合格	5V	INDUSTRIAL	Parallel		1			20 ns		3-STATE	8	17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	YES	3.683mm	20.96mm				Non-RoHS Compliant
70T653MS12BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	710mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm			20				COMMERCIAL	Parallel		2			12 ns		3-STATE		19b	18 Mb				COMMON	Asynchronous	36b		2.6V	2.4V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71024S15YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	155mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL	J BEND	260	1							5V	INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1			15 ns		3-STATE		17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		3.683mm	20.9mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3579S75PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	255mA	117MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		117MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1			7.5 ns		3-STATE		18b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V124SA12Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			32	130mA	RAM, SRAM - Asynchronous			2007	e0			3 (168 Hours)	32			70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	225	1				30		不合格		COMMERCIAL	Parallel		1			12 ns		3-STATE	8	17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		3.683mm	20.955mm				符合RoHS标准
71V632S7PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		100	160mA	66MHz	RAM, SDR, SRAM		2015	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		66MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	256kB	1			7 ns	64KX32	3-STATE		16b	2 Mb				COMMON	Synchronous	32b		3.63V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V124SA12TY	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	32		RAM, SRAM - Asynchronous			2007	e0	no		3 (168 Hours)	32	3A991.B.2.B	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel				0.13mA		128KX8	3-STATE	8			0.01A	1048576 bit	12 ns	COMMON			3V	3.6V	3.15V		3.7592mm	20.955mm	7.62mm			Non-RoHS Compliant
71024S15TYGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	155mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL	J BEND	260	1							5V	INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1			15 ns		3-STATE		17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		3.76mm	21.95mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
71024S20YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	140mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL	J BEND	260	1							5V	INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1			20 ns		3-STATE		17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		3.683mm	20.9mm	10.2mm	2.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V256SA15YI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			28	85mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2010	e0			3 (168 Hours)	28	EAR99		85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	225	1		not_compliant		30		不合格		INDUSTRIAL	Parallel		1			15 ns	32KX8	3-STATE	8	15b	256 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V	YES	3.556mm					Non-RoHS Compliant
IDT71V256SA12PZ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TSSOP	YES	28		RAM, SRAM - Asynchronous			1997	e0			3 (168 Hours)	28	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	鸥翼	240	1	0.55mm	not_compliant		20	R-PDSO-G28	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1		0.09mA		32KX8	3-STATE	8			0.002A	262144 bit	12 ns	COMMON			3V	3.6V	3V	YES	1.2mm	11.8mm	8mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V256SA12Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	28		RAM, SRAM - Asynchronous			2010	e0	no		3 (168 Hours)	28	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm			30		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1		0.09mA		32KX8	3-STATE	8			0.002A	262144 bit	12 ns	COMMON			3V	3.6V	3V	YES	3.556mm	17.9324mm	7.5184mm			符合RoHS标准
71V3577S80BGGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	210mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2005	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	流线型结构		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			100MHz	30				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1			8 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.035A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V67903S80PFGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP	100	230mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2004	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		100MHz	30				INDUSTRIAL	Parallel		1			8 ns		3-STATE		19b	9 Mb	0.07A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V256SA15Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			28	85mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	1997	e0	no		3 (168 Hours)	28	EAR99		70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	225	1		not_compliant		30		不合格		COMMERCIAL	Parallel		1			15 ns	32KX8	3-STATE	8	15b	256 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V	YES	3.556mm					Non-RoHS Compliant