IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)				包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	最大电流源	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	记忆密度	筛选水平	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	高度	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态
7134SA20J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	280mA		RAM, SDR, SRAM		2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1								5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2				20 ns	4KX8	3-STATE		24b	32 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V35761SA166BQG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	11 Weeks	表面贴装	FBGA	165	320mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM			2005	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	流水线结构		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			166MHz	30					COMMERCIAL	Parallel	512kB	1				3.5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V				15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V321S25TF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	130mA		RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	备用电池操作		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20					INDUSTRIAL	Parallel	2kB	2				25 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			1.6mm	10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V016SA15YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	44	130mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous				2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1									INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1				15 ns		3-STATE		16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
71256SA25TPGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔	PDIP	28	145mA		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		2011	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL		260	1	2.54mm								INDUSTRIAL	Parallel	32kB	1				25 ns	32KX8			15b	256 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			4.572mm	34.3mm	7.62mm	3.3mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71256SA15Y8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	28		RAM, SRAM - Asynchronous			Tape & Reel (TR)	2010	e0	no			28	EAR99	锡铅	70°C	0°C		8542.32.00.41	5V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm			30			不合格		COMMERCIAL	Parallel		1					32KX8	3-STATE	8				262144 bit	15 ns					5.5V	4.5V	YES		3.556mm	17.9324mm	7.5184mm			符合RoHS标准
71V3556SA100BQI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	11 Weeks	表面贴装		165	255mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM			2006	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			100MHz	20					INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.045A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V				15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
7133LA35J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	PLCC	YES	68	RAM, SDR, SRAM				2008	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	J BEND	225	1								5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2				35 ns		3-STATE		22b	32 kb	0.0015A			COMMON			2V	5.5V	4.5V				24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71256SA12TP	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	DIP	NO	28		RAM, SRAM - Asynchronous				2010	e0				28	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	5V	DUAL	THROUGH-HOLE	225	1	2.54mm	not_compliant		30			不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.16mA		32KX8	3-STATE	8			0.015A	262144 bit	12 ns	COMMON			4.5V	5.5V	4.5V	YES		4.572mm	34.671mm	7.62mm			Non-RoHS Compliant
70V25L20PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	195mA		RAM, SDR, SRAM		2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20					INDUSTRIAL	Parallel	16kB	2				20 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V416S15BEI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TFBGA	48	170mA		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		2014	e0	no	活跃	4 (72 Hours)	48		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.75mm			20					INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				15 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V				9mm	9mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3579S75PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	LQFP	YES	100		RAM, SRAM				2005	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant		20	R-PQFP-G100		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	117MHz	0.255mA		256KX18	3-STATE	18			0.03A	4718592 bit	7.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71256SA20TP	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP	28	145mA	RAM, SRAM - Asynchronous				2010	e0				28	EAR99		70°C	0°C			5V	DUAL		225	1	2.54mm	not_compliant		30			不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1				20 ns	32KX8	3-STATE	8	15b	256 kb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	YES		4.572mm					Non-RoHS Compliant
70T631S12BCI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256	395mA	RAM, SRAM			Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm			20					INDUSTRIAL	Parallel		2				12 ns		3-STATE		18b	4 Mb				COMMON	Asynchronous	18b		2.6V	2.4V			1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
6116LA90TDB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	CDIP		24	85mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous	Military grade			2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	24		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C			5V	DUAL		240	1	2.54mm	not_compliant		未说明		85mA	不合格	5V	MILITARY	Parallel	2kB	1				90 ns	2KX8	3-STATE		11b	16 kb	0.0003A	MIL-STD-883 Class B		COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			5.08mm	32.51mm	7.62mm	3.56mm		Non-RoHS Compliant	含铅
71V416S12BEI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TFBGA	48	180mA		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		2012	e0	no	活跃	4 (72 Hours)	48		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.75mm			20					INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				12 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V				9mm	9mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3599S166BFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	208	500mA	RAM, SDR, SRAM				2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL		1	0.8mm		166MHz			500mA			COMMERCIAL	Parallel	512kB	2				20 ns		3-STATE		34b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V		1.4mm		15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V659S10BFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	208	500mA	RAM, SDR, SRAM			Bulk	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.8mm			30					COMMERCIAL	Parallel	512kB	2				10 ns		3-STATE		34b	4.5 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V				15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V67603S166PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	LQFP	YES	100		RAM, SRAM				2009	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	166MHz	20	R-PQFP-G100		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.34mA		256KX36	3-STATE	36			0.05A	9437184 bit	3.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
71V3557S75BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	275mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225				100MHz						COMMERCIAL	Parallel	512kB	1				7.5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V				14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3576S150PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	416 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	LQFP	YES	100		RAM, SRAM				2015	e0	no		3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	150MHz	20	R-PQFP-G100		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.295mA		128KX36	3-STATE	36			0.03A	4718592 bit	3.8 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
71256SA20TPGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔	PDIP	28	145mA		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		2011	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL		260	1	2.54mm								INDUSTRIAL	Parallel	32kB	1				20 ns	32KX8			15b	256 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			4.572mm	34.3mm	7.62mm	3.3mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3577S80BGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	210mA		RAM, SRAM	Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			100MHz	20					INDUSTRIAL	Parallel		1				8 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.035A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
71T75602S150BGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA	119	235mA	150MHz	RAM, SDR, SRAM			2012	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	流水线结构		2.5V	BOTTOM	BALL	225	1			150MHz			235mA			INDUSTRIAL	Parallel	2.3MB	1				3.8 ns		3-STATE		19b	18 Mb	0.06A			COMMON	Synchronous	36b	2.38V	2.625V	2.375V		2.15mm		14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3319S166PRFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	128	500mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	128		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm		166MHz	30					COMMERCIAL	Parallel	512kB	2				3.6 ns		3-STATE		18b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V			1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅