IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	筛选水平	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
7024L35FB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				YES	84		RAM, SRAM	Military grade	Bulk	2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	5V	QUAD	FLAT	240	1				5V	MILITARY	Parallel		2		0.34mA		4KX16	3-STATE	24b	64 kb	0.004A	38535Q/M;38534H;883B	35 ns	COMMON			2V			3.556mm	29.2mm	29.21mm	2.54mm	无	符合RoHS标准	含铅
709379L9PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	430mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009			活跃					85°C	-40°C		5V						40MHz				Parallel		2			20 ns			30b	576 kb					Synchronous	18b		5.5V	4.5V		14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9369L7PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	LQFP	YES	100		RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm		20		INDUSTRIAL	Parallel		2	83MHz	0.335mA		16KX18	3-STATE	28b	288 kb	0.015A		7.5 ns	COMMON			3V	3.6V	3V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V27L20PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	230mA	RAM, SDR, SRAM			2012			活跃					85°C	-40°C		3.3V										Parallel	64kB	2			20 ns			30b	512 kb					Asynchronous	16b		3.6V	3V		14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
709269S12PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	345mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm	33.3MHz	20	5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	2			12 ns	16KX16	3-STATE	28b	256 kb	0.015A			COMMON	Synchronous	16b		5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T651S10DR	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PQFP	208	405mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C		2.5V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm		20		COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	2			10 ns		3-STATE	18b	9 Mb	0.01A			COMMON	Asynchronous	36b		2.6V	2.4V	4.1mm	28mm	28mm	3.5mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V261L55PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	120mA	RAM, SDR, SRAM			2009			活跃					70°C	0°C		3.3V										Parallel	32kB	2			55 ns			28b	256 kb					Asynchronous	16b		3.6V	3V		14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7008L25PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	265mA	RAM, SDR, SRAM			2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20	5V	COMMERCIAL	Parallel	64kB	2			25 ns	64KX8	3-STATE	32b	512 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7008L55PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	230mA	RAM, SDR, SRAM			2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20	5V	COMMERCIAL	Parallel	64kB	2			55 ns	64KX8	3-STATE	32b	512 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7024L45J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84		RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; ARBITER; SEMAPHORE	5V	QUAD	J BEND	225	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2			45 ns	4KX16	3-STATE	12b	64 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V		29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7024L30J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	PLCC	YES	84		RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE	5V	QUAD	J BEND	225	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2		0.3mA	30 ns	4KX16	3-STATE	24b	64 kb	0.0015A			COMMON			2V	5.5V	4.5V	4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7134SA70J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	240mA	RAM, SDR, SRAM			2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN	5V	QUAD	J BEND	225	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2			70 ns	4KX8	3-STATE	24b	32 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025L20J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	240mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	QUAD	J BEND	225	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2			20 ns	8KX16	3-STATE	26b	128 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V	4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7164S20YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks		YES	28		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		5V	DUAL	J BEND	260	1				5V	INDUSTRIAL	Parallel	8kB	1			20 ns	8KX8	3-STATE	13b	64 kb				COMMON				5.5V	4.5V	3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75902S75PFGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP	100	295mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2005			活跃					85°C	-40°C		2.5V						100MHz				Parallel		1			7.5 ns			20b	18 Mb					Synchronous	18b		2.625V	2.375V		20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7024S17J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	310mA	RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	5V	QUAD	J BEND	225	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2			17 ns	4KX16	3-STATE	24b	64 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V	4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V2556SA100BGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	260mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2011	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	流水线结构	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1		100MHz	20		INDUSTRIAL	Parallel		1			5 ns		3-STATE	17b	4.5 Mb	0.045A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V	2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
7005L25PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	220mA	RAM, SDR, SRAM			2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP	5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm		20	5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2			25 ns	8KX8	3-STATE	26b	64 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V	1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025S35J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	250mA	RAM, SDR, SRAM			2009			活跃					70°C	0°C		5V										Parallel	16kB	2			35 ns			26b	128 kb					Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7133LA45J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	250mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	QUAD	J BEND	225	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2			45 ns		3-STATE	22b	32 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V		24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7024S45J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84		RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; ARBITER; SEMAPHORE	5V	QUAD	J BEND	225	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2		0.34mA	45 ns	4KX16	3-STATE	12b	64 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025L45J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84		RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; ARBITER; SEMAPHORE	5V	QUAD	J BEND	225	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2			45 ns	8KX16	3-STATE	26b	128 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V		29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7024S25G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔		84	265mA	RAM, SDR, SRAM			2000	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG	240	1			20	5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2			25 ns	4KX16	3-STATE	24b	64 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		27.94mm	27.94mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
6116SA150DB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks		CDIP	NO	24		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous	Military grade	Bulk	2013	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	24		Tin/Lead (Sn63Pb37)	125°C	-55°C		5V	DUAL	THROUGH-HOLE	240	1	2.54mm			5V	MILITARY	Parallel	2kB	1		0.09mA	150 ns	2KX8	3-STATE	11b	16 kb		MIL-STD-883 Class B		COMMON				5.5V	4.5V	4.826mm	32mm	15.24mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3399S133BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	370mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2004	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	133MHz			COMMERCIAL	Parallel		2			15 ns		3-STATE	34b	2 Mb	0.015A			COMMON	Synchronous	18b		2.6V	2.4V	1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅