IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	引脚数	供应商器件包装	Current - Supply (Nom)			厂商			操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	访问时间	内存格式	内存接口	组织结构	输出特性	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	组织的记忆	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度
5962-9166207MYA	Integrated Device Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
IDT71256SA15YG	Integrated Device Technology	数据表	25000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
5962-9166201MYA	Integrated Device Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
71V416L15PHI	Integrated Device Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)		44-TSOP II	Bulk	71V416L	活跃	IDT, Integrated Device Technology Inc	Volatile		-40°C ~ 85°C (TA)			-											SRAM - Asynchronous	3V ~ 3.6V											4Mbit		15 ns	SRAM	Parallel			15ns										256K x 16
5962-9166212MXA	Integrated Device Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
5962-8855201XA	Integrated Device Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
70V9289L7PRFG	Integrated Device Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	128-LQFP	128-TQFP (14x20)					Volatile	0°C ~ 70°C (TA)	Tray		--			活跃								SRAM - Dual Port, Synchronous	3 V ~ 3.6 V											1Mb (64K x 16)		7.5ns	SRAM	Parallel			--
70V9269L9PRF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	128	225mA		RAM, SDR, SRAM			Bulk	2008		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	225		0.5mm	40MHz			COMMERCIAL	Parallel	32kB	2	9 ns			16KX16	3-STATE		28b	256 kb	0.003A	COMMON	Synchronous	16b	3V	3.6V	3V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7142LA20J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	200mA		RAM, SDR, SRAM				2004		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP		5V	QUAD	J BEND	225	1				5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2	20 ns				3-STATE		22b	16 kb	0.0015A	COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3579S5BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256	360mA				RAM, SRAM		Tape & Reel	2008		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	100MHz			COMMERCIAL	Parallel		2	5 ns				3-STATE		30b	1.1 Mb		COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3399S133BC	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256	370mA				RAM, SRAM			2004		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	133MHz			COMMERCIAL	Parallel		2	15 ns				3-STATE		34b	2 Mb	0.015A	COMMON	Synchronous	18b		2.6V	2.4V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V05L20PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	195mA		RAM, SDR, SRAM				2006		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm		20		INDUSTRIAL	Parallel	8kB	2	20 ns			8KX8	3-STATE		26b	64 kb	0.005A	COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7016S12PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	80	325mA		RAM, SDR, SRAM				2009			no	活跃			EAR99		70°C	0°C			5V										Parallel	18kB	2	12 ns						28b	144 kb			Asynchronous	9b		5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3589S133BFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	208	133MHz	450mA	RAM, SDR, SRAM						2009		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm	133MHz	20		INDUSTRIAL	Parallel	256kB	2	4.2 ns			64KX36	3-STATE		32b	2.3 Mb		COMMON	Synchronous	36b		2.6V	2.4V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7005S35GB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	68		RAM, SDR, SRAM							Bulk	2012				活跃					125°C	-55°C			5V										Parallel	8kB	2	35 ns						26b	64 kb						5.5V	4.5V			29.46mm	29.46mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V65703S80BGG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	250mA		RAM, SDR, SRAM				2009		e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1		95MHz	30		COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1	8 ns			256KX36			18b	9 Mb			Synchronous	36b		3.465V	3.135V			14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V67703S85BGGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	210mA		RAM, SRAM			Tape & Reel	2009		e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1		87MHz	30		INDUSTRIAL	Parallel		1	8.5 ns			256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.07A	COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
7025L15PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	260mA		RAM, SDR, SRAM				2009				活跃					70°C	0°C			5V										Parallel	16kB	2	15 ns						26b	128 kb			Asynchronous	16b		5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9199L9PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	230mA		RAM, SDR, SRAM			Bulk	2009		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100		Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm	40MHz	20		COMMERCIAL	Parallel	128kB	2	9 ns				3-STATE		17b	1.1 Mb		COMMON	Synchronous	9b	3V	3.6V	3V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025S20PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	290mA		RAM, SDR, SRAM			Tape & Reel	2009		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20	5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2	20 ns			8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.015A	COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7132SA35J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	165mA		RAM, SDR, SRAM				2004				活跃					70°C	0°C			5V										Parallel	2kB	2	35 ns						22b	16 kb			Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
709079S12PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	345mA		RAM, SDR, SRAM			Bulk	2009		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		5V	QUAD	FLAT	240	1	0.5mm	33.3MHz	20	5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	2	12 ns				3-STATE		30b	256 kb	0.015A	COMMON	Synchronous	8b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T651S12BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256	355mA				RAM, SRAM		Tape & Reel	2009		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		20		COMMERCIAL	Parallel		2	12 ns				3-STATE		18b	9 Mb	0.01A	COMMON	Asynchronous	36b		2.6V	2.4V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3319S133BF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	208	370mA				RAM, SRAM			2010		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm	133MHz			COMMERCIAL	Parallel		2	15 ns				3-STATE		18b	4 Mb	0.015A	COMMON	Synchronous	18b		2.6V	2.4V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V3556SA166BGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	360mA	166MHz			RAM, SDR, SRAM			2015		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1		166MHz	20		INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1	3.5 ns				3-STATE		17b	4.5 Mb	0.045A	COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅