品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

Current - Supply (Nom)

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

技术

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

访问时间

内存格式

内存接口

组织结构

输出特性

写入周期时间 - 字符、页面

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

组织的记忆

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

5962-9166207MYA
5962-9166207MYA
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5962-9166201MYA
5962-9166201MYA
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5962-9166208MYA
5962-9166208MYA
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

71V256SA10YG
71V256SA10YG
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)

28-SOJ

Bulk

71V256

活跃

IDT, Integrated Device Technology Inc

Volatile

0°C ~ 70°C (TA)

-

SRAM - Asynchronous

3V ~ 3.6V

256Kbit

10 ns

SRAM

Parallel

10ns

32K x 8

IDT7130SA100J
IDT7130SA100J
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5962-8874001LA
5962-8874001LA
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5962-9166212MXA
5962-9166212MXA
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

70V34L15PF
70V34L15PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

185mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2004

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

15 ns

4KX18

3-STATE

12b

72 kb

COMMON

Asynchronous

18b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7008L25J8
7008L25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

265mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

25 ns

64KX8

3-STATE

32b

512 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7008S15PF
7008S15PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

365mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

15 ns

64KX8

3-STATE

32b

512 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V3557S85BGI8
71V3557S85BGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

235mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

91MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

1

8.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

7025S17J8
7025S17J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

310mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

16kB

2

17 ns

26b

128 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7134LA70P
7134LA70P
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

PDIP

48

200mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2013

e0

no

Discontinued

1 (Unlimited)

48

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

DUAL

245

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

70 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

5.08mm

61.7mm

15.24mm

3.8mm

符合RoHS标准

含铅

70T3519S133BFGI8
70T3519S133BFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

208

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

85°C

-40°C

2.5V

133MHz

Parallel

1.1MB

2

4.2 ns

36b

9 Mb

2.6V

2.4V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7134SA45J
7134SA45J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

240mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

45 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71T75802S200BG8
71T75802S200BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

275mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2012

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

200MHz

COMMERCIAL

Parallel

1

3.2 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

70V25L15PF8
70V25L15PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

185mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

15 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V5388S200BC
70V5388S200BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

256

RAM, SRAM

470mA

2008

e0

no

Discontinued

3 (168 Hours)

256

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

200MHz

COMMERCIAL

Parallel

4

3 ns

3-STATE

16b

1.1 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.4mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70T651S15BC
70T651S15BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

305mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

2

15 ns

3-STATE

18b

9 Mb

0.01A

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7140SA35J8
7140SA35J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

165mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

35 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.03A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71V256SA15PZG8
71V256SA15PZG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TSOP

28

85mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.55mm

30

COMMERCIAL

Parallel

32kB

1

15 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

0.002A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

8mm

11.8mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

71342LA25JI
71342LA25JI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

260mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71V3558SA100BQG8
71V3558SA100BQG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

表面贴装

165

250mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2015

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

100MHz

COMMERCIAL

Parallel

1

5 ns

18b

4.5 Mb

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

70V3399S166PRF
70V3399S166PRF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

TQFP

128

500mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.635mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

256kB

2

3.6 ns

3-STATE

34b

2.3 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V3556SA166BQ8
71V3556SA166BQ8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

表面贴装

165

350mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2015

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

1

3.5 ns

17b

4.5 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅