IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	高度	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
70T3519S166BCI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装			256	510mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM		2009			活跃					85°C	-40°C		2.5V						166MHz					Parallel	1.1MB	2		3.6 ns			36b	9 Mb			Synchronous	36b		2.6V	2.4V			17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7142SA20J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	250mA	RAM, SDR, SRAM			2004			活跃					70°C	0°C		5V											Parallel	2kB	2		20 ns			22b	16 kb			Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7007L15PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	80	285mA	RAM, SDR, SRAM			2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	80	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER DOWN	5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm		20		5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	2		15 ns		3-STATE	15b	256 kb	0.005A	COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3589S133DRI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PQFP		208	450mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM	Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn/Pb)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	2.5V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm	133MHz	20			INDUSTRIAL	Parallel	256kB	2		4.2 ns	64KX36	3-STATE	32b	2.3 Mb		COMMON	Synchronous	36b		2.6V	2.4V		4.1mm	28mm	28mm	3.5mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V65703S80BQI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		165	60mA	RAM, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1		95MHz	20			INDUSTRIAL	Parallel		1		8 ns	256KX36	3-STATE	18b	9 Mb	0.06A	COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
70125S55J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	240mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN	5V	QUAD	J BEND	225	1			未说明	不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		2		55 ns		3-STATE	22b	18 kb	0.015A	COMMON	Asynchronous	9b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm		符合RoHS标准	含铅
7005S35PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	64		RAM, SDR, SRAM		Tape & Reel	2012	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Matte Tin (Sn)	70°C	0°C		5V	QUAD	鸥翼	260	1						COMMERCIAL	Parallel	8kB	2		35 ns	8KX8		26b	64 kb						5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7005L25PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP		64		RAM, SDR, SRAM		Bulk	2012	e0	no	活跃	3 (168 Hours)		EAR99	锡铅	85°C	-40°C		5V			240								Parallel	8kB	2		25 ns			26b	64 kb						5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7134SA35P	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP		48	260mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2013			Discontinued					70°C	0°C		5V											Parallel	4kB	2		35 ns			24b	32 kb			Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V24L20JI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	195mA	RAM, SDR, SRAM			2004	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	3.3V	QUAD	J BEND	225	1						INDUSTRIAL	Parallel	8kB	2		20 ns	4KX16	3-STATE	24b	64 kb		COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V27S35PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	235mA	RAM, SDR, SRAM			2012			活跃					70°C	0°C		3.3V											Parallel	64kB	2		35 ns			30b	512 kb			Asynchronous	16b		3.6V	3V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3399S133PRFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	表面贴装	TQFP	128	480mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm	133MHz				INDUSTRIAL	Parallel		2		15 ns		3-STATE	17b	2.3 Mb	0.04A	COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V		1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7006L25PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	220mA	RAM, SDR, SRAM			2010	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C		5V	QUAD	鸥翼	260	1	0.8mm		30		5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2		25 ns	16KX8	3-STATE	28b	128 kb	0.0015A	COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V3399S133BFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	表面贴装		208	480mA	RAM, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm	133MHz				INDUSTRIAL	Parallel		2		15 ns		3-STATE	17b	2.3 Mb	0.04A	COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V		1.7mm	15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V35761S200BGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		BGA	YES	119		RAM, SRAM			2009	e0	no	Discontinued	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1		200MHz	20			INDUSTRIAL	Parallel		1					17b	4.5 Mb						3.465V			2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
7133LA55PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	250mA	RAM, SDR, SRAM			2013			活跃					70°C	0°C		5V											Parallel	4kB	2		55 ns			11b	32 kb			Asynchronous	16b		5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V25L15PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	185mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		20			COMMERCIAL	Parallel	16kB	2		15 ns	8KX16	3-STATE	26b	128 kb		COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V5388S200BC	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			256	470mA	RAM, SRAM			2008	e0	no	Discontinued	3 (168 Hours)	256	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	200MHz				COMMERCIAL	Parallel		4		3 ns		3-STATE	16b	1.1 Mb	0.015A	COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V	1.4mm		17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V67803S133BQI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装			165	280mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2007	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	流水线结构	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1		133MHz	20			INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1		4.2 ns		3-STATE	19b	9 Mb	0.07A	COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3599S133BCI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	450mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	133MHz	20			INDUSTRIAL	Parallel		2		15 ns		3-STATE	34b	4.5 Mb		COMMON	Synchronous	36b		2.6V	2.4V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V05L20PFGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	64		RAM, SDR, SRAM			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.8mm		30			INDUSTRIAL	Parallel	8kB	2	0.195mA	20 ns	8KX8	3-STATE	26b	64 kb	0.005A	COMMON			3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V9169L6PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	330mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm	52.6MHz	20			COMMERCIAL	Parallel		2		15 ns	16KX9	3-STATE	14b	144 kb	0.003A	COMMON	Synchronous	9b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3519S133DRI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PQFP		208	450mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2009			活跃					85°C	-40°C		2.5V						133MHz					Parallel	1.1MB	2		4.2 ns			36b	9 Mb			Synchronous	36b		2.6V	2.4V			28mm	28mm	3.5mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3339S166BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	450mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	166MHz	20			COMMERCIAL	Parallel		2		12 ns		3-STATE	38b	9 Mb	0.015A	COMMON	Synchronous	18b		2.6V	2.4V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7133SA20PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	310mA	RAM, SDR, SRAM			2013			活跃					70°C	0°C		5V											Parallel	4kB	2		20 ns			22b	32 kb			Asynchronous	16b		5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm		符合RoHS标准	含铅