品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

7015S20PF8
7015S20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

80

290mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

9kB

2

20 ns

8KX9

3-STATE

26b

72 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71421LA20PFG8
71421LA20PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

64

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

自动断电

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.8mm

30

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V3557S75BGG8
71V3557S75BGG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

275mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

100MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1

7.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

70T651S12BFI8
70T651S12BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

395mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

INDUSTRIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

18b

9 Mb

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7132LA25J8
7132LA25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

170mA

RAM, SDR, SRAM

2004

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V3589S133BCI8
70V3589S133BCI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

480mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

1

1mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2

15 ns

64KX36

3-STATE

32b

2.3 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V25L55PF
70V25L55PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

155mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

55 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3589S133BFI8
70V3589S133BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

480mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

1

0.8mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2

15 ns

64KX36

3-STATE

32b

2.3 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V639S12PRF8
70V639S12PRF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

465mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

COMMERCIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

34b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7132LA25JGI8
7132LA25JGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

PLCC

YES

52

RAM, SDR, SRAM

2013

e3

yes

52

EAR99

哑光锡

85°C

-40°C

5V

QUAD

J BEND

260

1

30

INDUSTRIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

22b

16 kb

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

无铅

70261S15PF8
70261S15PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

325mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

15 ns

16KX16

3-STATE

14b

256 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3599S166BC8
70V3599S166BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

500mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

1

1mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71T75802S133BGI
71T75802S133BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

215mA

RAM, SRAM

2012

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

18b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

71342LA25JI
71342LA25JI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

260mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71V321L55TF8
71V321L55TF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

85mA

RAM, SDR, SRAM

2001

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

BATTERY BACKUP;AUTOMATIC POWER DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

55 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

1.6mm

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT70824S25PF
IDT70824S25PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

80

RAM

2009

e0

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

S-PQFP-G80

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

ASYNCHRONOUS

0.36mA

4KX16

16

0.015A

65536 bit

25 ns

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

Non-RoHS Compliant

7143LA25PF8
7143LA25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

270mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

2

25 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V256SA15PZG8
71V256SA15PZG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TSOP

28

85mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.55mm

30

COMMERCIAL

Parallel

32kB

1

15 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

0.002A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

8mm

11.8mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

70914S15PF
70914S15PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

80

300mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

80

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.635mm

50MHz

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

4.5kB

2

15 ns

4KX9

3-STATE

24b

36 kb

0.015A

COMMON

Synchronous

9b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71321SA55PF8
71321SA55PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

155mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

55 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V3556SA166BQ8
71V3556SA166BQ8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

表面贴装

165

350mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2015

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

1

3.5 ns

17b

4.5 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

70V3389S6PRF8
70V3389S6PRF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

310mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

83.3MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

6 ns

64KX18

3-STATE

16b

1.1 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3589S133BFI
70V3589S133BFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

480mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

1

0.8mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

256kB

2

25 ns

64KX36

3-STATE

32b

2.3 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V27L20PF8
70V27L20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

220mA

RAM, SDR, SRAM

2012

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

64kB

2

20 ns

30b

512 kb

Asynchronous

16b

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7143SA90J
7143SA90J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

280mA

RAM, SDR, SRAM

2013

no

活跃

EAR99

70°C

0°C

5V

Parallel

4kB

2

90 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅