品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

终端数量

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

子类别

技术

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

座位高度-最大

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

并行/串行

I/O类型

同步/异步

字长

内存IC类型

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

70V9199L9PF
70V9199L9PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

230mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

40MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

9 ns

3-STATE

17b

1.1 Mb

COMMON

Synchronous

9b

3V

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7025S20PF8
7025S20PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

290mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

20 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7133LA70J
7133LA70J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

250mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

70 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70T651S12BC8
70T651S12BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

355mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

18b

9 Mb

0.01A

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V25761S166BG
71V25761S166BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

320mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e1

yes

Discontinued

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

166MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

70T3339S166BC
70T3339S166BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

450mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

166MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

2

3.6 ns

3-STATE

38b

9 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7134LA70J
7134LA70J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

200mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

70 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

709349L7PFGI8
709349L7PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

440mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

45.45MHz

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

2

18 ns

4KX18

3-STATE

12b

72 kb

0.003A

COMMON

Synchronous

18b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V5388S200BG
70V5388S200BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

BGA

272

470mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

Discontinued

3 (168 Hours)

272

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

200MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

128kB

4

5 ns

3-STATE

16b

1.1 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

27mm

27mm

2mm

符合RoHS标准

含铅

70125S55J
70125S55J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

240mA

RAM, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

55 ns

3-STATE

22b

18 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

9b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70T3519S133BFI
70T3519S133BFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

450mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

1.1MB

2

4.2 ns

3-STATE

36b

9 Mb

COMMON

Synchronous

36b

2.6V

2.4V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70261S15PF8
70261S15PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

325mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

15 ns

16KX16

3-STATE

14b

256 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V3599S166BC8
70V3599S166BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

500mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

1

1mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71024S20YI
71024S20YI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

32

0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

小概要

3

128000

PLASTIC/EPOXY

SOJ32,.44

-40 °C

30

20 ns

85 °C

71024S20YI

131072 words

5 V

SOJ

RECTANGULAR

Integrated Device Technology Inc

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

5.19

SOJ

e0

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

8542.32.00.41

SRAMs

CMOS

DUAL

J BEND

225

1

1.27 mm

not_compliant

R-PDSO-J32

不合格

5 V

INDUSTRIAL

ASYNCHRONOUS

0.14 mA

128KX8

3-STATE

3.683 mm

8

0.01 A

1048576 bit

PARALLEL

COMMON

标准SRAM

4.5 V

5.5 V

4.5 V

20.96 mm

10.16 mm

5962-8866516UA
5962-8866516UA
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

IDT7007S25PF
IDT7007S25PF
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5962-9150806MYA
5962-9150806MYA
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5962-8866511UA
5962-8866511UA
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

IDT70V27L20PFGI
IDT70V27L20PFGI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5962-9166212MYA
5962-9166212MYA
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

IDT71024S15TYG
IDT71024S15TYG
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

IDT7025S25PF
IDT7025S25PF
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

IDT71V016SA10PHG
IDT71V016SA10PHG
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5962-9161703MYA
5962-9161703MYA
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5962-9161707MYA
5962-9161707MYA
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1